Transconduttanza data corrente di drenaggio Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Transconduttanza = sqrt(2*Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Assorbimento di corrente)
gm = sqrt(2*k'n*WL*id)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 4 Variabili
Funzioni utilizzate
sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)
Variabili utilizzate
Transconduttanza - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.
Parametro di transconduttanza di processo - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Proporzioni - Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgente
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Parametro di transconduttanza di processo: 0.015 Ampere per Volt Quadrato --> 0.015 Ampere per Volt Quadrato Nessuna conversione richiesta
Proporzioni: 0.1 --> Nessuna conversione richiesta
Assorbimento di corrente: 0.08 Millampere --> 8E-05 Ampere (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
gm = sqrt(2*k'n*WL*id) --> sqrt(2*0.015*0.1*8E-05)
Valutare ... ...
gm = 0.000489897948556636
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.000489897948556636 Siemens -->0.489897948556636 Millisiemens (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
0.489897948556636 0.489898 Millisiemens <-- Transconduttanza
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Prahalad Singh
Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur
Prahalad Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!

16 Transconduttanza Calcolatrici

Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo
​ Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza/(Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio))
Transconduttanza dato Parametro di transconduttanza di processo
​ Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)
Transconduttanza data corrente di drenaggio
​ Partire Transconduttanza = sqrt(2*Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Assorbimento di corrente)
Transconduttanza di processo data la transconduttanza e la corrente di drain
​ Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza^2/(2*Proporzioni*Assorbimento di corrente)
Drain Current data la transconduttanza e la transconduttanza del processo
​ Partire Assorbimento di corrente = Transconduttanza^2/(2*Proporzioni*Parametro di transconduttanza di processo)
Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive
​ Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza/(Proporzioni*Tensione di overdrive)
Transconduttanza utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive
​ Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Tensione di overdrive
Transconduttanza MOSFET dato il parametro di transconduttanza
​ Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)
Effetto del corpo sulla transconduttanza
​ Partire Transconduttanza corporea = Modifica della soglia alla tensione di base*Transconduttanza
Parametro di transconduttanza MOSFET che utilizza la transconduttanza di processo
​ Partire Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni
Transconduttanza del backgate
​ Partire Transconduttanza del backgate = Transconduttanza*Efficienza della tensione
MOSFET Transconduttanza
​ Partire Transconduttanza = Modifica della corrente di scarico/Tensione gate-source
Transconduttanza MOSFET data la tensione di overdrive
​ Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza*Tensione di overdrive
Parametro di transconduttanza di processo del MOSFET
​ Partire Parametro di transconduttanza = Transconduttanza/Tensione di overdrive
Assorbimento di corrente tramite transconduttanza
​ Partire Assorbimento di corrente = (Tensione di overdrive)*Transconduttanza/2
Transconduttanza nei MOSFET
​ Partire Transconduttanza = (2*Assorbimento di corrente)/Tensione di overdrive

Transconduttanza data corrente di drenaggio Formula

Transconduttanza = sqrt(2*Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Assorbimento di corrente)
gm = sqrt(2*k'n*WL*id)

Qual è l'uso della transconduttanza nei MOSFET?

La transconduttanza è un'espressione delle prestazioni di un transistor bipolare o transistor ad effetto di campo (FET). In generale, maggiore è il valore di transconduttanza per un dispositivo, maggiore è il guadagno (amplificazione) che è in grado di fornire, quando tutti gli altri fattori sono mantenuti costanti.

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