Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale calcolatrice

✖La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.ⓘ Soglia di voltaggio [V_th]			+10% -10%
✖La corrente di polarizzazione CC è la corrente costante che scorre attraverso un circuito o un dispositivo per stabilire un determinato punto operativo o punto di polarizzazione.ⓘ Corrente di polarizzazione CC [I_b]			+10% -10%
✖Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.ⓘ Parametro di transconduttanza di processo [k'_n]			+10% -10%
✖Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgenteⓘ Proporzioni [WL]			+10% -10%

✖La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.ⓘ Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale [V_gs]

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Formula

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Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale

Formula

`"V"_{"gs"} = "V"_{"th"}+sqrt((2*"I"_{"b"})/("k'"_{"n"}*"WL"))`

Esempio

`"5.362834V"="2.3V"+sqrt((2*"985mA")/("2.1A/V²"*"0.1"))`

Calcolatrice

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Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+sqrt((2*Corrente di polarizzazione CC)/(Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni))
V_gs = V_th+sqrt((2*I_b)/(k'_n*WL))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 5 Variabili

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Tensione gate-source - (Misurato in Volt) - La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.
Corrente di polarizzazione CC - (Misurato in Ampere) - La corrente di polarizzazione CC è la corrente costante che scorre attraverso un circuito o un dispositivo per stabilire un determinato punto operativo o punto di polarizzazione.
Parametro di transconduttanza di processo - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Proporzioni - Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgente

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Soglia di voltaggio: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Nessuna conversione richiesta
Corrente di polarizzazione CC: 985 Millampere --> 0.985 Ampere (Controlla la conversione qui)
Parametro di transconduttanza di processo: 2.1 Ampere per Volt Quadrato --> 2.1 Ampere per Volt Quadrato Nessuna conversione richiesta
Proporzioni: 0.1 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_gs = V_th+sqrt((2*I_b)/(k'_n*WL)) --> 2.3+sqrt((2*0.985)/(2.1*0.1))

Valutare ... ...

V_gs = 5.36283404397829

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

5.36283404397829 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

5.36283404397829 ≈ 5.362834 Volt <-- Tensione gate-source

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 20 Voltaggio Calcolatrici

Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source

Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Tensione di uscita del gate comune

Partire Tensione di uscita = -(Transconduttanza*Tensione critica)*((Resistenza al carico*Resistenza al cancello)/(Resistenza al cancello+Resistenza al carico))

Tensione di ingresso della sorgente

Partire Tensione di ingresso della sorgente = Tensione di ingresso*(Resistenza dell'amplificatore di ingresso/(Resistenza dell'amplificatore di ingresso+Resistenza della sorgente equivalente))

Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET dato il segnale di modo comune

Partire Tensione di scarico Q1 = -Resistenza di uscita*(Transconduttanza*Segnale di ingresso in modalità comune)/(1+(2*Transconduttanza*Resistenza di uscita))

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale

Partire Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+sqrt((2*Corrente di polarizzazione CC)/(Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni))

Tensione gate-to-source in ingresso

Partire Tensione critica = (Resistenza dell'amplificatore di ingresso/(Resistenza dell'amplificatore di ingresso+Resistenza della sorgente equivalente))*Tensione di ingresso

Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET dato il segnale di modo comune

Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita/((1/Transconduttanza)+2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso

Partire Tensione gate-source = Corrente di ingresso/(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET

Partire Corrente di ingresso = Tensione gate-source*(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Tensione di overdrive quando il MOSFET funge da amplificatore con resistenza di carico

Partire Transconduttanza = Corrente totale/(Segnale di ingresso in modalità comune-(2*Corrente totale*Resistenza di uscita))

Segnale di tensione incrementale dell'amplificatore differenziale

Partire Segnale di ingresso in modalità comune = (Corrente totale/Transconduttanza)+(2*Corrente totale*Resistenza di uscita)

Tensione al Drain Q1 del MOSFET

Partire Tensione di uscita = -(Resistenza di carico totale del MOSFET/(2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune

Tensione al Drain Q2 nel MOSFET

Partire Tensione di uscita = -(Resistenza di carico totale del MOSFET/(2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune

Tensione di saturazione del MOSFET

Partire Tensione di saturazione di drain e source = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio

Tensione di overdrive

Partire Tensione di overdrive = (2*Assorbimento di corrente)/Transconduttanza

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET sulla tensione di ingresso differenziale data la tensione di overdrive

Partire Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+1.4*Tensione effettiva

Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET

Partire Tensione di scarico Q1 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)

Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET

Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)

Tensione di soglia quando il MOSFET funge da amplificatore

Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva

Tensione di soglia del MOSFET

Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale Formula

Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+sqrt((2*Corrente di polarizzazione CC)/(Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni))
V_gs = V_th+sqrt((2*I_b)/(k'_n*WL))

Cos'è la tensione di ingresso differenziale?

La tensione di ingresso differenziale è la tensione massima che può essere fornita ai pin di ingresso (ingresso non invertente) e ingresso (ingresso invertente) senza causare danni o degradare le caratteristiche del circuito integrato.

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