Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)
vo2 = -(Rout*It)
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Tensione di scarico Q2 - (Misurato in Volt) - La tensione di scarico Q2 è la tensione presa al terminale di scarico su un transistor Q2 nel circuito differenziale.
Resistenza di uscita - (Misurato in Ohm) - La resistenza di uscita si riferisce alla resistenza di un circuito elettronico al flusso di corrente quando un carico è collegato alla sua uscita.
Corrente totale - (Misurato in Ampere) - La corrente totale è un termine usato in ingegneria elettrica e fisica per riferirsi alla somma di tutte le correnti elettriche che scorrono attraverso un punto particolare in un circuito o conduttore.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Resistenza di uscita: 4.5 Kilohm --> 4500 Ohm (Controlla la conversione ​qui)
Corrente totale: 7.7 Millampere --> 0.0077 Ampere (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
vo2 = -(Rout*It) --> -(4500*0.0077)
Valutare ... ...
vo2 = -34.65
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
-34.65 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
-34.65 Volt <-- Tensione di scarico Q2
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

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Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Anshika Arya
Istituto nazionale di tecnologia (NIT), Hamirpur
Anshika Arya ha verificato questa calcolatrice e altre 2500+ altre calcolatrici!

20 Voltaggio Calcolatrici

Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source
​ Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)
Tensione di uscita del gate comune
​ Partire Tensione di uscita = -(Transconduttanza*Tensione critica)*((Resistenza al carico*Resistenza al cancello)/(Resistenza al cancello+Resistenza al carico))
Tensione di ingresso della sorgente
​ Partire Tensione di ingresso della sorgente = Tensione di ingresso*(Resistenza dell'amplificatore di ingresso/(Resistenza dell'amplificatore di ingresso+Resistenza della sorgente equivalente))
Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET dato il segnale di modo comune
​ Partire Tensione di scarico Q1 = -Resistenza di uscita*(Transconduttanza*Segnale di ingresso in modalità comune)/(1+(2*Transconduttanza*Resistenza di uscita))
Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale
​ Partire Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+sqrt((2*Corrente di polarizzazione CC)/(Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni))
Tensione gate-to-source in ingresso
​ Partire Tensione critica = (Resistenza dell'amplificatore di ingresso/(Resistenza dell'amplificatore di ingresso+Resistenza della sorgente equivalente))*Tensione di ingresso
Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET dato il segnale di modo comune
​ Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita/((1/Transconduttanza)+2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune
Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso
​ Partire Tensione gate-source = Corrente di ingresso/(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))
Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET
​ Partire Corrente di ingresso = Tensione gate-source*(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))
Tensione di overdrive quando il MOSFET funge da amplificatore con resistenza di carico
​ Partire Transconduttanza = Corrente totale/(Segnale di ingresso in modalità comune-(2*Corrente totale*Resistenza di uscita))
Segnale di tensione incrementale dell'amplificatore differenziale
​ Partire Segnale di ingresso in modalità comune = (Corrente totale/Transconduttanza)+(2*Corrente totale*Resistenza di uscita)
Tensione al Drain Q1 del MOSFET
​ Partire Tensione di uscita = -(Resistenza di carico totale del MOSFET/(2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune
Tensione al Drain Q2 nel MOSFET
​ Partire Tensione di uscita = -(Resistenza di carico totale del MOSFET/(2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune
Tensione di saturazione del MOSFET
​ Partire Tensione di saturazione di drain e source = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio
Tensione di overdrive
​ Partire Tensione di overdrive = (2*Assorbimento di corrente)/Transconduttanza
Tensione tra gate e sorgente del MOSFET sulla tensione di ingresso differenziale data la tensione di overdrive
​ Partire Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+1.4*Tensione effettiva
Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET
​ Partire Tensione di scarico Q1 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)
Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET
​ Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)
Tensione di soglia quando il MOSFET funge da amplificatore
​ Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva
Tensione di soglia del MOSFET
​ Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva

Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET Formula

Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)
vo2 = -(Rout*It)

Cosa fa il rifiuto in modalità comune?

La reiezione di modo comune è la capacità dell'amplificatore differenziale (che si trova tra l'oscilloscopio e le sonde come preamplificatore di condizionamento del segnale) di eliminare la tensione di modo comune dall'uscita. Ma quando le frequenze del segnale aumentano, CMRR si deteriora.

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