Tensione al Drain Q2 nel MOSFET calcolatrice

✖La resistenza di carico totale del MOSFET include sia la resistenza intrinseca drain-source del MOSFET sia la resistenza di carico esterna collegata al terminale di drain.ⓘ Resistenza di carico totale del MOSFET [R_tl]			+10% -10%
✖La resistenza di uscita si riferisce alla resistenza di un circuito elettronico al flusso di corrente quando un carico è collegato alla sua uscita.ⓘ Resistenza di uscita [R_out]			+10% -10%
✖Un segnale di ingresso di modo comune è un tipo di segnale elettrico che appare ugualmente su entrambi i terminali di ingresso di un amplificatore differenziale.ⓘ Segnale di ingresso in modalità comune [V_cin]			+10% -10%

✖La tensione di uscita è la differenza di potenziale elettrico fornita a un carico da un alimentatore e svolge un ruolo fondamentale nel determinare le prestazioni e l'affidabilità dei sistemi elettronici.ⓘ Tensione al Drain Q2 nel MOSFET [V_out]

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Formula

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Tensione al Drain Q2 nel MOSFET

Formula

`"V"_{"out"} = -("R"_{"tl"}/(2*"R"_{"out"}))*"V"_{"cin"}`

Esempio

`"-73.406667V"=-("7.8kΩ"/(2*"4.5kΩ"))*"84.7V"`

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Tensione al Drain Q2 nel MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione di uscita = -(Resistenza di carico totale del MOSFET/(2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune
V_out = -(R_tl/(2*R_out))*V_cin
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Tensione di uscita - (Misurato in Volt) - La tensione di uscita è la differenza di potenziale elettrico fornita a un carico da un alimentatore e svolge un ruolo fondamentale nel determinare le prestazioni e l'affidabilità dei sistemi elettronici.
Resistenza di carico totale del MOSFET - (Misurato in Ohm) - La resistenza di carico totale del MOSFET include sia la resistenza intrinseca drain-source del MOSFET sia la resistenza di carico esterna collegata al terminale di drain.
Resistenza di uscita - (Misurato in Ohm) - La resistenza di uscita si riferisce alla resistenza di un circuito elettronico al flusso di corrente quando un carico è collegato alla sua uscita.
Segnale di ingresso in modalità comune - (Misurato in Volt) - Un segnale di ingresso di modo comune è un tipo di segnale elettrico che appare ugualmente su entrambi i terminali di ingresso di un amplificatore differenziale.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Resistenza di carico totale del MOSFET: 7.8 Kilohm --> 7800 Ohm (Controlla la conversione qui)
Resistenza di uscita: 4.5 Kilohm --> 4500 Ohm (Controlla la conversione qui)
Segnale di ingresso in modalità comune: 84.7 Volt --> 84.7 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_out = -(R_tl/(2*R_out))*V_cin --> -(7800/(2*4500))*84.7

Valutare ... ...

V_out = -73.4066666666667

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

-73.4066666666667 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

-73.4066666666667 ≈ -73.406667 Volt <-- Tensione di uscita

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 20 Voltaggio Calcolatrici

Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source

Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Tensione di uscita del gate comune

Partire Tensione di uscita = -(Transconduttanza*Tensione critica)*((Resistenza al carico*Resistenza al cancello)/(Resistenza al cancello+Resistenza al carico))

Tensione di ingresso della sorgente

Partire Tensione di ingresso della sorgente = Tensione di ingresso*(Resistenza dell'amplificatore di ingresso/(Resistenza dell'amplificatore di ingresso+Resistenza della sorgente equivalente))

Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET dato il segnale di modo comune

Partire Tensione di scarico Q1 = -Resistenza di uscita*(Transconduttanza*Segnale di ingresso in modalità comune)/(1+(2*Transconduttanza*Resistenza di uscita))

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale

Partire Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+sqrt((2*Corrente di polarizzazione CC)/(Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni))

Tensione gate-to-source in ingresso

Partire Tensione critica = (Resistenza dell'amplificatore di ingresso/(Resistenza dell'amplificatore di ingresso+Resistenza della sorgente equivalente))*Tensione di ingresso

Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET dato il segnale di modo comune

Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita/((1/Transconduttanza)+2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso

Partire Tensione gate-source = Corrente di ingresso/(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET

Partire Corrente di ingresso = Tensione gate-source*(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Tensione di overdrive quando il MOSFET funge da amplificatore con resistenza di carico

Partire Transconduttanza = Corrente totale/(Segnale di ingresso in modalità comune-(2*Corrente totale*Resistenza di uscita))

Segnale di tensione incrementale dell'amplificatore differenziale

Partire Segnale di ingresso in modalità comune = (Corrente totale/Transconduttanza)+(2*Corrente totale*Resistenza di uscita)

Tensione al Drain Q1 del MOSFET

Partire Tensione di uscita = -(Resistenza di carico totale del MOSFET/(2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune

Tensione al Drain Q2 nel MOSFET

Partire Tensione di uscita = -(Resistenza di carico totale del MOSFET/(2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune

Tensione di saturazione del MOSFET

Partire Tensione di saturazione di drain e source = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio

Tensione di overdrive

Partire Tensione di overdrive = (2*Assorbimento di corrente)/Transconduttanza

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET sulla tensione di ingresso differenziale data la tensione di overdrive

Partire Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+1.4*Tensione effettiva

Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET

Partire Tensione di scarico Q1 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)

Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET

Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)

Tensione di soglia quando il MOSFET funge da amplificatore

Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva

Tensione di soglia del MOSFET

Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva

Tensione al Drain Q2 nel MOSFET Formula

Tensione di uscita = -(Resistenza di carico totale del MOSFET/(2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune
V_out = -(R_tl/(2*R_out))*V_cin

A cosa serve un MOSFET?

Il transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) è un dispositivo a semiconduttore ampiamente utilizzato per scopi di commutazione e per l'amplificazione di segnali elettronici in dispositivi elettronici.

Quali sono i tipi di MOSFET?

Esistono due classi di MOSFET. C'è la modalità di esaurimento e c'è la modalità di miglioramento. Ogni classe è disponibile come canale n o p, per un totale di quattro tipi di MOSFET. La modalità di esaurimento è disponibile in una N o P e una modalità di miglioramento è disponibile in una N o in una P.

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