शरीर प्रभाव गुणांक कॅल्क्युलेटर

✖ट्रान्झिस्टरचा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज हा स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्स दरम्यान चालणारा मार्ग तयार करण्यासाठी आवश्यक असलेल्या स्त्रोत व्होल्टेजचे किमान गेट आहे.ⓘ थ्रेशोल्ड व्होल्टेज [V_t]			+10% -10%
✖थ्रेशोल्ड व्होल्टेज dibl ची व्याख्या बॉडी पोटेंशिअलच्या स्त्रोत जंक्शनद्वारे आवश्यक किमान व्होल्टेज म्हणून केली जाते, जेव्हा स्त्रोत शरीर संभाव्यतेवर असतो.ⓘ थ्रेशोल्ड व्होल्टेज DIBL [V_t0]			+10% -10%
✖पातळ-फिल्म ट्रान्झिस्टरच्या DC गुणधर्माचे मूल्यमापन करण्यासाठी पृष्ठभाग संभाव्यता हे एक महत्त्वाचे पॅरामीटर आहे.ⓘ पृष्ठभाग संभाव्य [Φ_s]			+10% -10%
✖स्रोत बॉडी पोटेंशिअल फरक मोजला जातो जेव्हा बाह्यरित्या लागू केलेली क्षमता ऑक्साईड स्तरावरील व्होल्टेज ड्रॉप आणि सेमीकंडक्टरवरील व्होल्टेज ड्रॉपच्या बेरजेइतकी असते.ⓘ स्त्रोत शरीर संभाव्य फरक [V_sb]			+10% -10%

✖बॉडी इफेक्ट गुणांक म्हणजे थ्रेशोल्ड व्होल्टेजच्या बदलामुळे प्रवाहामध्ये स्त्रोत-बल्क व्होल्टेजचा प्रभाव.ⓘ शरीर प्रभाव गुणांक [γ]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

शरीर प्रभाव गुणांक

सुत्र

`"γ" = "modulus"(("V"_{"t"}-"V"_{"t0"})/(sqrt("Φ"_{"s"}+("V"_{"sb"}))-sqrt("Φ"_{"s"})))`

उदाहरण

`"1.169855"="modulus"(("0.3V"-"0.59V")/(sqrt("6.86V"+("1.36V"))-sqrt("6.86V")))`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा इलेक्ट्रॉनिक्स सुत्र PDF PDF Image

शरीर प्रभाव गुणांक उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

शरीर प्रभाव गुणांक = modulus((थ्रेशोल्ड व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज DIBL)/(sqrt(पृष्ठभाग संभाव्य+(स्त्रोत शरीर संभाव्य फरक))-sqrt(पृष्ठभाग संभाव्य)))
γ = modulus((V_t-V_t0)/(sqrt(Φ_s+(V_sb))-sqrt(Φ_s)))
हे सूत्र 2 कार्ये, 5 व्हेरिएबल्स वापरते

कार्ये वापरली

sqrt - स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते., sqrt(Number)
modulus - जेव्हा ती संख्या दुसऱ्या संख्येने भागली जाते तेव्हा संख्येचे मापांक उरते., modulus

व्हेरिएबल्स वापरलेले

शरीर प्रभाव गुणांक - बॉडी इफेक्ट गुणांक म्हणजे थ्रेशोल्ड व्होल्टेजच्या बदलामुळे प्रवाहामध्ये स्त्रोत-बल्क व्होल्टेजचा प्रभाव.
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ट्रान्झिस्टरचा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज हा स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्स दरम्यान चालणारा मार्ग तयार करण्यासाठी आवश्यक असलेल्या स्त्रोत व्होल्टेजचे किमान गेट आहे.
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज DIBL - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - थ्रेशोल्ड व्होल्टेज dibl ची व्याख्या बॉडी पोटेंशिअलच्या स्त्रोत जंक्शनद्वारे आवश्यक किमान व्होल्टेज म्हणून केली जाते, जेव्हा स्त्रोत शरीर संभाव्यतेवर असतो.
पृष्ठभाग संभाव्य - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - पातळ-फिल्म ट्रान्झिस्टरच्या DC गुणधर्माचे मूल्यमापन करण्यासाठी पृष्ठभाग संभाव्यता हे एक महत्त्वाचे पॅरामीटर आहे.
स्त्रोत शरीर संभाव्य फरक - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - स्रोत बॉडी पोटेंशिअल फरक मोजला जातो जेव्हा बाह्यरित्या लागू केलेली क्षमता ऑक्साईड स्तरावरील व्होल्टेज ड्रॉप आणि सेमीकंडक्टरवरील व्होल्टेज ड्रॉपच्या बेरजेइतकी असते.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: 0.3 व्होल्ट --> 0.3 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज DIBL: 0.59 व्होल्ट --> 0.59 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
पृष्ठभाग संभाव्य: 6.86 व्होल्ट --> 6.86 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
स्त्रोत शरीर संभाव्य फरक: 1.36 व्होल्ट --> 1.36 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

γ = modulus((V_t-V_t0)/(sqrt(Φ_s+(V_sb))-sqrt(Φ_s))) --> modulus((0.3-0.59)/(sqrt(6.86+(1.36))-sqrt(6.86)))

मूल्यांकन करत आहे ... ...

γ = 1.16985454290539

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

1.16985454290539 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

1.16985454290539 ≈ 1.169855 <-- शरीर प्रभाव गुणांक

(गणना 00.007 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » व्हीएलएसआय फॅब्रिकेशन » VLSI मटेरियल ऑप्टिमायझेशन » शरीर प्रभाव गुणांक

जमा

ने निर्मित शोभित दिमरी

बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान (बीटीकेआयटी), द्वाराहाट

शोभित दिमरी यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 900+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड

विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 25 VLSI मटेरियल ऑप्टिमायझेशन कॅल्क्युलेटर

बल्क डिप्लीशन रिजन चार्ज डेन्सिटी VLSI

जा बल्क डिप्लीशन क्षेत्र चार्ज घनता = -(1-((स्त्रोतासह क्षीणता क्षेत्राची बाजूकडील विस्तार+नाल्यासह क्षीणता प्रदेशाचा पार्श्व विस्तार)/(2*चॅनेलची लांबी)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*स्वीकारणारा एकाग्रता*abs(2*पृष्ठभाग संभाव्य))

शरीर प्रभाव गुणांक

जा शरीर प्रभाव गुणांक = modulus((थ्रेशोल्ड व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज DIBL)/(sqrt(पृष्ठभाग संभाव्य+(स्त्रोत शरीर संभाव्य फरक))-sqrt(पृष्ठभाग संभाव्य)))

स्रोत VLSI सह PN जंक्शन डिप्लेशन डेप्थ

जा स्रोतासह Pn जंक्शन डिप्लेशन डेप्थ = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज)/([Charge-e]*स्वीकारणारा एकाग्रता))

जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज VLSI

जा जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज = ([BoltZ]*तापमान/[Charge-e])*ln(स्वीकारणारा एकाग्रता*दात्याची एकाग्रता/(आंतरिक एकाग्रता)^2)

एकूण स्त्रोत परजीवी कॅपेसिटन्स

जा स्त्रोत परजीवी क्षमता = (शरीर आणि स्त्रोताच्या जंक्शनमधील क्षमता*स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र)+(शरीराच्या जंक्शन आणि बाजूच्या भिंतीमधील क्षमता*स्त्रोत प्रसाराची साइडवॉल परिमिती)

लहान चॅनल संपृक्तता वर्तमान VLSI

जा लहान चॅनेल संपृक्तता वर्तमान = चॅनेल रुंदी*संपृक्तता इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग*प्रति युनिट क्षेत्रफळ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*संपृक्तता ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज

जंक्शन करंट

जा जंक्शन चालू = (स्थिर शक्ती/बेस कलेक्टर व्होल्टेज)-(उप थ्रेशोल्ड वर्तमान+वाद चालू+गेट करंट)

पृष्ठभाग संभाव्य

जा पृष्ठभाग संभाव्य = 2*स्त्रोत शरीर संभाव्य फरक*ln(स्वीकारणारा एकाग्रता/आंतरिक एकाग्रता)

DIBL गुणांक

जा DIBL गुणांक = (थ्रेशोल्ड व्होल्टेज DIBL-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)/स्त्रोत संभाव्यतेसाठी निचरा

थ्रेशोल्ड व्होल्टेज जेव्हा स्त्रोत शरीराच्या संभाव्यतेवर असतो

जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज DIBL = DIBL गुणांक*स्त्रोत संभाव्यतेसाठी निचरा+थ्रेशोल्ड व्होल्टेज

थ्रेशोल्ड व्होल्टेज

जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = गेट टू चॅनल व्होल्टेज-(चॅनल चार्ज/गेट कॅपेसिटन्स)

गेट कॅपेसिटन्स

जा गेट कॅपेसिटन्स = चॅनल चार्ज/(गेट टू चॅनल व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

चॅनेल शुल्क

जा चॅनल चार्ज = गेट कॅपेसिटन्स*(गेट टू चॅनल व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

जा पूर्ण स्केलिंग नंतर ऑक्साइड कॅपेसिटन्स = प्रति युनिट क्षेत्रफळ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*स्केलिंग फॅक्टर

गेट ऑक्साइड कॅपेसिटन्स वापरून गेटची लांबी

जा गेटची लांबी = गेट कॅपेसिटन्स/(गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता*गेट रुंदी)

गेट ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

जा गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता = गेट कॅपेसिटन्स/(गेट रुंदी*गेटची लांबी)

सबथ्रेशोल्ड उतार

जा उप थ्रेशोल्ड उतार = स्त्रोत शरीर संभाव्य फरक*DIBL गुणांक*ln(10)

गंभीर व्होल्टेज

जा गंभीर व्होल्टेज = गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड*चॅनल लांबी ओलांडून इलेक्ट्रिक फील्ड

पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर गेट ऑक्साईडची जाडी

जा पूर्ण स्केलिंग नंतर गेट ऑक्साईड जाडी = गेट ऑक्साईड जाडी/स्केलिंग फॅक्टर

आंतरिक गेट कॅपेसिटन्स

जा एमओएस गेट ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स = एमओएस गेट कॅपेसिटन्स*संक्रमण रुंदी

पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर चॅनेलची लांबी

जा पूर्ण स्केलिंग नंतर चॅनेलची लांबी = चॅनेलची लांबी/स्केलिंग फॅक्टर

पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर जंक्शन डेप्थ

जा पूर्ण स्केलिंग नंतर जंक्शन खोली = जंक्शन खोली/स्केलिंग फॅक्टर

पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर चॅनल रुंदी

जा पूर्ण स्केलिंग नंतर चॅनेल रुंदी = चॅनेल रुंदी/स्केलिंग फॅक्टर

मोसफेटमध्ये गतिशीलता

जा MOSFET मध्ये गतिशीलता = के प्राइम/गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता

के-प्राइम

जा के प्राइम = MOSFET मध्ये गतिशीलता*गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता

शरीर प्रभाव गुणांक सुत्र

शरीर, ट्रान्झिस्टरचे चौथे टर्मिनल थ्रेशोल्ड व्होल्टेज कसे प्रभावित करते?

शरीर हे ट्रान्झिस्टरचे अव्यक्त चौथे टर्मिनल आहे. जेव्हा स्त्रोत आणि शरीरामध्ये व्होल्टेज लागू केले जाते, तेव्हा ते चॅनेल उलट करण्यासाठी आवश्यक शुल्काची मात्रा वाढवते, म्हणून, ते थ्रेशोल्ड व्होल्टेज वाढवते. शरीराचा परिणाम कमकुवत मूल्य पार करण्याचा प्रयत्न करणार्‍या पास ट्रान्झिस्टरच्या कार्यक्षमतेला आणखी कमी करतो.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!