ऑक्साइड व्होल्टेज दिलेल्या ट्रान्झिस्टरमध्ये प्रेरित चॅनेलमधून प्रवाह कॅल्क्युलेटर

✖इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता प्रति युनिट इलेक्ट्रिक फील्डच्या सरासरी प्रवाह गतीची परिमाण म्हणून परिभाषित केली जाते.ⓘ इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता [μ_e]			+10% -10%
✖ऑक्साइड कॅपेसिटन्स हे समांतर-प्लेट कॅपेसिटरचे प्रति युनिट गेट क्षेत्राचे कॅपेसिटन्स आहे.ⓘ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स [C_ox]			+10% -10%
✖चॅनेलची रुंदी ही MOSFET च्या चॅनेलची परिमाणे आहे.ⓘ चॅनेलची रुंदी [W_c]			+10% -10%
✖वाहिनीची लांबी, L, जे दोन -p जंक्शनमधील अंतर आहे.ⓘ चॅनेलची लांबी [L]			+10% -10%
✖ऑक्साईडमधील व्होल्टेज हे ऑक्साईड-सेमीकंडक्टर इंटरफेसवरील चार्जमुळे होते आणि तिसरे टर्म ऑक्साईडमधील चार्ज घनतेमुळे होते.ⓘ ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज [V_ox]			+10% -10%
✖ट्रान्झिस्टरचे थ्रेशोल्ड व्होल्टेज हे स्त्रोत व्होल्टेजचे किमान गेट आहे जे स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्स दरम्यान एक प्रवाहकीय मार्ग तयार करण्यासाठी आवश्यक आहे.ⓘ थ्रेशोल्ड व्होल्टेज [V_t]			+10% -10%
✖ट्रान्झिस्टरमधील ड्रेन आणि स्त्रोत यांच्यातील संपृक्तता व्होल्टेज हे संपृक्ततेसाठी आवश्यक असलेले कलेक्टर आणि एमिटरचे व्होल्टेज आहे.ⓘ ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान संपृक्तता व्होल्टेज [V_ds]			+10% -10%

✖आउटपुट करंट म्हणजे अॅम्प्लिफायर सिग्नल स्रोतातून काढतो.ⓘ ऑक्साइड व्होल्टेज दिलेल्या ट्रान्झिस्टरमध्ये प्रेरित चॅनेलमधून प्रवाह [i_o]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

ऑक्साइड व्होल्टेज दिलेल्या ट्रान्झिस्टरमध्ये प्रेरित चॅनेलमधून प्रवाह

सुत्र

`"i"_{"o"} = ("μ"_{"e"}*"C"_{"ox"}*("W"_{"c"}/"L")*("V"_{"ox"}-"V"_{"t"}))*"V"_{"ds"}`

उदाहरण

`"14.63474mA"=("0.012m²/V*s"*"0.001F/m²"*("10.15μm"/"3.25μm")*("3.775V"-"2V"))*"220V"`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा ट्रान्झिस्टर अॅम्प्लीफायर वैशिष्ट्ये सूत्रे PDF PDF Image

ऑक्साइड व्होल्टेज दिलेल्या ट्रान्झिस्टरमध्ये प्रेरित चॅनेलमधून प्रवाह उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

आउटपुट वर्तमान = (इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी)*(ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))*ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान संपृक्तता व्होल्टेज
i_o = (μ_e*C_ox*(W_c/L)*(V_ox-V_t))*V_ds
हे सूत्र 8 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

आउटपुट वर्तमान - (मध्ये मोजली अँपिअर) - आउटपुट करंट म्हणजे अॅम्प्लिफायर सिग्नल स्रोतातून काढतो.
इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता प्रति युनिट इलेक्ट्रिक फील्डच्या सरासरी प्रवाह गतीची परिमाण म्हणून परिभाषित केली जाते.
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फराड प्रति चौरस मीटर) - ऑक्साइड कॅपेसिटन्स हे समांतर-प्लेट कॅपेसिटरचे प्रति युनिट गेट क्षेत्राचे कॅपेसिटन्स आहे.
चॅनेलची रुंदी - (मध्ये मोजली मीटर) - चॅनेलची रुंदी ही MOSFET च्या चॅनेलची परिमाणे आहे.
चॅनेलची लांबी - (मध्ये मोजली मीटर) - वाहिनीची लांबी, L, जे दोन -p जंक्शनमधील अंतर आहे.
ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ऑक्साईडमधील व्होल्टेज हे ऑक्साईड-सेमीकंडक्टर इंटरफेसवरील चार्जमुळे होते आणि तिसरे टर्म ऑक्साईडमधील चार्ज घनतेमुळे होते.
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ट्रान्झिस्टरचे थ्रेशोल्ड व्होल्टेज हे स्त्रोत व्होल्टेजचे किमान गेट आहे जे स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्स दरम्यान एक प्रवाहकीय मार्ग तयार करण्यासाठी आवश्यक आहे.
ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान संपृक्तता व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ट्रान्झिस्टरमधील ड्रेन आणि स्त्रोत यांच्यातील संपृक्तता व्होल्टेज हे संपृक्ततेसाठी आवश्यक असलेले कलेक्टर आणि एमिटरचे व्होल्टेज आहे.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता: 0.012 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद --> 0.012 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स: 0.001 फराड प्रति चौरस मीटर --> 0.001 फराड प्रति चौरस मीटर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चॅनेलची रुंदी: 10.15 मायक्रोमीटर --> 1.015E-05 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
चॅनेलची लांबी: 3.25 मायक्रोमीटर --> 3.25E-06 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज: 3.775 व्होल्ट --> 3.775 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: 2 व्होल्ट --> 2 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान संपृक्तता व्होल्टेज: 220 व्होल्ट --> 220 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

i_o = (μ_e*C_ox*(W_c/L)*(V_ox-V_t))*V_ds --> (0.012*0.001*(1.015E-05/3.25E-06)*(3.775-2))*220

मूल्यांकन करत आहे ... ...

i_o = 0.0146347384615385

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

0.0146347384615385 अँपिअर -->14.6347384615385 मिलीअँपिअर (रूपांतरण तपासा येथे)

अंतिम उत्तर

14.6347384615385 ≈ 14.63474 मिलीअँपिअर <-- आउटपुट वर्तमान

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » अॅम्प्लीफायर » ट्रान्झिस्टर अ‍ॅम्पलीफायर्स » ट्रान्झिस्टर अॅम्प्लीफायर वैशिष्ट्ये » ऑक्साइड व्होल्टेज दिलेल्या ट्रान्झिस्टरमध्ये प्रेरित चॅनेलमधून प्रवाह

जमा

ने निर्मित पायल प्रिया

बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी

पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड

विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 18 ट्रान्झिस्टर अॅम्प्लीफायर वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

ऑक्साइड व्होल्टेज दिलेल्या ट्रान्झिस्टरमध्ये प्रेरित चॅनेलमधून प्रवाह

जा आउटपुट वर्तमान = (इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी)*(ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))*ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान संपृक्तता व्होल्टेज

MOSFET Transconductance चे एकूण प्रभावी व्होल्टेज

जा प्रभावी व्होल्टेज = sqrt(2*संपृक्तता निचरा वर्तमान/(प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी)))

एमओएस ट्रान्झिस्टरचे ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर

जा ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = ड्रेन करंट/((ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)*गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज)

ड्रेन आणि स्त्रोत यांच्यातील व्होल्टेज वापरून तात्काळ ड्रेन करंट

जा ड्रेन करंट = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)*गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज

संपृक्ततेवर MOSFET चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल

जा संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी)*(प्रभावी व्होल्टेज)^2

इनपुट व्होल्टेज दिलेला सिग्नल व्होल्टेज

जा मूलभूत घटक व्होल्टेज = (मर्यादित इनपुट प्रतिकार/(मर्यादित इनपुट प्रतिकार+सिग्नल प्रतिकार))*लहान सिग्नल व्होल्टेज

ट्रान्झिस्टर एम्पलीफायर्सचे ट्रान्सकंडक्टन्स

जा MOSFET प्राथमिक ट्रान्सकंडक्टन्स = (2*ड्रेन करंट)/(ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

ट्रान्झिस्टरचा प्रवाह काढून टाका

जा ड्रेन करंट = (मूलभूत घटक व्होल्टेज+एकूण तात्काळ ड्रेन व्होल्टेज)/निचरा प्रतिकार

ट्रान्झिस्टरमध्ये इनपुट व्होल्टेज

जा मूलभूत घटक व्होल्टेज = निचरा प्रतिकार*ड्रेन करंट-एकूण तात्काळ ड्रेन व्होल्टेज

एकूण तात्काळ ड्रेन व्होल्टेज

जा एकूण तात्काळ ड्रेन व्होल्टेज = मूलभूत घटक व्होल्टेज-निचरा प्रतिकार*ड्रेन करंट

ट्रान्झिस्टर अॅम्प्लिफायरचे कलेक्टर करंट वापरून ट्रान्सकंडक्टन्स

जा MOSFET प्राथमिक ट्रान्सकंडक्टन्स = जिल्हाधिकारी वर्तमान/थ्रेशोल्ड व्होल्टेज

दिलेला इनपुट सिग्नल एमिटरमध्ये सिग्नल करंट

जा एमिटरमध्ये सिग्नल करंट = मूलभूत घटक व्होल्टेज/उत्सर्जक प्रतिकार

टेस्ट-व्होल्टेज दिलेल्या कॉमन गेट सर्किटचा आउटपुट रेझिस्टन्स

जा मर्यादित आउटपुट प्रतिकार = चाचणी व्होल्टेज/चाचणी वर्तमान

ट्रान्झिस्टर अॅम्प्लीफायरचे अॅम्प्लीफायर इनपुट

जा अॅम्प्लीफायर इनपुट = इनपुट प्रतिकार*इनपुट वर्तमान

अॅम्प्लीफायरचा DC वर्तमान लाभ

जा डीसी वर्तमान लाभ = जिल्हाधिकारी वर्तमान/बेस करंट

कॉमन-कलेक्टर अॅम्प्लीफायरचा इनपुट रेझिस्टन्स

जा इनपुट प्रतिकार = मूलभूत घटक व्होल्टेज/बेस करंट

ट्रान्झिस्टर अॅम्प्लीफायरची चाचणी करंट

जा चाचणी वर्तमान = चाचणी व्होल्टेज/इनपुट प्रतिकार

कॉमन-गेट सर्किटचे इनपुट प्रतिरोध

जा इनपुट प्रतिकार = चाचणी व्होल्टेज/चाचणी वर्तमान

ऑक्साइड व्होल्टेज दिलेल्या ट्रान्झिस्टरमध्ये प्रेरित चॅनेलमधून प्रवाह सुत्र

एनएमओएस ट्रान्झिस्टरचे कार्य स्पष्ट करा.

एनएमओएस ट्रान्झिस्टर ओलांडून गॅस सोर्स> थ्रेशोल्ड व्होल्टेज आणि ड्रेन आणि स्रोत दरम्यान एक लहान व्होल्टेज. डिव्हाइस प्रतिकार म्हणून कार्य करते ज्याचे मूल्य गॅस स्त्रोतावरील व्होल्टेजद्वारे निर्धारित केले जाते. विशेषतः, वाहिनीचे प्रवाह वाहक स्त्रोताच्या (ओलांडून) थ्रेशोल्ड व्होल्टेजचे प्रमाणित असतात आणि अशा प्रकारे आयडी नाली व स्त्रोतामधील व्होल्टेजच्या प्रमाणात (गॅस स्त्रोताच्या ओलांड्यात - थ्रेशोल्ड व्होल्टेज) व्होल्टेजच्या प्रमाणात असते.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!