कणाची इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता कॅल्क्युलेटर

✖विखुरलेल्या कणाचा प्रवाह वेग विद्युत क्षेत्रामुळे एखाद्या पदार्थात इलेक्ट्रॉनसारख्या चार्ज केलेल्या कणांद्वारे प्राप्त केलेला सरासरी वेग म्हणून परिभाषित केला जातो.ⓘ विखुरलेल्या कणाचा प्रवाह वेग [ν_d]			+10% -10%
✖इलेक्ट्रिक फील्ड इंटेन्सिटी ही एक वेक्टर मात्रा आहे ज्याची परिमाण आणि दिशा दोन्ही आहेत. हे चाचणी चार्ज कणावर उपस्थित असलेल्या चार्जच्या प्रमाणावर अवलंबून असते.ⓘ इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता [E]			+10% -10%

✖इलेक्ट्रोफोरेटिक मोबिलिटी म्हणजे ज्या ठिकाणी वेग मोजला जातो त्या ठिकाणी इलेक्ट्रोफोरेटिक (ड्रिफ्ट) वेग आणि विद्युत क्षेत्राच्या सामर्थ्याचे गुणोत्तर म्हणून परिभाषित केले जाते.ⓘ कणाची इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता [μ_e]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

कणाची इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता

सुत्र

`"μ"_{"e"} = "ν"_{"d"}/"E"`

उदाहरण

`"0.138889m²/V*s"="5m/s"/"36V/m"`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा पृष्ठभाग रसायनशास्त्र सुत्र PDF PDF Image

कणाची इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता = विखुरलेल्या कणाचा प्रवाह वेग/इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता
μ_e = ν_d/E
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - इलेक्ट्रोफोरेटिक मोबिलिटी म्हणजे ज्या ठिकाणी वेग मोजला जातो त्या ठिकाणी इलेक्ट्रोफोरेटिक (ड्रिफ्ट) वेग आणि विद्युत क्षेत्राच्या सामर्थ्याचे गुणोत्तर म्हणून परिभाषित केले जाते.
विखुरलेल्या कणाचा प्रवाह वेग - (मध्ये मोजली मीटर प्रति सेकंद) - विखुरलेल्या कणाचा प्रवाह वेग विद्युत क्षेत्रामुळे एखाद्या पदार्थात इलेक्ट्रॉनसारख्या चार्ज केलेल्या कणांद्वारे प्राप्त केलेला सरासरी वेग म्हणून परिभाषित केला जातो.
इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता - (मध्ये मोजली व्होल्ट प्रति मीटर) - इलेक्ट्रिक फील्ड इंटेन्सिटी ही एक वेक्टर मात्रा आहे ज्याची परिमाण आणि दिशा दोन्ही आहेत. हे चाचणी चार्ज कणावर उपस्थित असलेल्या चार्जच्या प्रमाणावर अवलंबून असते.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

विखुरलेल्या कणाचा प्रवाह वेग: 5 मीटर प्रति सेकंद --> 5 मीटर प्रति सेकंद कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता: 36 व्होल्ट प्रति मीटर --> 36 व्होल्ट प्रति मीटर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

μ_e = ν_d/E --> 5/36

मूल्यांकन करत आहे ... ...

μ_e = 0.138888888888889

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

0.138888888888889 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

0.138888888888889 ≈ 0.138889 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद <-- इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » रसायनशास्त्र » पृष्ठभाग रसायनशास्त्र » सर्फॅक्टंट सोल्युशन्समध्ये कोलाइडल स्ट्रक्चर्स » इलेक्ट्रोफोरेसीस आणि इतर इलेक्ट्रोकिनेटिक्स घटना » कणाची इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता

जमा

ने निर्मित प्रतिभा

एमिटी इन्स्टिट्यूट ऑफ अप्लाइड सायन्सेस (एआयएएस, एमिटी युनिव्हर्सिटी), नोएडा, भारत

प्रतिभा यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 100+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित सूपायन बॅनर्जी

राष्ट्रीय न्यायिक विज्ञान विद्यापीठ (NUJS), कोलकाता

सूपायन बॅनर्जी यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 800+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 7 इलेक्ट्रोफोरेसीस आणि इतर इलेक्ट्रोकिनेटिक्स घटना कॅल्क्युलेटर

स्मोलुचोव्स्की समीकरण वापरून झिटा पोटेंशिअल दिलेली सॉल्व्हेंटची स्निग्धता

जा लिक्विडची डायनॅमिक व्हिस्कोसिटी = (झेटा पोटेंशियल*सॉल्व्हेंटची सापेक्ष परवानगी)/(4*pi*आयनिक गतिशीलता)

स्मोलुचोव्स्की समीकरण वापरून आयोनिक मोबिलिटी झेटा पोटेंशिअल दिली

जा आयनिक गतिशीलता = (झेटा पोटेंशियल*सॉल्व्हेंटची सापेक्ष परवानगी)/(4*pi*लिक्विडची डायनॅमिक व्हिस्कोसिटी)

झेटा पोटेंशियल दिलेला सॉल्व्हेंटची सापेक्ष परवानगी

जा सॉल्व्हेंटची सापेक्ष परवानगी = (4*pi*लिक्विडची डायनॅमिक व्हिस्कोसिटी*आयनिक गतिशीलता)/झेटा पोटेंशियल

Smoluchowski समीकरण वापरून Zeta Potential

जा झेटा पोटेंशियल = (4*pi*लिक्विडची डायनॅमिक व्हिस्कोसिटी*आयनिक गतिशीलता)/सॉल्व्हेंटची सापेक्ष परवानगी

इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता दिलेल्या विखुरलेल्या कणाचा प्रवाह वेग

जा विखुरलेल्या कणाचा प्रवाह वेग = इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता

इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता दिलेली इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता

जा इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता = विखुरलेल्या कणाचा प्रवाह वेग/इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता

कणाची इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता

जा इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता = विखुरलेल्या कणाचा प्रवाह वेग/इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता

< 16 कोलॉइड्सचे महत्त्वाचे सूत्र कॅल्क्युलेटर

पृष्ठभाग एन्थाल्पी दिलेले गंभीर तापमान

जा पृष्ठभाग एन्थॅल्पी = (प्रत्येक द्रवासाठी स्थिर)*(1-(तापमान/गंभीर तापमान))^(अनुभवजन्य घटक-1)*(1+((अनुभवजन्य घटक-1)*(तापमान/गंभीर तापमान)))

गंभीर तापमान दिलेले पृष्ठभाग एन्ट्रॉपी

जा पृष्ठभाग एन्ट्रॉपी = अनुभवजन्य घटक*प्रत्येक द्रवासाठी स्थिर*(1-(तापमान/गंभीर तापमान))^(अनुभवजन्य घटक)-(1/गंभीर तापमान)

स्मोलुचोव्स्की समीकरण वापरून आयोनिक मोबिलिटी झेटा पोटेंशिअल दिली

Smoluchowski समीकरण वापरून Zeta Potential

गंभीर मायसेल एकाग्रता दिलेल्या सर्फॅक्टंटच्या मोल्सची संख्या

जा सर्फॅक्टंटच्या मोल्सची संख्या = (Surfactant एकूण एकाग्रता-गंभीर Micelle एकाग्रता)/Micelle च्या एकत्रीकरणाची पदवी

Micellar कोर त्रिज्या दिलेला Micellar एकत्रीकरण क्रमांक

जा Micelle कोर त्रिज्या = ((Micellar एकत्रीकरण क्रमांक*3*हायड्रोफोबिक टेलचे प्रमाण)/(4*pi))^(1/3)

हायड्रोफोबिक टेलची मात्रा दिलेला मायसेलर एग्रीगेशन नंबर

जा हायड्रोफोबिक टेलचे प्रमाण = ((4/3)*pi*(Micelle कोर त्रिज्या^3))/Micellar एकत्रीकरण क्रमांक

Micellar एकत्रीकरण क्रमांक

जा Micellar एकत्रीकरण क्रमांक = ((4/3)*pi*(Micelle कोर त्रिज्या^3))/हायड्रोफोबिक टेलचे प्रमाण

गंभीर पॅकिंग पॅरामीटर

जा गंभीर पॅकिंग पॅरामीटर = सर्फॅक्टंट टेल व्हॉल्यूम/(इष्टतम क्षेत्र*शेपटीची लांबी)

n बेलनाकार कणांच्या अॅरेसाठी विशिष्ट पृष्ठभागाचे क्षेत्रफळ

जा विशिष्ट पृष्ठभाग क्षेत्र = (2/घनता)*((1/सिलेंडर त्रिज्या)+(1/लांबी))

कणाची इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता

पृष्ठभागाची चिकटपणा

जा पृष्ठभागाची चिकटपणा = डायनॅमिक व्हिस्कोसिटी/पृष्ठभागाच्या टप्प्याची जाडी

विशिष्ट पृष्ठभागाचे क्षेत्रफळ

जा विशिष्ट पृष्ठभाग क्षेत्र = 3/(घनता*गोलाची त्रिज्या)

टॅनफोर्ड समीकरण वापरून हायड्रोकार्बन टेलची गंभीर साखळी लांबी

जा हायड्रोकार्बन शेपटीची गंभीर साखळी लांबी = (0.154+(0.1265*कार्बन अणूंची संख्या))

हायड्रोकार्बनची गंभीर साखळी लांबी दिलेल्या कार्बन अणूंची संख्या

जा कार्बन अणूंची संख्या = (हायड्रोकार्बन शेपटीची गंभीर साखळी लांबी-0.154)/0.1265

टॅनफोर्ड समीकरण वापरून हायड्रोकार्बन साखळीची मात्रा

जा Micelle कोर खंड = (27.4+(26.9*कार्बन अणूंची संख्या))*(10^(-3))

कणाची इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता सुत्र

इलेक्ट्रोफोरेटिक गतिशीलता = विखुरलेल्या कणाचा प्रवाह वेग/इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता
μ_e = ν_d/E

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!