गेट ऑक्साइड कॅपेसिटन्स वापरून गेटची लांबी उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
गेटची लांबी = गेट कॅपेसिटन्स/(गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता*गेट रुंदी)
Lg = Cg/(Cox*Wg)
हे सूत्र 4 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
गेटची लांबी - (मध्ये मोजली मीटर) - गेटची लांबी म्हणजे एखाद्या गोष्टीचे टोकापासून टोकापर्यंतचे मोजमाप किंवा विस्तार.
गेट कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फॅरड) - गेट कॅपेसिटन्स हे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरच्या गेट टर्मिनलचे कॅपॅसिटन्स आहे.
गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता - (मध्ये मोजली फराड प्रति चौरस मीटर) - फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरच्या गेट टर्मिनलची कॅपेसिटन्स म्हणून गेट ऑक्साइड लेयरची कॅपेसिटन्स परिभाषित केली जाते.
गेट रुंदी - (मध्ये मोजली मीटर) - गेटची रुंदी म्हणजे मेटल गेट इलेक्ट्रोडच्या काठाच्या आणि सीएमओएसमधील समीप असलेल्या सेमीकंडक्टर सामग्रीमधील अंतर.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
गेट कॅपेसिटन्स: 59.61 मायक्रोफरॅड --> 5.961E-05 फॅरड (रूपांतरण तपासा ​येथे)
गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता: 29.83 मायक्रोफरॅड प्रति चौरस मिलिमीटर --> 29.83 फराड प्रति चौरस मीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
गेट रुंदी: 0.285 मिलिमीटर --> 0.000285 मीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Lg = Cg/(Cox*Wg) --> 5.961E-05/(29.83*0.000285)
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Lg = 0.00701166257917674
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
0.00701166257917674 मीटर -->7.01166257917674 मिलिमीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
7.01166257917674 7.011663 मिलिमीटर <-- गेटची लांबी
(गणना 00.020 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित शोभित दिमरी
बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान (बीटीकेआयटी), द्वाराहाट
शोभित दिमरी यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 900+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड
विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

25 VLSI मटेरियल ऑप्टिमायझेशन कॅल्क्युलेटर

बल्क डिप्लीशन रिजन चार्ज डेन्सिटी VLSI
​ जा बल्क डिप्लीशन क्षेत्र चार्ज घनता = -(1-((स्त्रोतासह क्षीणता क्षेत्राची बाजूकडील विस्तार+नाल्यासह क्षीणता प्रदेशाचा पार्श्व विस्तार)/(2*चॅनेलची लांबी)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*स्वीकारणारा एकाग्रता*abs(2*पृष्ठभाग संभाव्य))
शरीर प्रभाव गुणांक
​ जा शरीर प्रभाव गुणांक = modulus((थ्रेशोल्ड व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज DIBL)/(sqrt(पृष्ठभाग संभाव्य+(स्त्रोत शरीर संभाव्य फरक))-sqrt(पृष्ठभाग संभाव्य)))
स्रोत VLSI सह PN जंक्शन डिप्लेशन डेप्थ
​ जा स्रोतासह Pn जंक्शन डिप्लेशन डेप्थ = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज)/([Charge-e]*स्वीकारणारा एकाग्रता))
जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज VLSI
​ जा जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज = ([BoltZ]*तापमान/[Charge-e])*ln(स्वीकारणारा एकाग्रता*दात्याची एकाग्रता/(आंतरिक एकाग्रता)^2)
एकूण स्त्रोत परजीवी कॅपेसिटन्स
​ जा स्त्रोत परजीवी क्षमता = (शरीर आणि स्त्रोताच्या जंक्शनमधील क्षमता*स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र)+(शरीराच्या जंक्शन आणि बाजूच्या भिंतीमधील क्षमता*स्त्रोत प्रसाराची साइडवॉल परिमिती)
लहान चॅनल संपृक्तता वर्तमान VLSI
​ जा लहान चॅनेल संपृक्तता वर्तमान = चॅनेल रुंदी*संपृक्तता इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग*प्रति युनिट क्षेत्रफळ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*संपृक्तता ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज
जंक्शन करंट
​ जा जंक्शन चालू = (स्थिर शक्ती/बेस कलेक्टर व्होल्टेज)-(उप थ्रेशोल्ड वर्तमान+वाद चालू+गेट करंट)
पृष्ठभाग संभाव्य
​ जा पृष्ठभाग संभाव्य = 2*स्त्रोत शरीर संभाव्य फरक*ln(स्वीकारणारा एकाग्रता/आंतरिक एकाग्रता)
DIBL गुणांक
​ जा DIBL गुणांक = (थ्रेशोल्ड व्होल्टेज DIBL-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)/स्त्रोत संभाव्यतेसाठी निचरा
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज जेव्हा स्त्रोत शरीराच्या संभाव्यतेवर असतो
​ जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज DIBL = DIBL गुणांक*स्त्रोत संभाव्यतेसाठी निचरा+थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
​ जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = गेट टू चॅनल व्होल्टेज-(चॅनल चार्ज/गेट कॅपेसिटन्स)
गेट कॅपेसिटन्स
​ जा गेट कॅपेसिटन्स = चॅनल चार्ज/(गेट टू चॅनल व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)
चॅनेल शुल्क
​ जा चॅनल चार्ज = गेट कॅपेसिटन्स*(गेट टू चॅनल व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)
पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
​ जा पूर्ण स्केलिंग नंतर ऑक्साइड कॅपेसिटन्स = प्रति युनिट क्षेत्रफळ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*स्केलिंग फॅक्टर
गेट ऑक्साइड कॅपेसिटन्स वापरून गेटची लांबी
​ जा गेटची लांबी = गेट कॅपेसिटन्स/(गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता*गेट रुंदी)
गेट ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
​ जा गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता = गेट कॅपेसिटन्स/(गेट रुंदी*गेटची लांबी)
सबथ्रेशोल्ड उतार
​ जा उप थ्रेशोल्ड उतार = स्त्रोत शरीर संभाव्य फरक*DIBL गुणांक*ln(10)
गंभीर व्होल्टेज
​ जा गंभीर व्होल्टेज = गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड*चॅनल लांबी ओलांडून इलेक्ट्रिक फील्ड
पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर गेट ऑक्साईडची जाडी
​ जा पूर्ण स्केलिंग नंतर गेट ऑक्साईड जाडी = गेट ऑक्साईड जाडी/स्केलिंग फॅक्टर
आंतरिक गेट कॅपेसिटन्स
​ जा एमओएस गेट ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स = एमओएस गेट कॅपेसिटन्स*संक्रमण रुंदी
पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर चॅनेलची लांबी
​ जा पूर्ण स्केलिंग नंतर चॅनेलची लांबी = चॅनेलची लांबी/स्केलिंग फॅक्टर
पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर जंक्शन डेप्थ
​ जा पूर्ण स्केलिंग नंतर जंक्शन खोली = जंक्शन खोली/स्केलिंग फॅक्टर
पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर चॅनल रुंदी
​ जा पूर्ण स्केलिंग नंतर चॅनेल रुंदी = चॅनेल रुंदी/स्केलिंग फॅक्टर
मोसफेटमध्ये गतिशीलता
​ जा MOSFET मध्ये गतिशीलता = के प्राइम/गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता
के-प्राइम
​ जा के प्राइम = MOSFET मध्ये गतिशीलता*गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता

गेट ऑक्साइड कॅपेसिटन्स वापरून गेटची लांबी सुत्र

गेटची लांबी = गेट कॅपेसिटन्स/(गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता*गेट रुंदी)
Lg = Cg/(Cox*Wg)

व्हीएलएसआयमध्ये ऑक्साइड लेयरचे ऍप्लिकेशन काय आहेत?

मधील ऑक्साईड लेयरमध्ये सेमीकंडक्टर उपकरणांमध्ये मुख्य अनुप्रयोग आहेत. हे एमओएस ट्रान्झिस्टरमध्ये गेट इन्सुलेटर म्हणून काम करते, इलेक्ट्रॉन प्रवाहाचे नियंत्रण सक्षम करते. याव्यतिरिक्त, हे विविध घटक आणि इंटरकनेक्ट्स दरम्यान इलेक्ट्रिकल आयसोलेशन लेयर म्हणून कार्य करते, मायक्रोप्रोसेसर, मेमरी डिव्हाइसेस आणि सेन्सर्स सारख्या अनुप्रयोगांमध्ये एकात्मिक सर्किट्सचे विश्वसनीय आणि कार्यक्षम ऑपरेशन सुनिश्चित करते.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!