हिस्टेरेसिसचे नुकसान उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
हिस्टेरेसिसचे नुकसान = हिस्टेरेसिस स्थिर*पुरवठा वारंवारता*(कमाल फ्लक्स घनता^स्टीनमेट्झ गुणांक)*कोरचा खंड
Ph = Kh*f*(Bmax^x)*Vcore
हे सूत्र 6 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
हिस्टेरेसिसचे नुकसान - (मध्ये मोजली वॅट) - हिस्टेरेसिसचे नुकसान म्हणजे चुंबकीय सामग्रीमध्ये अडकलेली ऊर्जा अवशिष्ट चुंबकीकरणाच्या स्वरूपात चुंबकीय क्षेत्राच्या संपर्कात येते.
हिस्टेरेसिस स्थिर - (मध्ये मोजली ज्युल प्रति घनमीटर) - हिस्टेरेसीस स्थिरांक हे स्थिरांक म्हणून परिभाषित केले जाते जे रेले क्षेत्रामध्ये चुंबकीय सामग्री कार्यरत असताना हिस्टेरेसिसचे नुकसान दर्शवते.
पुरवठा वारंवारता - (मध्ये मोजली हर्ट्झ) - पुरवठा वारंवारता म्हणजे इंडक्शन मोटर्स विशिष्ट व्होल्टेज प्रति वारंवारता प्रमाण (V/Hz) साठी डिझाइन केल्या आहेत. व्होल्टेजला पुरवठा व्होल्टेज म्हणतात आणि वारंवारतेला 'पुरवठा वारंवारता' म्हणतात.
कमाल फ्लक्स घनता - (मध्ये मोजली टेस्ला) - कमाल प्रवाह घनता सामग्रीच्या एकक क्षेत्रातून जाणार्‍या बलाच्या रेषांची संख्या म्हणून परिभाषित केली जाते.
स्टीनमेट्झ गुणांक - Steinmetz गुणांक एक स्थिर म्हणून परिभाषित केले जाते जे हिस्टेरेसिस नुकसानांची गणना करण्यासाठी वापरले जाते. त्याचे मूल्य साहित्यानुसार बदलते.
कोरचा खंड - (मध्ये मोजली घन मीटर) - ट्रान्सफॉर्मरचा कोर तयार करण्यासाठी वापरल्या जाणार्‍या सामग्रीचे एकूण खंड म्हणून कोरचे खंड परिभाषित केले जाते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
हिस्टेरेसिस स्थिर: 2.13 ज्युल प्रति घनमीटर --> 2.13 ज्युल प्रति घनमीटर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
पुरवठा वारंवारता: 500 हर्ट्झ --> 500 हर्ट्झ कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
कमाल फ्लक्स घनता: 0.0012 टेस्ला --> 0.0012 टेस्ला कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
स्टीनमेट्झ गुणांक: 1.6 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
कोरचा खंड: 2.32 घन मीटर --> 2.32 घन मीटर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Ph = Kh*f*(Bmax^x)*Vcore --> 2.13*500*(0.0012^1.6)*2.32
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Ph = 0.0524236899426075
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
0.0524236899426075 वॅट --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
अंतिम उत्तर
0.0524236899426075 0.052424 वॅट <-- हिस्टेरेसिसचे नुकसान
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित परमिंदर सिंग
चंदीगड विद्यापीठ (CU), पंजाब
परमिंदर सिंग यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 100+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित रचिता सी
बीएमएस कॉलेज ऑफ इंजिनीअरिंग (BMSCE), बंगलोर
रचिता सी यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

3 नुकसान कॅल्क्युलेटर

हिस्टेरेसिसचे नुकसान
​ जा हिस्टेरेसिसचे नुकसान = हिस्टेरेसिस स्थिर*पुरवठा वारंवारता*(कमाल फ्लक्स घनता^स्टीनमेट्झ गुणांक)*कोरचा खंड
एडी वर्तमान नुकसान
​ जा एडी वर्तमान नुकसान = एडी वर्तमान गुणांक*कमाल फ्लक्स घनता^2*पुरवठा वारंवारता^2*लॅमिनेशन जाडी^2*कोरचा खंड
ट्रान्सफॉर्मर लोखंडी नुकसान
​ जा लोखंडाचे नुकसान = एडी वर्तमान नुकसान+हिस्टेरेसिसचे नुकसान

19 ट्रान्सफॉर्मर डिझाइन कॅल्क्युलेटर

हिस्टेरेसिसचे नुकसान
​ जा हिस्टेरेसिसचे नुकसान = हिस्टेरेसिस स्थिर*पुरवठा वारंवारता*(कमाल फ्लक्स घनता^स्टीनमेट्झ गुणांक)*कोरचा खंड
एडी वर्तमान नुकसान
​ जा एडी वर्तमान नुकसान = एडी वर्तमान गुणांक*कमाल फ्लक्स घनता^2*पुरवठा वारंवारता^2*लॅमिनेशन जाडी^2*कोरचा खंड
प्राथमिक विंडिंगमध्ये EMF प्रेरित कोरचे क्षेत्रफळ
​ जा कोरचे क्षेत्रफळ = EMF प्राथमिक मध्ये प्रेरित/(4.44*पुरवठा वारंवारता*प्राथमिक मध्ये वळणांची संख्या*कमाल फ्लक्स घनता)
प्राथमिक विंडिंगमधील वळणांची संख्या
​ जा प्राथमिक मध्ये वळणांची संख्या = EMF प्राथमिक मध्ये प्रेरित/(4.44*पुरवठा वारंवारता*कोरचे क्षेत्रफळ*कमाल फ्लक्स घनता)
दुय्यम विंडिंगमध्ये EMF प्रेरित कोरचे क्षेत्रफळ
​ जा कोरचे क्षेत्रफळ = EMF माध्यमिक मध्ये प्रेरित/(4.44*पुरवठा वारंवारता*दुय्यम मध्ये वळणांची संख्या*कमाल फ्लक्स घनता)
दुय्यम विंडिंगमधील वळणांची संख्या
​ जा दुय्यम मध्ये वळणांची संख्या = EMF माध्यमिक मध्ये प्रेरित/(4.44*पुरवठा वारंवारता*कोरचे क्षेत्रफळ*कमाल फ्लक्स घनता)
ट्रान्सफॉर्मरचे टक्केवारी नियमन
​ जा ट्रान्सफॉर्मरचे टक्केवारीचे नियमन = ((लोड टर्मिनल व्होल्टेज नाही-पूर्ण लोड टर्मिनल व्होल्टेज)/लोड टर्मिनल व्होल्टेज नाही)*100
प्राथमिक विंडिंग वापरून कोरमध्ये जास्तीत जास्त प्रवाह
​ जा कमाल कोर फ्लक्स = EMF प्राथमिक मध्ये प्रेरित/(4.44*पुरवठा वारंवारता*प्राथमिक मध्ये वळणांची संख्या)
दुय्यम वळण वापरून कोरमध्ये जास्तीत जास्त प्रवाह
​ जा कमाल कोर फ्लक्स = EMF माध्यमिक मध्ये प्रेरित/(4.44*पुरवठा वारंवारता*दुय्यम मध्ये वळणांची संख्या)
इनपुट व्होल्टेज दिलेल्या प्राथमिक विंडिंगमध्ये EMF प्रेरित
​ जा EMF प्राथमिक मध्ये प्रेरित = प्राथमिक व्होल्टेज-प्राथमिक वर्तमान*प्राथमिक च्या impedance
प्राथमिक वळणाचा प्रतिकार, प्राथमिक वळणाचा प्रतिबाधा
​ जा प्राथमिकचा प्रतिकार = sqrt(प्राथमिक च्या impedance^2-प्राथमिक गळती प्रतिक्रिया^2)
दुय्यम वळणाचा प्रतिकार दिलेला दुय्यम वळणाचा प्रतिबाधा
​ जा दुय्यम प्रतिकार = sqrt(माध्यमिक च्या impedance^2-दुय्यम गळती प्रतिक्रिया^2)
ट्रान्सफॉर्मरचे स्टॅकिंग फॅक्टर
​ जा ट्रान्सफॉर्मरचे स्टॅकिंग फॅक्टर = निव्वळ क्रॉस विभागीय क्षेत्र/सकल क्रॉस विभागीय क्षेत्र
ट्रान्सफॉर्मर कोरचा उपयोग घटक
​ जा ट्रान्सफॉर्मर कोरचा उपयोग घटक = निव्वळ क्रॉस विभागीय क्षेत्र/एकूण क्रॉस विभागीय क्षेत्र
प्राथमिक बाजूला स्वयं-प्रेरित EMF
​ जा प्राथमिक मध्ये स्वयं प्रेरित EMF = प्राथमिक गळती प्रतिक्रिया*प्राथमिक वर्तमान
दुय्यम बाजूमध्ये स्वयं-प्रेरित ईएमएफ
​ जा EMF माध्यमिक मध्ये प्रेरित = दुय्यम गळती प्रतिक्रिया*दुय्यम वर्तमान
ट्रान्सफॉर्मर लोखंडी नुकसान
​ जा लोखंडाचे नुकसान = एडी वर्तमान नुकसान+हिस्टेरेसिसचे नुकसान
ट्रान्सफॉर्मरची संपूर्ण दिवस कार्यक्षमतेची टक्केवारी
​ जा दिवसभर कार्यक्षमता = ((आउटपुट ऊर्जा)/(इनपुट एनर्जी))*100
कमाल कोर फ्लक्स
​ जा कमाल कोर फ्लक्स = कमाल फ्लक्स घनता*कोरचे क्षेत्रफळ

हिस्टेरेसिसचे नुकसान सुत्र

हिस्टेरेसिसचे नुकसान = हिस्टेरेसिस स्थिर*पुरवठा वारंवारता*(कमाल फ्लक्स घनता^स्टीनमेट्झ गुणांक)*कोरचा खंड
Ph = Kh*f*(Bmax^x)*Vcore
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!