संपृक्तता प्रदेशात ट्रान्सकंडक्टन्स कॅल्क्युलेटर

✖जेव्हा गेट-स्रोत व्होल्टेज स्थिर ठेवला जातो तेव्हा आउटपुट कंडक्टन्स MOSFET च्या लहान-सिग्नल ड्रेन-सोर्स कंडक्टन्सचे प्रतिनिधित्व करते.ⓘ आउटपुट कंडक्टन्स [G_o]			+10% -10%
✖Schottky Diode Potential Barier हा ऊर्जा अडथळा आहे जो Schottky diode मधील धातू आणि अर्धसंवाहक सामग्री यांच्यातील इंटरफेसमध्ये अस्तित्वात असतो.ⓘ Schottky डायोड संभाव्य अडथळा [V_i]			+10% -10%
✖गेट व्होल्टेज म्हणजे MESFET च्या कंट्रोल टर्मिनलवर त्याच्या कंडक्टन्सचे नियमन करण्यासाठी लागू केलेल्या व्होल्टेजचा संदर्भ आहे. गेट व्होल्टेज चॅनेलमधील विनामूल्य चार्ज वाहकांची संख्या निर्धारित करते.ⓘ गेट व्होल्टेज [V_g]			+10% -10%
✖पिंच ऑफ व्होल्टेज हे गेट व्होल्टेज आहे ज्यावर चॅनल पूर्णपणे पिंच ऑफ होते आणि FETs च्या ऑपरेशनमध्ये हे एक महत्त्वाचे पॅरामीटर आहे. सर्किट डिझाइनमध्ये हे एक महत्त्वाचे पॅरामीटर आहे.ⓘ पिंच ऑफ व्होल्टेज [V_p]			+10% -10%

✖ड्रेन-स्रोत व्होल्टेज स्थिर गृहीत धरून, गेट-स्रोत व्होल्टेजमधील बदल आणि ड्रेन करंटमधील बदलाचे गुणोत्तर म्हणून ट्रान्सकंडक्टन्सची व्याख्या केली जाते.ⓘ संपृक्तता प्रदेशात ट्रान्सकंडक्टन्स [g_m]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

संपृक्तता प्रदेशात ट्रान्सकंडक्टन्स

सुत्र

`"g"_{"m"} = "G"_{"o"}*(1-sqrt(("V"_{"i"}-"V"_{"g"})/"V"_{"p"}))`

उदाहरण

`"0.050963S"="0.174S"*(1-sqrt(("15.9V"-"9.62V")/"12.56V"))`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MESFET वैशिष्ट्ये सूत्रे PDF PDF Image

संपृक्तता प्रदेशात ट्रान्सकंडक्टन्स उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

Transconductance = आउटपुट कंडक्टन्स*(1-sqrt((Schottky डायोड संभाव्य अडथळा-गेट व्होल्टेज)/पिंच ऑफ व्होल्टेज))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))
हे सूत्र 1 कार्ये, 5 व्हेरिएबल्स वापरते

कार्ये वापरली

sqrt - स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते., sqrt(Number)

व्हेरिएबल्स वापरलेले

Transconductance - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - ड्रेन-स्रोत व्होल्टेज स्थिर गृहीत धरून, गेट-स्रोत व्होल्टेजमधील बदल आणि ड्रेन करंटमधील बदलाचे गुणोत्तर म्हणून ट्रान्सकंडक्टन्सची व्याख्या केली जाते.
आउटपुट कंडक्टन्स - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - जेव्हा गेट-स्रोत व्होल्टेज स्थिर ठेवला जातो तेव्हा आउटपुट कंडक्टन्स MOSFET च्या लहान-सिग्नल ड्रेन-सोर्स कंडक्टन्सचे प्रतिनिधित्व करते.
Schottky डायोड संभाव्य अडथळा - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - Schottky Diode Potential Barier हा ऊर्जा अडथळा आहे जो Schottky diode मधील धातू आणि अर्धसंवाहक सामग्री यांच्यातील इंटरफेसमध्ये अस्तित्वात असतो.
गेट व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - गेट व्होल्टेज म्हणजे MESFET च्या कंट्रोल टर्मिनलवर त्याच्या कंडक्टन्सचे नियमन करण्यासाठी लागू केलेल्या व्होल्टेजचा संदर्भ आहे. गेट व्होल्टेज चॅनेलमधील विनामूल्य चार्ज वाहकांची संख्या निर्धारित करते.
पिंच ऑफ व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - पिंच ऑफ व्होल्टेज हे गेट व्होल्टेज आहे ज्यावर चॅनल पूर्णपणे पिंच ऑफ होते आणि FETs च्या ऑपरेशनमध्ये हे एक महत्त्वाचे पॅरामीटर आहे. सर्किट डिझाइनमध्ये हे एक महत्त्वाचे पॅरामीटर आहे.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

आउटपुट कंडक्टन्स: 0.174 सीमेन्स --> 0.174 सीमेन्स कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
Schottky डायोड संभाव्य अडथळा: 15.9 व्होल्ट --> 15.9 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
गेट व्होल्टेज: 9.62 व्होल्ट --> 9.62 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
पिंच ऑफ व्होल्टेज: 12.56 व्होल्ट --> 12.56 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p)) --> 0.174*(1-sqrt((15.9-9.62)/12.56))

मूल्यांकन करत आहे ... ...

g_m = 0.0509634200735407

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

0.0509634200735407 सीमेन्स --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

0.0509634200735407 ≈ 0.050963 सीमेन्स <-- Transconductance

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » मायक्रोवेव्ह सिद्धांत » मायक्रोवेव्ह सेमीकंडक्टर उपकरणे » MESFET वैशिष्ट्ये » संपृक्तता प्रदेशात ट्रान्सकंडक्टन्स

जमा

ने निर्मित सोनू कुमार केशरी

नॅशनल इन्स्टिट्यूट ऑफ टेक्नॉलॉजी, पाटणा (NITP), पाटणा

सोनू कुमार केशरी यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 5 अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित परमिंदर सिंग

चंदीगड विद्यापीठ (CU), पंजाब

परमिंदर सिंग यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 500+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 13 MESFET वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

कमाल वारंवारता वापरून कट-ऑफ वारंवारता

जा कट ऑफ वारंवारता = (2*दोलनांची कमाल वारंवारता)/(sqrt(निचरा प्रतिकार/(स्त्रोत प्रतिकार+गेट मेटलायझेशन प्रतिरोध+इनपुट प्रतिकार)))

गेट मेटलायझेशन प्रतिरोध

जा गेट मेटलायझेशन प्रतिरोध = ((निचरा प्रतिकार*कट ऑफ वारंवारता^2)/(4*दोलनांची कमाल वारंवारता^2))-(स्त्रोत प्रतिकार+इनपुट प्रतिकार)

स्रोत प्रतिकार

जा स्त्रोत प्रतिकार = ((निचरा प्रतिकार*कट ऑफ वारंवारता^2)/(4*दोलनांची कमाल वारंवारता^2))-(गेट मेटलायझेशन प्रतिरोध+इनपुट प्रतिकार)

इनपुट प्रतिकार

जा इनपुट प्रतिकार = ((निचरा प्रतिकार*कट ऑफ वारंवारता^2)/(4*दोलनांची कमाल वारंवारता^2))-(गेट मेटलायझेशन प्रतिरोध+स्त्रोत प्रतिकार)

MESFET च्या ड्रेन रेझिस्टन्स

जा निचरा प्रतिकार = ((4*दोलनांची कमाल वारंवारता^2)/कट ऑफ वारंवारता^2)*(स्त्रोत प्रतिकार+गेट मेटलायझेशन प्रतिरोध+इनपुट प्रतिकार)

संपृक्तता प्रदेशात ट्रान्सकंडक्टन्स

जा Transconductance = आउटपुट कंडक्टन्स*(1-sqrt((Schottky डायोड संभाव्य अडथळा-गेट व्होल्टेज)/पिंच ऑफ व्होल्टेज))

MESFET मध्ये दोलनांची कमाल वारंवारता

जा दोलनांची कमाल वारंवारता = (ऐक्य लाभ वारंवारता/2)*sqrt(निचरा प्रतिकार/गेट मेटलायझेशन प्रतिरोध)

ट्रान्सकंडक्टन्स दिलेल्या दोलनाची कमाल वारंवारता

जा दोलनांची कमाल वारंवारता = Transconductance/(pi*गेट सोर्स कॅपेसिटन्स)

ट्रान्सकंडक्टन्स आणि कॅपेसिटन्स दिलेली कट-ऑफ वारंवारता

जा कट ऑफ वारंवारता = Transconductance/(2*pi*गेट सोर्स कॅपेसिटन्स)

गेट सोर्स कॅपेसिटन्स

जा गेट सोर्स कॅपेसिटन्स = Transconductance/(2*pi*कट ऑफ वारंवारता)

MESFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स

जा Transconductance = 2*गेट सोर्स कॅपेसिटन्स*pi*कट ऑफ वारंवारता

MESFET च्या गेटची लांबी

जा गेटची लांबी = संतृप्त प्रवाह वेग/(4*pi*कट ऑफ वारंवारता)

कट ऑफ वारंवारता

जा कट ऑफ वारंवारता = संतृप्त प्रवाह वेग/(4*pi*गेटची लांबी)

संपृक्तता प्रदेशात ट्रान्सकंडक्टन्स सुत्र

Transconductance = आउटपुट कंडक्टन्स*(1-sqrt((Schottky डायोड संभाव्य अडथळा-गेट व्होल्टेज)/पिंच ऑफ व्होल्टेज))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!