Transkonduktanz im Sättigungsbereich Taschenrechner

✖Die Ausgangsleitfähigkeit stellt die Kleinsignal-Drain-Source-Leitfähigkeit des MOSFET dar, wenn die Gate-Source-Spannung konstant gehalten wird.ⓘ Ausgangsleitfähigkeit [G_o]			+10% -10%
✖Die Schottky-Diode-Potenzialbarriere ist die Energiebarriere, die an der Grenzfläche zwischen einem Metall und einem Halbleitermaterial in einer Schottky-Diode besteht.ⓘ Schottky-Diodenpotentialbarriere [V_i]			+10% -10%
✖Unter Gate-Spannung versteht man die Spannung, die an den Steueranschluss eines MESFET angelegt wird, um dessen Leitfähigkeit zu regulieren. Die Gate-Spannung bestimmt die Anzahl der freien Ladungsträger im Kanal.ⓘ Gate-Spannung [V_g]			+10% -10%
✖Die Pinch-Off-Spannung ist die Gate-Spannung, bei der der Kanal vollständig abgeschnürt wird, und ist ein Schlüsselparameter beim Betrieb von FETs. Es ist ein wichtiger Parameter beim Schaltungsdesign.ⓘ Spannung abklemmen [V_p]			+10% -10%

✖Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Drain-Stroms zur Änderung der Gate-Source-Spannung unter der Annahme einer konstanten Drain-Source-Spannung.ⓘ Transkonduktanz im Sättigungsbereich [g_m]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Transkonduktanz im Sättigungsbereich

Formel

`"g"_{"m"} = "G"_{"o"}*(1-sqrt(("V"_{"i"}-"V"_{"g"})/"V"_{"p"}))`

Beispiel

`"0.050963S"="0.174S"*(1-sqrt(("15.9V"-"9.62V")/"12.56V"))`

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen MESFET-Eigenschaften Formeln Pdf PDF Image

Transkonduktanz im Sättigungsbereich Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Transkonduktanz = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Schottky-Diodenpotentialbarriere-Gate-Spannung)/Spannung abklemmen))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 5 Variablen

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Transkonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Drain-Stroms zur Änderung der Gate-Source-Spannung unter der Annahme einer konstanten Drain-Source-Spannung.
Ausgangsleitfähigkeit - (Gemessen in Siemens) - Die Ausgangsleitfähigkeit stellt die Kleinsignal-Drain-Source-Leitfähigkeit des MOSFET dar, wenn die Gate-Source-Spannung konstant gehalten wird.
Schottky-Diodenpotentialbarriere - (Gemessen in Volt) - Die Schottky-Diode-Potenzialbarriere ist die Energiebarriere, die an der Grenzfläche zwischen einem Metall und einem Halbleitermaterial in einer Schottky-Diode besteht.
Gate-Spannung - (Gemessen in Volt) - Unter Gate-Spannung versteht man die Spannung, die an den Steueranschluss eines MESFET angelegt wird, um dessen Leitfähigkeit zu regulieren. Die Gate-Spannung bestimmt die Anzahl der freien Ladungsträger im Kanal.
Spannung abklemmen - (Gemessen in Volt) - Die Pinch-Off-Spannung ist die Gate-Spannung, bei der der Kanal vollständig abgeschnürt wird, und ist ein Schlüsselparameter beim Betrieb von FETs. Es ist ein wichtiger Parameter beim Schaltungsdesign.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Ausgangsleitfähigkeit: 0.174 Siemens --> 0.174 Siemens Keine Konvertierung erforderlich
Schottky-Diodenpotentialbarriere: 15.9 Volt --> 15.9 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Spannung: 9.62 Volt --> 9.62 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Spannung abklemmen: 12.56 Volt --> 12.56 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p)) --> 0.174*(1-sqrt((15.9-9.62)/12.56))

Auswerten ... ...

g_m = 0.0509634200735407

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0509634200735407 Siemens --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0509634200735407 ≈ 0.050963 Siemens <-- Transkonduktanz

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » Mikrowellentheorie » Mikrowellenhalbleiterbauelemente » MESFET-Eigenschaften » Transkonduktanz im Sättigungsbereich

Credits

Erstellt von Sonu Kumar Keshri

Nationales Institut für Technologie, Patna (NITP), Patna

Sonu Kumar Keshri hat diesen Rechner und 5 weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 13 MESFET-Eigenschaften Taschenrechner

Grenzfrequenz unter Verwendung der Maximalfrequenz

Gehen Grenzfrequenz = (2*Maximale Schwingungsfrequenz)/(sqrt(Abflusswiderstand/(Quellenwiderstand+Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)))

Gate-Metallisierungswiderstand

Gehen Gate-Metallisierungswiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand)

Eingangswiderstand

Gehen Eingangswiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Gate-Metallisierungswiderstand+Quellenwiderstand)

Quellenwiderstand

Gehen Quellenwiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)

Drain-Widerstand des MESFET

Gehen Abflusswiderstand = ((4*Maximale Schwingungsfrequenz^2)/Grenzfrequenz^2)*(Quellenwiderstand+Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)

Transkonduktanz im Sättigungsbereich

Gehen Transkonduktanz = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Schottky-Diodenpotentialbarriere-Gate-Spannung)/Spannung abklemmen))

Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = (Einheitsgewinnfrequenz/2)*sqrt(Abflusswiderstand/Gate-Metallisierungswiderstand)

Maximale Schwingungsfrequenz bei gegebener Transkonduktanz

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = Transkonduktanz/(pi*Gate-Source-Kapazität)

Gate-Länge des MESFET

Gehen Torlänge = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Grenzfrequenz)

Grenzfrequenz

Gehen Grenzfrequenz = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Torlänge)

Grenzfrequenz bei gegebener Transkonduktanz und Kapazität

Gehen Grenzfrequenz = Transkonduktanz/(2*pi*Gate-Source-Kapazität)

Gate-Source-Kapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = Transkonduktanz/(2*pi*Grenzfrequenz)

Transkonduktanz im MESFET

Gehen Transkonduktanz = 2*Gate-Source-Kapazität*pi*Grenzfrequenz

Transkonduktanz im Sättigungsbereich Formel

Transkonduktanz = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Schottky-Diodenpotentialbarriere-Gate-Spannung)/Spannung abklemmen))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!