Gemiddelde voortplantingsvertraging CMOS Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

CMOS-omvormers

Array Datapath-subsysteem

CMOS-ontwerpkenmerken

CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden

CMOS-tijdkenmerken

CMOS-vermogensstatistieken

Kenmerken van CMOS-circuits

Kenmerken van CMOS-vertraging

✖De tijd voor de overgang van hoog naar laag van de output wordt gedefinieerd als de tijd die nodig is voordat de uitgangsspanning daalt van Vⓘ Tijd voor overgang van hoog naar laag output [ζ_PHL]			+10% -10%
✖De tijd voor de overgang van laag naar hoog vermogen wordt gedefinieerd als de tijd die nodig is voordat de uitgangsspanning stijgt van VOL naar het V50%-niveau.ⓘ Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output [ζ_PLH]			+10% -10%

✖Gemiddelde voortplantingsvertraging wordt gedefinieerd als de gemiddelde tijd die nodig is voordat het ingangssignaal zich door de omvormer kan voortplanten.ⓘ Gemiddelde voortplantingsvertraging CMOS [ζ_P]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Gemiddelde voortplantingsvertraging CMOS

Formule

`"ζ"_{"P"} = ("ζ"_{"PHL"}+"ζ"_{"PLH"})/2`

Voorbeeld

`"0.004236ns"=("0.00229ns"+"0.006182ns")/2`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden CMOS-ontwerp en toepassingen Formule Pdf PDF Image

Gemiddelde voortplantingsvertraging CMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Gemiddelde voortplantingsvertraging = (Tijd voor overgang van hoog naar laag output+Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output)/2
ζ_P = (ζ_PHL+ζ_PLH)/2
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Gemiddelde voortplantingsvertraging - (Gemeten in Seconde) - Gemiddelde voortplantingsvertraging wordt gedefinieerd als de gemiddelde tijd die nodig is voordat het ingangssignaal zich door de omvormer kan voortplanten.
Tijd voor overgang van hoog naar laag output - (Gemeten in Seconde) - De tijd voor de overgang van hoog naar laag van de output wordt gedefinieerd als de tijd die nodig is voordat de uitgangsspanning daalt van V
Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output - (Gemeten in Seconde) - De tijd voor de overgang van laag naar hoog vermogen wordt gedefinieerd als de tijd die nodig is voordat de uitgangsspanning stijgt van VOL naar het V50%-niveau.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Tijd voor overgang van hoog naar laag output: 0.00229 nanoseconde --> 2.29E-12 Seconde (Bekijk de conversie hier)
Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output: 0.006182 nanoseconde --> 6.182E-12 Seconde (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

ζ_P = (ζ_PHL+ζ_PLH)/2 --> (2.29E-12+6.182E-12)/2

Evalueren ... ...

ζ_P = 4.236E-12

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

4.236E-12 Seconde -->0.004236 nanoseconde (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.004236 nanoseconde <-- Gemiddelde voortplantingsvertraging

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » CMOS-omvormers » Gemiddelde voortplantingsvertraging CMOS

Credits

Gemaakt door Prijanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College voor techniek (LDCE), Ahmedabad

Prijanka Patel heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

< 17 CMOS-omvormers Rekenmachines

Voortplantingsvertraging voor CMOS-transitie met lage naar hoge output

Gaan Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output = (Belastingscapaciteit/(Transconductantie van PMOS*(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))))*(((2*abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))/(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel)))+ln((4*(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))/Voedingsspanning)-1))

Voortplantingsvertraging voor CMOS-transitie met hoge naar lage output

Gaan Tijd voor overgang van hoog naar laag output = (Belastingscapaciteit/(Transconductantie van NMOS*(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning)))*((2*Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning/(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning))+ln((4*(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning)/Voedingsspanning)-1))

Resistieve belasting Minimale uitgangsspanning CMOS

Gaan Resistieve belasting Minimale uitgangsspanning = Voedingsspanning-Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))-sqrt((Voedingsspanning-Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand)))^2-(2*Voedingsspanning/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand)))

Maximale ingangsspanning CMOS

Gaan Maximale ingangsspanning CMOS = (2*Uitgangsspanning voor maximale invoer+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)-Voedingsspanning+Transconductantieverhouding*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/(1+Transconductantieverhouding)

Drempelspanning CMOS

Gaan Drempelspanning = (Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel+sqrt(1/Transconductantieverhouding)*(Voedingsspanning+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)))/(1+sqrt(1/Transconductantieverhouding))

Resistieve belasting Minimale ingangsspanning CMOS

Gaan Resistieve belasting Minimale ingangsspanning = Zero Bias-drempelspanning+sqrt((8*Voedingsspanning)/(3*Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))-(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))

Minimale ingangsspanning CMOS

Gaan Minimale ingangsspanning = (Voedingsspanning+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)+Transconductantieverhouding*(2*Uitgangsspanning+Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel))/(1+Transconductantieverhouding)

Belastingscapaciteit van gecascadeerde CMOS-omvormer

Gaan Belastingscapaciteit = Gate Drain-capaciteit van PMOS+Gate Drain-capaciteit van NMOS+Tap de bulkcapaciteit van PMOS af+Bulkcapaciteit van NMOS afvoeren+Interne capaciteit+Poortcapaciteit

Energie geleverd door voeding

Gaan Energie geleverd door voeding = int(Voedingsspanning*Onmiddellijke afvoerstroom*x,x,0,Oplaadinterval van condensator)

Resistieve belasting Maximale ingangsspanning CMOS

Gaan Resistieve belasting Maximale ingangsspanning CMOS = Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))

Gemiddelde voortplantingsvertraging CMOS

Gaan Gemiddelde voortplantingsvertraging = (Tijd voor overgang van hoog naar laag output+Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output)/2

Gemiddelde vermogensdissipatie CMOS

Gaan Gemiddelde vermogensdissipatie = Belastingscapaciteit*(Voedingsspanning)^2*Frequentie

Maximale ingangsspanning voor symmetrische CMOS

Gaan Maximale ingangsspanning = (3*Voedingsspanning+2*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/8

Minimale ingangsspanning voor symmetrische CMOS

Gaan Minimale ingangsspanning = (5*Voedingsspanning-2*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/8

Oscillatieperiode Ringoscillator CMOS

Gaan Oscillatieperiode = 2*Aantal fasen Ringoscillator*Gemiddelde voortplantingsvertraging

Transconductantieverhouding CMOS

Gaan Transconductantieverhouding = Transconductantie van NMOS/Transconductantie van PMOS

Ruismarge voor CMOS met hoog signaal

Gaan Ruismarge voor hoog signaal = Maximale uitgangsspanning-Minimale ingangsspanning

Gemiddelde voortplantingsvertraging CMOS Formule

Gemiddelde voortplantingsvertraging = (Tijd voor overgang van hoog naar laag output+Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output)/2
ζ_P = (ζ_PHL+ζ_PLH)/2

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!