Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung CMOS Taschenrechner

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✖Die Zeit für den Übergang von High zu Low des Ausgangs ist definiert als die Zeit, die erforderlich ist, damit die Ausgangsspannung von V abfälltⓘ Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig [ζ_PHL]			+10% -10%
✖Die Zeit für den Übergang des Ausgangs von niedrig nach hoch ist definiert als die Zeit, die erforderlich ist, damit die Ausgangsspannung von VOL auf den Wert V50 % ansteigt.ⓘ Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch [ζ_PLH]			+10% -10%

✖Die durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung ist definiert als die durchschnittliche Zeit, die das Eingangssignal benötigt, um sich durch den Wechselrichter auszubreiten.ⓘ Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung CMOS [ζ_P]

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Formel

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Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung CMOS

Formel

`"ζ"_{"P"} = ("ζ"_{"PHL"}+"ζ"_{"PLH"})/2`

Beispiel

`"0.004236ns"=("0.00229ns"+"0.006182ns")/2`

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Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung CMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung = (Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig+Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch)/2
ζ_P = (ζ_PHL+ζ_PLH)/2
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung - (Gemessen in Zweite) - Die durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung ist definiert als die durchschnittliche Zeit, die das Eingangssignal benötigt, um sich durch den Wechselrichter auszubreiten.
Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig - (Gemessen in Zweite) - Die Zeit für den Übergang von High zu Low des Ausgangs ist definiert als die Zeit, die erforderlich ist, damit die Ausgangsspannung von V abfällt
Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch - (Gemessen in Zweite) - Die Zeit für den Übergang des Ausgangs von niedrig nach hoch ist definiert als die Zeit, die erforderlich ist, damit die Ausgangsspannung von VOL auf den Wert V50 % ansteigt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig: 0.00229 Nanosekunde --> 2.29E-12 Zweite (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch: 0.006182 Nanosekunde --> 6.182E-12 Zweite (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

ζ_P = (ζ_PHL+ζ_PLH)/2 --> (2.29E-12+6.182E-12)/2

Auswerten ... ...

ζ_P = 4.236E-12

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

4.236E-12 Zweite -->0.004236 Nanosekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.004236 Nanosekunde <-- Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Priyanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College für Ingenieurwissenschaften (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 17 CMOS-Wechselrichter Taschenrechner

Ausbreitungsverzögerung für Übergangs-CMOS von niedriger zu hoher Ausgangsleistung

Gehen Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch = (Ladekapazität/(Transkonduktanz von PMOS*(Versorgungsspannung-abs(Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias))))*(((2*abs(Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias))/(Versorgungsspannung-abs(Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias)))+ln((4*(Versorgungsspannung-abs(Schwellenspannung von PMOS mit Body Bias))/Versorgungsspannung)-1))

Ausbreitungsverzögerung für CMOS mit Übergang von hoher zu niedriger Ausgangsleistung

Gehen Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig = (Ladekapazität/(Transkonduktanz von NMOS*(Versorgungsspannung-Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias)))*((2*Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias/(Versorgungsspannung-Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias))+ln((4*(Versorgungsspannung-Schwellenspannung von NMOS mit Body Bias)/Versorgungsspannung)-1))

Widerstandslast, minimale Ausgangsspannung CMOS

Gehen Minimale Ausgangsspannung der ohmschen Last = Versorgungsspannung-Null-Vorspannungsschwellenspannung+(1/(Transkonduktanz von NMOS*Lastwiderstand))-sqrt((Versorgungsspannung-Null-Vorspannungsschwellenspannung+(1/(Transkonduktanz von NMOS*Lastwiderstand)))^2-(2*Versorgungsspannung/(Transkonduktanz von NMOS*Lastwiderstand)))

Maximale Eingangsspannung CMOS

Gehen Maximale Eingangsspannung CMOS = (2*Ausgangsspannung für maximalen Eingang+(Schwellenspannung von PMOS ohne Body Bias)-Versorgungsspannung+Transkonduktanzverhältnis*Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias)/(1+Transkonduktanzverhältnis)

Widerstandslast, minimale Eingangsspannung CMOS

Gehen Minimale Eingangsspannung der ohmschen Last = Null-Vorspannungsschwellenspannung+sqrt((8*Versorgungsspannung)/(3*Transkonduktanz von NMOS*Lastwiderstand))-(1/(Transkonduktanz von NMOS*Lastwiderstand))

Schwellenspannung CMOS

Gehen Grenzspannung = (Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias+sqrt(1/Transkonduktanzverhältnis)*(Versorgungsspannung+(Schwellenspannung von PMOS ohne Body Bias)))/(1+sqrt(1/Transkonduktanzverhältnis))

Minimale Eingangsspannung CMOS

Gehen Minimale Eingangsspannung = (Versorgungsspannung+(Schwellenspannung von PMOS ohne Body Bias)+Transkonduktanzverhältnis*(2*Ausgangsspannung+Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias))/(1+Transkonduktanzverhältnis)

Lastkapazität des kaskadierten Inverter-CMOS

Gehen Ladekapazität = Gate-Drain-Kapazität von PMOS+Gate-Drain-Kapazität von NMOS+Entleeren Sie die Massenkapazität des PMOS+Entleeren Sie die Massenkapazität von NMOS+Interne Kapazität+Gate-Kapazität

Von der Stromversorgung gelieferte Energie

Gehen Von der Stromversorgung gelieferte Energie = int(Versorgungsspannung*Momentaner Drainstrom*x,x,0,Ladeintervall des Kondensators)

Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung CMOS

Gehen Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung = (Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig+Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch)/2

Widerstandslast Maximale Eingangsspannung CMOS

Gehen Widerstandslast Maximale Eingangsspannung CMOS = Null-Vorspannungsschwellenspannung+(1/(Transkonduktanz von NMOS*Lastwiderstand))

Durchschnittliche Verlustleistung CMOS

Gehen Durchschnittliche Verlustleistung = Ladekapazität*(Versorgungsspannung)^2*Frequenz

Schwingungsperiode Ringoszillator CMOS

Gehen Schwingungsperiode = 2*Anzahl der Stufen des Ringoszillators*Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung

Maximale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS

Gehen Maximale Eingangsspannung = (3*Versorgungsspannung+2*Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias)/8

Minimale Eingangsspannung für symmetrisches CMOS

Gehen Minimale Eingangsspannung = (5*Versorgungsspannung-2*Schwellenspannung von NMOS ohne Body Bias)/8

Rauschmarge für Hochsignal-CMOS

Gehen Rauschmarge für hohes Signal = Maximale Ausgangsspannung-Minimale Eingangsspannung

Transkonduktanzverhältnis CMOS

Gehen Transkonduktanzverhältnis = Transkonduktanz von NMOS/Transkonduktanz von PMOS

Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung CMOS Formel

Durchschnittliche Ausbreitungsverzögerung = (Zeit für den Übergang der Ausgabe von hoch nach niedrig+Zeit für den Übergang der Ausgabe von niedrig nach hoch)/2
ζ_P = (ζ_PHL+ζ_PLH)/2

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