Collectorstroom in actief gebied wanneer transistor als versterker fungeert Rekenmachine

✖Verzadigingsstroom is de lekstroomdichtheid van de diode bij afwezigheid van licht. Het is een belangrijke parameter die de ene diode van de andere onderscheidt.ⓘ Verzadigingsstroom [i_s]			+10% -10%
✖De spanning over de basis-emitterverbinding is de voorwaartse spanning tussen de basis en de emitter van de transistor.ⓘ Spanning over basis-emitterverbinding [V_be]			+10% -10%
✖De drempelspanning van de transistor is de minimale gate-to-source-spanning die nodig is om een geleidend pad te creëren tussen de source- en drain-terminals.ⓘ Drempelspanning [V_t]			+10% -10%

✖Collectorstroom is een versterkte uitgangsstroom van een bipolaire junctie-transistor.ⓘ Collectorstroom in actief gebied wanneer transistor als versterker fungeert [i_c]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Collectorstroom in actief gebied wanneer transistor als versterker fungeert

Formule

`"i"_{"c"} = "i"_{"s"}*e^("V"_{"be"}/"V"_{"t"})`

Voorbeeld

`"39.44194mA"="0.01mA"*e^("16.56V"/"2V")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Transistorversterkers Formule Pdf PDF Image

Collectorstroom in actief gebied wanneer transistor als versterker fungeert Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Collectorstroom = Verzadigingsstroom*e^(Spanning over basis-emitterverbinding/Drempelspanning)
i_c = i_s*e^(V_be/V_t)
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 4 Variabelen

Gebruikte constanten

e - De constante van Napier Waarde genomen als 2.71828182845904523536028747135266249

Variabelen gebruikt

Collectorstroom - (Gemeten in Ampère) - Collectorstroom is een versterkte uitgangsstroom van een bipolaire junctie-transistor.
Verzadigingsstroom - (Gemeten in Ampère) - Verzadigingsstroom is de lekstroomdichtheid van de diode bij afwezigheid van licht. Het is een belangrijke parameter die de ene diode van de andere onderscheidt.
Spanning over basis-emitterverbinding - (Gemeten in Volt) - De spanning over de basis-emitterverbinding is de voorwaartse spanning tussen de basis en de emitter van de transistor.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - De drempelspanning van de transistor is de minimale gate-to-source-spanning die nodig is om een geleidend pad te creëren tussen de source- en drain-terminals.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Verzadigingsstroom: 0.01 milliampère --> 1E-05 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Spanning over basis-emitterverbinding: 16.56 Volt --> 16.56 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 2 Volt --> 2 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

i_c = i_s*e^(V_be/V_t) --> 1E-05*e^(16.56/2)

Evalueren ... ...

i_c = 0.039441943819803

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.039441943819803 Ampère -->39.441943819803 milliampère (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

39.441943819803 ≈ 39.44194 milliampère <-- Collectorstroom

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Versterkers » Transistorversterkers » Zender Volger » Collectorstroom in actief gebied wanneer transistor als versterker fungeert

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Prahalad Singh

Jaipur Engineering College en Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 10+ rekenmachines!

< 10+ Zender Volger Rekenmachines

Uitgangsweerstand van emittervolger

Gaan Eindige weerstand = (1/Belastingsweerstand+1/Kleine signaalspanning+1/Zenderweerstand)+(1/Basisimpedantie+1/Signaal weerstand)/(Collectorbasisstroomversterking+1)

Collectorstroom in actief gebied wanneer transistor als versterker fungeert

Gaan Collectorstroom = Verzadigingsstroom*e^(Spanning over basis-emitterverbinding/Drempelspanning)

Verzadigingsstroom van emittervolger

Gaan Verzadigingsstroom = Collectorstroom/e^(Spanning over basis-emitterverbinding/Drempelspanning)

Ingangsweerstand van emittervolger

Gaan Ingangsweerstand = 1/(1/Signaalweerstand in basis+1/Basis weerstand)

Uitgangsweerstand van transistor bij intrinsieke versterking

Gaan Eindige uitgangsweerstand = Vroege spanning/Collectorstroom

Collectorstroom van emittervolgtransistor

Gaan Collectorstroom = Vroege spanning/Eindige uitgangsweerstand

Basisweerstand over de emittervolgerverbinding

Gaan Basis weerstand = Hoge frequentieconstante*Zenderweerstand

Totale emitterweerstand van emittervolger

Gaan Zenderweerstand = Basis weerstand/Hoge frequentieconstante

Ingangsweerstand van transistorversterker:

Gaan Ingangsweerstand = Versterker ingang/Invoerstroom

Ingangsspanning van emittervolger

Gaan Zenderspanning = Basisspanning-0.7

< 15 Meertraps transistorversterkers Rekenmachines

Open circuit bipolaire cascode-spanningsversterking

Gaan Bipolaire cascode-spanningsversterking = -MOSFET primaire transconductantie*(MOSFET secundaire transconductantie*Eindige uitgangsweerstand)*(1/Eindige uitgangsweerstand van transistor 1+1/Kleine signaalingangsweerstand)^-1

Uitgangsweerstand van emittervolger

Gaan Eindige weerstand = (1/Belastingsweerstand+1/Kleine signaalspanning+1/Zenderweerstand)+(1/Basisimpedantie+1/Signaal weerstand)/(Collectorbasisstroomversterking+1)

Afvoerweerstand van cascodeversterker

Gaan Afvoerweerstand = (Uitgangsspanningsversterking/(MOSFET primaire transconductantie^2*Eindige uitgangsweerstand))

Uitgangsspanningsversterking van MOS Cascode-versterker

Gaan Uitgangsspanningsversterking = -MOSFET primaire transconductantie^2*Eindige uitgangsweerstand*Afvoerweerstand

Collectorstroom in actief gebied wanneer transistor als versterker fungeert

Gaan Collectorstroom = Verzadigingsstroom*e^(Spanning over basis-emitterverbinding/Drempelspanning)

Verzadigingsstroom van emittervolger

Gaan Verzadigingsstroom = Collectorstroom/e^(Spanning over basis-emitterverbinding/Drempelspanning)

Equivalente weerstand van Cascode-versterker

Gaan Weerstand tussen afvoer en aarde = (1/Eindige uitgangsweerstand van transistor 1+1/Ingangsweerstand)^-1

Negatieve spanningsversterking van cascodeversterker

Gaan Negatieve spanningsversterking = -(MOSFET primaire transconductantie*Weerstand tussen afvoer en aarde)

Ingangsweerstand van emittervolger

Gaan Ingangsweerstand = 1/(1/Signaalweerstand in basis+1/Basis weerstand)

Uitgangsweerstand van transistor bij intrinsieke versterking

Gaan Eindige uitgangsweerstand = Vroege spanning/Collectorstroom

Collectorstroom van emittervolgtransistor

Gaan Collectorstroom = Vroege spanning/Eindige uitgangsweerstand

Basisweerstand over de emittervolgerverbinding

Gaan Basis weerstand = Hoge frequentieconstante*Zenderweerstand

Totale emitterweerstand van emittervolger

Gaan Zenderweerstand = Basis weerstand/Hoge frequentieconstante

Ingangsweerstand van transistorversterker:

Gaan Ingangsweerstand = Versterker ingang/Invoerstroom

Ingangsspanning van emittervolger

Gaan Zenderspanning = Basisspanning-0.7

Collectorstroom in actief gebied wanneer transistor als versterker fungeert Formule

Collectorstroom = Verzadigingsstroom*e^(Spanning over basis-emitterverbinding/Drempelspanning)
i_c = i_s*e^(V_be/V_t)

Wat is een actieve regio?

Het actieve gebied is het gebied waarin transistors veel toepassingen hebben. Dit wordt ook wel een lineair gebied genoemd. Een transistor in deze regio gedraagt zich beter als versterker. Dit gebied ligt tussen saturatie en cutoff. De transistor werkt inactief gebied wanneer de emitterovergang voorwaarts is voorgespannen en de collectorovergang in tegengestelde richting is voorgespannen.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!