Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert Taschenrechner

✖Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode bei Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.ⓘ Sättigungsstrom [i_s]			+10% -10%
✖Die Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung ist die Durchlassspannung zwischen Basis und Emitter des Transistors.ⓘ Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung [V_be]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.ⓘ Grenzspannung [V_t]			+10% -10%

✖Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.ⓘ Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert [i_c]

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Formel

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Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert

Formel

`"i"_{"c"} = "i"_{"s"}*e^("V"_{"be"}/"V"_{"t"})`

Beispiel

`"39.44194mA"="0.01mA"*e^("16.56V"/"2V")`

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Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
i_c = i_s*e^(V_be/V_t)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 4 Variablen

Verwendete Konstanten

e - Napier-Konstante Wert genommen als 2.71828182845904523536028747135266249

Verwendete Variablen

Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode bei Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.
Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung - (Gemessen in Volt) - Die Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung ist die Durchlassspannung zwischen Basis und Emitter des Transistors.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Sättigungsstrom: 0.01 Milliampere --> 1E-05 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung: 16.56 Volt --> 16.56 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 2 Volt --> 2 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

i_c = i_s*e^(V_be/V_t) --> 1E-05*e^(16.56/2)

Auswerten ... ...

i_c = 0.039441943819803

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.039441943819803 Ampere -->39.441943819803 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

39.441943819803 ≈ 39.44194 Milliampere <-- Kollektorstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Prahalad Singh

Jaipur Engineering College und Forschungszentrum (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner verifiziert!

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Ausgangswiderstand des Emitterfolgers

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Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert

Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)

Sättigungsstrom des Emitterfolgers

Gehen Sättigungsstrom = Kollektorstrom/e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)

Eingangswiderstand des Emitterfolgers

Gehen Eingangswiderstand = 1/(1/Signalwiderstand in der Basis+1/Basiswiderstand)

Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung

Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom

Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors

Gehen Kollektorstrom = Frühe Spannung/Endlicher Ausgangswiderstand

Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang

Gehen Basiswiderstand = Hochfrequenzkonstante*Emitterwiderstand

Gesamter Emitterwiderstand des Emitterfolgers

Gehen Emitterwiderstand = Basiswiderstand/Hochfrequenzkonstante

Eingangswiderstand des Transistorverstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Verstärkereingang/Eingangsstrom

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Gehen Endlicher Widerstand = (1/Lastwiderstand+1/Kleine Signalspannung+1/Emitterwiderstand)+(1/Basisimpedanz+1/Signalwiderstand)/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)

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Gehen Ausgangsspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz^2*Endlicher Ausgangswiderstand*Abflusswiderstand

Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert

Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)

Sättigungsstrom des Emitterfolgers

Gehen Sättigungsstrom = Kollektorstrom/e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)

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Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom

Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors

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Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert Formel

Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
i_c = i_s*e^(V_be/V_t)

Was ist eine aktive Region?

Der aktive Bereich ist der Bereich, in dem Transistoren viele Anwendungen haben. Dies wird auch als linearer Bereich bezeichnet. Ein Transistor in diesem Bereich wirkt besser als Verstärker. Dieser Bereich liegt zwischen Sättigung und Cutoff. Der Transistor arbeitet inaktiv, wenn der Emitterübergang in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist und der Kollektorübergang in Rückwärtsrichtung vorgespannt ist.

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