Collectorstroom in actief gebied wanneer transistor als versterker fungeert Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Collectorstroom = Verzadigingsstroom*e^(Spanning over basis-emitterverbinding/Drempelspanning)
ic = is*e^(Vbe/Vt)
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 4 Variabelen
Gebruikte constanten
e - De constante van Napier Waarde genomen als 2.71828182845904523536028747135266249
Variabelen gebruikt
Collectorstroom - (Gemeten in Ampère) - Collectorstroom is een versterkte uitgangsstroom van een bipolaire junctie-transistor.
Verzadigingsstroom - (Gemeten in Ampère) - Verzadigingsstroom is de lekstroomdichtheid van de diode bij afwezigheid van licht. Het is een belangrijke parameter die de ene diode van de andere onderscheidt.
Spanning over basis-emitterverbinding - (Gemeten in Volt) - De spanning over de basis-emitterverbinding is de voorwaartse spanning tussen de basis en de emitter van de transistor.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - De drempelspanning van de transistor is de minimale gate-to-source-spanning die nodig is om een geleidend pad te creëren tussen de source- en drain-terminals.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Verzadigingsstroom: 0.01 milliampère --> 1E-05 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Spanning over basis-emitterverbinding: 16.56 Volt --> 16.56 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 2 Volt --> 2 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
ic = is*e^(Vbe/Vt) --> 1E-05*e^(16.56/2)
Evalueren ... ...
ic = 0.039441943819803
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.039441943819803 Ampère -->39.441943819803 milliampère (Bekijk de conversie hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
39.441943819803 39.44194 milliampère <-- Collectorstroom
(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Credits

Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door Prahalad Singh
Jaipur Engineering College en Research Center (JECRC), Jaipur
Prahalad Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 10+ rekenmachines!

10+ Zender Volger Rekenmachines

Uitgangsweerstand van emittervolger
Gaan Eindige weerstand = (1/Belastingsweerstand+1/Kleine signaalspanning+1/Zenderweerstand)+(1/Basisimpedantie+1/Signaal weerstand)/(Collectorbasisstroomversterking+1)
Collectorstroom in actief gebied wanneer transistor als versterker fungeert
Gaan Collectorstroom = Verzadigingsstroom*e^(Spanning over basis-emitterverbinding/Drempelspanning)
Verzadigingsstroom van emittervolger
Gaan Verzadigingsstroom = Collectorstroom/e^(Spanning over basis-emitterverbinding/Drempelspanning)
Ingangsweerstand van emittervolger
Gaan Ingangsweerstand = 1/(1/Signaalweerstand in basis+1/Basis weerstand)
Uitgangsweerstand van transistor bij intrinsieke versterking
Gaan Eindige uitgangsweerstand = Vroege spanning/Collectorstroom
Collectorstroom van emittervolgtransistor
Gaan Collectorstroom = Vroege spanning/Eindige uitgangsweerstand
Basisweerstand over de emittervolgerverbinding
Gaan Basis weerstand = Hoge frequentieconstante*Zenderweerstand
Totale emitterweerstand van emittervolger
Gaan Zenderweerstand = Basis weerstand/Hoge frequentieconstante
Ingangsweerstand van transistorversterker:
Gaan Ingangsweerstand = Versterker ingang/Invoerstroom
Ingangsspanning van emittervolger
Gaan Zenderspanning = Basisspanning-0.7

15 Meertraps transistorversterkers Rekenmachines

Open circuit bipolaire cascode-spanningsversterking
Gaan Bipolaire cascode-spanningsversterking = -MOSFET primaire transconductantie*(MOSFET secundaire transconductantie*Eindige uitgangsweerstand)*(1/Eindige uitgangsweerstand van transistor 1+1/Kleine signaalingangsweerstand)^-1
Uitgangsweerstand van emittervolger
Gaan Eindige weerstand = (1/Belastingsweerstand+1/Kleine signaalspanning+1/Zenderweerstand)+(1/Basisimpedantie+1/Signaal weerstand)/(Collectorbasisstroomversterking+1)
Afvoerweerstand van cascodeversterker
Gaan Afvoerweerstand = (Uitgangsspanningsversterking/(MOSFET primaire transconductantie^2*Eindige uitgangsweerstand))
Uitgangsspanningsversterking van MOS Cascode-versterker
Gaan Uitgangsspanningsversterking = -MOSFET primaire transconductantie^2*Eindige uitgangsweerstand*Afvoerweerstand
Collectorstroom in actief gebied wanneer transistor als versterker fungeert
Gaan Collectorstroom = Verzadigingsstroom*e^(Spanning over basis-emitterverbinding/Drempelspanning)
Verzadigingsstroom van emittervolger
Gaan Verzadigingsstroom = Collectorstroom/e^(Spanning over basis-emitterverbinding/Drempelspanning)
Equivalente weerstand van Cascode-versterker
Gaan Weerstand tussen afvoer en aarde = (1/Eindige uitgangsweerstand van transistor 1+1/Ingangsweerstand)^-1
Negatieve spanningsversterking van cascodeversterker
Gaan Negatieve spanningsversterking = -(MOSFET primaire transconductantie*Weerstand tussen afvoer en aarde)
Ingangsweerstand van emittervolger
Gaan Ingangsweerstand = 1/(1/Signaalweerstand in basis+1/Basis weerstand)
Uitgangsweerstand van transistor bij intrinsieke versterking
Gaan Eindige uitgangsweerstand = Vroege spanning/Collectorstroom
Collectorstroom van emittervolgtransistor
Gaan Collectorstroom = Vroege spanning/Eindige uitgangsweerstand
Basisweerstand over de emittervolgerverbinding
Gaan Basis weerstand = Hoge frequentieconstante*Zenderweerstand
Totale emitterweerstand van emittervolger
Gaan Zenderweerstand = Basis weerstand/Hoge frequentieconstante
Ingangsweerstand van transistorversterker:
Gaan Ingangsweerstand = Versterker ingang/Invoerstroom
Ingangsspanning van emittervolger
Gaan Zenderspanning = Basisspanning-0.7

Collectorstroom in actief gebied wanneer transistor als versterker fungeert Formule

Collectorstroom = Verzadigingsstroom*e^(Spanning over basis-emitterverbinding/Drempelspanning)
ic = is*e^(Vbe/Vt)

Wat is een actieve regio?

Het actieve gebied is het gebied waarin transistors veel toepassingen hebben. Dit wordt ook wel een lineair gebied genoemd. Een transistor in deze regio gedraagt zich beter als versterker. Dit gebied ligt tussen saturatie en cutoff. De transistor werkt inactief gebied wanneer de emitterovergang voorwaarts is voorgespannen en de collectorovergang in tegengestelde richting is voorgespannen.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!