Neem contact op met Potentieel verschil Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Fotonica-apparaten

Apparaten met optische componenten

Lasers

✖Absolute temperatuur vertegenwoordigt de temperatuur van het systeem.ⓘ Absolute temperatuur [T]			+10% -10%
✖Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.ⓘ Acceptorconcentratie [N_A]			+10% -10%
✖Donorconcentratie verwijst naar de concentratie van donordoteringsatomen die in een halfgeleidermateriaal worden geïntroduceerd om het aantal vrije elektronen te vergroten.ⓘ Donorconcentratie [N_D]			+10% -10%
✖Intrinsieke dragerconcentratie verwijst naar de concentratie van ladingsdragers, zowel de meerderheid als de minderheid, van een intrinsieke halfgeleider bij thermisch evenwicht.ⓘ Intrinsieke dragerconcentratie [n1_i]			+10% -10%

✖Spanning over PN-verbinding is de ingebouwde potentiaal over de pn-overgang van een halfgeleider zonder enige externe voorspanning.ⓘ Neem contact op met Potentieel verschil [V₀]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Neem contact op met Potentieel verschil

Formule

`"V"_{"0"} = ("[BoltZ]"*"T")/"[Charge-e]"*ln(("N"_{"A"}*"N"_{"D"})/("n1"_{"i"})^2)`

Voorbeeld

`"0.623837V"=("[BoltZ]"*"393K")/"[Charge-e]"*ln(("1e+22/m³"*"1e+24/m³")/("1e+19/m³")^2)`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Fotonica-apparaten Formules Pdf PDF Image

Neem contact op met Potentieel verschil Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Spanning over PN-verbinding = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Intrinsieke dragerconcentratie)^2)
V₀ = ([BoltZ]*T)/[Charge-e]*ln((N_A*N_D)/(n1_i)^2)
Deze formule gebruikt 2 Constanten, 1 Functies, 5 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
[BoltZ] - Boltzmann-constante Waarde genomen als 1.38064852E-23

Functies die worden gebruikt

ln - De natuurlijke logaritme, ook bekend als de logaritme met grondtal e, is de inverse functie van de natuurlijke exponentiële functie., ln(Number)

Variabelen gebruikt

Spanning over PN-verbinding - (Gemeten in Volt) - Spanning over PN-verbinding is de ingebouwde potentiaal over de pn-overgang van een halfgeleider zonder enige externe voorspanning.
Absolute temperatuur - (Gemeten in Kelvin) - Absolute temperatuur vertegenwoordigt de temperatuur van het systeem.
Acceptorconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.
Donorconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Donorconcentratie verwijst naar de concentratie van donordoteringsatomen die in een halfgeleidermateriaal worden geïntroduceerd om het aantal vrije elektronen te vergroten.
Intrinsieke dragerconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke dragerconcentratie verwijst naar de concentratie van ladingsdragers, zowel de meerderheid als de minderheid, van een intrinsieke halfgeleider bij thermisch evenwicht.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Absolute temperatuur: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Geen conversie vereist
Acceptorconcentratie: 1E+22 1 per kubieke meter --> 1E+22 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Donorconcentratie: 1E+24 1 per kubieke meter --> 1E+24 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Intrinsieke dragerconcentratie: 1E+19 1 per kubieke meter --> 1E+19 1 per kubieke meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V₀ = ([BoltZ]*T)/[Charge-e]*ln((N_A*N_D)/(n1_i)^2) --> ([BoltZ]*393)/[Charge-e]*ln((1E+22*1E+24)/(1E+19)^2)

Evalueren ... ...

V₀ = 0.623836767969216

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.623836767969216 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.623836767969216 ≈ 0.623837 Volt <-- Spanning over PN-verbinding

(Berekening voltooid in 00.018 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Opto-elektronica-apparaten » Fotonica-apparaten » Neem contact op met Potentieel verschil

Credits

Gemaakt door Priyanka G Chalikar

Het Nationaal Instituut voor Techniek (NIE), Mysuru

Priyanka G Chalikar heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 10+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 13 Fotonica-apparaten Rekenmachines

Spectrale stralingsemissie

Gaan Spectrale stralingsemissie = (2*pi*[hP]*[c]^3)/Golflengte van zichtbaar licht^5*1/(exp(([hP]*[c])/(Golflengte van zichtbaar licht*[BoltZ]*Absolute temperatuur))-1)

Verzadiging huidige dichtheid

Gaan Verzadiging huidige dichtheid = [Charge-e]*((Diffusiecoëfficiënt van gat)/Verspreidingslengte van het gat*Gatenconcentratie in n-regio+(Elektronendiffusiecoëfficiënt)/Diffusielengte van elektron*Elektronenconcentratie in p-regio)

Neem contact op met Potentieel verschil

Gaan Spanning over PN-verbinding = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Intrinsieke dragerconcentratie)^2)

Energiedichtheid gegeven Einstein-coëfficiënten

Gaan Energiedichtheid = (8*[hP]*Frequentie van straling^3)/[c]^3*(1/(exp((De constante van Planck*Frequentie van straling)/([BoltZ]*Temperatuur))-1))

Protonconcentratie onder onevenwichtige omstandigheden

Gaan Protonconcentratie = Intrinsieke elektronenconcentratie*exp((Intrinsiek energieniveau van halfgeleiders-Quasi Fermi-niveau van elektronen)/([BoltZ]*Absolute temperatuur))

Totale stroomdichtheid

Gaan Totale stroomdichtheid = Verzadiging huidige dichtheid*(exp(([Charge-e]*Spanning over PN-verbinding)/([BoltZ]*Absolute temperatuur))-1)

Netto faseverschuiving

Gaan Netto faseverschuiving = pi/Golflengte van licht*(Brekingsindex)^3*Lengte van vezels*Voedingsspanning

Relatieve bevolking

Gaan Relatieve bevolking = exp(-([hP]*Relatieve frequentie)/([BoltZ]*Absolute temperatuur))

Optisch vermogen uitgestraald

Gaan Optisch vermogen uitgestraald = Emissiviteit*[Stefan-BoltZ]*Gebied van de bron*Temperatuur^4

Modusnummer

Gaan Modusnummer = (2*Lengte van de holte*Brekingsindex)/Fotongolflengte

Golflengte van straling in vacuüm

Gaan Golflengte van golf = Tophoek*(180/pi)*2*Enkel gaatje