Kalkulator A do Z
🔍
Pobierać PDF
Chemia
Inżynieria
Budżetowy
Zdrowie
Matematyka
Fizyka
Kontakt Różnica potencjałów Kalkulator
Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Matematyka
Plac zabaw
Zdrowie
↳
Elektronika
Cywilny
Elektronika i oprzyrządowanie
Elektryczny
Inżynieria chemiczna
Inżynieria materiałowa
Inżynieria produkcji
Mechaniczny
⤿
Urządzenia optoelektroniczne
Antena
Cyfrowe przetwarzanie obrazu
EDC
Elektronika analogowa
Elektronika mocy
Inżynieria telewizyjna
Komunikacja analogowa
Komunikacja bezprzewodowa
Komunikacja cyfrowa
Komunikacja satelitarna
Linia transmisyjna i antena
Mikroelektronika RF
Produkcja VLSI
Projekt światłowodu
Projektowanie i zastosowania CMOS
Sygnał i systemy
System radarowy
System sterowania
Telekomunikacyjne systemy przełączające
Teoria informacji i kodowanie
Teoria mikrofalowa
Teoria pola elektromagnetycznego
Transmisja światłowodowa
Układy scalone (IC)
Urządzenia półprzewodnikowe
Wbudowany system
Wzmacniacze
⤿
Urządzenia fotoniczne
Lasery
Urządzenia z elementami optycznymi
✖
Temperatura bezwzględna reprezentuje temperaturę systemu.
ⓘ
Temperatura absolutna [T]
Celsjusz
Delisle
Fahrenheit
kelwin
Niuton
Rankine
Reaumur
Romera
Punktu potrójnego wody
+10%
-10%
✖
Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów domieszki akceptorowej w materiale półprzewodnikowym.
ⓘ
Stężenie akceptora [N
A
]
1 na centymetr sześcienny
1 na metr sześcienny
na litr
na mililitr
+10%
-10%
✖
Stężenie donora odnosi się do stężenia atomów domieszki donora wprowadzonych do materiału półprzewodnikowego w celu zwiększenia liczby wolnych elektronów.
ⓘ
Stężenie dawcy [N
D
]
1 na centymetr sześcienny
1 na metr sześcienny
na litr
na mililitr
+10%
-10%
✖
Wewnętrzne stężenie nośników odnosi się do stężenia nośników ładunku, zarówno większości, jak i mniejszości, we własnym półprzewodniku w równowadze termicznej.
ⓘ
Wewnętrzne stężenie nośnika [n1
i
]
1 na centymetr sześcienny
1 na metr sześcienny
na litr
na mililitr
+10%
-10%
✖
Napięcie na złączu PN to potencjał wbudowany w złącze pn półprzewodnika bez żadnego zewnętrznego obciążenia.
ⓘ
Kontakt Różnica potencjałów [V
0
]
Abwolt
Attowolta
Centywolt
decywolt
Dekawolta
EMU potencjału elektrycznego
ESU potencjału elektrycznego
Femtovolt
Gigawolt
hektowolt
Kilowolt
Megawolt
Mikrowolt
Miliwolt
Nanowolt
Petawolt
Picowolt
Planck napięcia
Statwolt
Terawolt
Wolt
Wat/Amper
Yoctovolt
Zeptovolt
⎘ Kopiuj
Kroki
👎
Formuła
✖
Kontakt Różnica potencjałów
Formuła
`"V"_{"0"} = ("[BoltZ]"*"T")/"[Charge-e]"*ln(("N"_{"A"}*"N"_{"D"})/("n1"_{"i"})^2)`
Przykład
`"0.623837V"=("[BoltZ]"*"393K")/"[Charge-e]"*ln(("1e+22/m³"*"1e+24/m³")/("1e+19/m³")^2)`
Kalkulator
LaTeX
Resetowanie
👍
Pobierać Urządzenia fotoniczne Formuły PDF
Kontakt Różnica potencjałów Rozwiązanie
KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Napięcie na złączu PN
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absolutna
)/
[Charge-e]
*
ln
((
Stężenie akceptora
*
Stężenie dawcy
)/(
Wewnętrzne stężenie nośnika
)^2)
V
0
= (
[BoltZ]
*
T
)/
[Charge-e]
*
ln
((
N
A
*
N
D
)/(
n1
i
)^2)
Ta formuła używa
2
Stałe
,
1
Funkcje
,
5
Zmienne
Używane stałe
[Charge-e]
- Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19
[BoltZ]
- Stała Boltzmanna Wartość przyjęta jako 1.38064852E-23
Używane funkcje
ln
- Logarytm naturalny, znany również jako logarytm o podstawie e, jest funkcją odwrotną do naturalnej funkcji wykładniczej., ln(Number)
Używane zmienne
Napięcie na złączu PN
-
(Mierzone w Wolt)
- Napięcie na złączu PN to potencjał wbudowany w złącze pn półprzewodnika bez żadnego zewnętrznego obciążenia.
Temperatura absolutna
-
(Mierzone w kelwin)
- Temperatura bezwzględna reprezentuje temperaturę systemu.
Stężenie akceptora
-
(Mierzone w 1 na metr sześcienny)
- Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów domieszki akceptorowej w materiale półprzewodnikowym.
Stężenie dawcy
-
(Mierzone w 1 na metr sześcienny)
- Stężenie donora odnosi się do stężenia atomów domieszki donora wprowadzonych do materiału półprzewodnikowego w celu zwiększenia liczby wolnych elektronów.
Wewnętrzne stężenie nośnika
-
(Mierzone w 1 na metr sześcienny)
- Wewnętrzne stężenie nośników odnosi się do stężenia nośników ładunku, zarówno większości, jak i mniejszości, we własnym półprzewodniku w równowadze termicznej.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Temperatura absolutna:
393 kelwin --> 393 kelwin Nie jest wymagana konwersja
Stężenie akceptora:
1E+22 1 na metr sześcienny --> 1E+22 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
Stężenie dawcy:
1E+24 1 na metr sześcienny --> 1E+24 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
Wewnętrzne stężenie nośnika:
1E+19 1 na metr sześcienny --> 1E+19 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
V
0
= ([BoltZ]*T)/[Charge-e]*ln((N
A
*N
D
)/(n1
i
)^2) -->
(
[BoltZ]
*393)/
[Charge-e]
*
ln
((1E+22*1E+24)/(1E+19)^2)
Ocenianie ... ...
V
0
= 0.623836767969216
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.623836767969216 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.623836767969216
≈
0.623837 Wolt
<--
Napięcie na złączu PN
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)
Jesteś tutaj
-
Dom
»
Inżynieria
»
Elektronika
»
Urządzenia optoelektroniczne
»
Urządzenia fotoniczne
»
Kontakt Różnica potencjałów
Kredyty
Stworzone przez
Priyanka G Chalikar
Narodowy Instytut Inżynierii
(NIE)
,
Mysuru
Priyanka G Chalikar utworzył ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez
Santhosh Yadav
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
<
13 Urządzenia fotoniczne Kalkulatory
Widmowa emisja promieniowania
Iść
Widmowa emisja promieniowania
= (2*
pi
*
[hP]
*[c]^3)/
Długość fali światła widzialnego
^5*1/(
exp
((
[hP]
*
[c]
)/(
Długość fali światła widzialnego
*
[BoltZ]
*
Temperatura absolutna
))-1)
Gęstość prądu nasycenia
Iść
Gęstość prądu nasycenia
=
[Charge-e]
*((
Współczynnik dyfuzji otworu
)/
Długość dyfuzji otworu
*
Koncentracja otworów w regionie n
+(
Współczynnik dyfuzji elektronów
)/
Długość dyfuzji elektronu
*
Stężenie elektronów w regionie p
)
Gęstość energii przy danych współczynnikach Einsteina
Iść
Gęstość energii
= (8*
[hP]
*
Częstotliwość promieniowania
^3)/[c]^3*(1/(
exp
((
Stała Plancka
*
Częstotliwość promieniowania
)/(
[BoltZ]
*
Temperatura
))-1))
Kontakt Różnica potencjałów
Iść
Napięcie na złączu PN
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absolutna
)/
[Charge-e]
*
ln
((
Stężenie akceptora
*
Stężenie dawcy
)/(
Wewnętrzne stężenie nośnika
)^2)
Stężenie protonów w warunkach niezrównoważonych
Iść
Stężenie protonów
=
Wewnętrzne stężenie elektronów
*
exp
((
Wewnętrzny poziom energii półprzewodnika
-
Poziom quasi-fermiego elektronów
)/(
[BoltZ]
*
Temperatura absolutna
))
Całkowita gęstość prądu
Iść
Całkowita gęstość prądu
=
Gęstość prądu nasycenia
*(
exp
((
[Charge-e]
*
Napięcie na złączu PN
)/(
[BoltZ]
*
Temperatura absolutna
))-1)
Netto przesunięcie fazowe
Iść
Netto przesunięcie fazowe
=
pi
/
Długość fali światła
*(
Współczynnik załamania światła
)^3*
Długość włókna
*
Napięcie zasilania
Względna populacja
Iść
Względna populacja
=
exp
(-(
[hP]
*
Częstotliwość względna
)/(
[BoltZ]
*
Temperatura absolutna
))
Wypromieniowana moc optyczna
Iść
Wypromieniowana moc optyczna
=
Emisyjność
*
[Stefan-BoltZ]
*
Obszar Źródła
*
Temperatura
^4
Numer trybu
Iść
Numer trybu
= (2*
Długość wnęki
*
Współczynnik załamania światła
)/
Długość fali fotonu
Długość fali promieniowania w próżni
Iść
Długość fali
=
Kąt wierzchołkowy
*(180/
pi
)*2*
Pojedyncza dziurka
Długość fali światła wyjściowego
Iść
Długość fali światła
=
Współczynnik załamania światła
*
Długość fali fotonu
Długość wnęki
Iść
Długość wnęki
= (
Długość fali fotonu
*
Numer trybu
)/2
Kontakt Różnica potencjałów Formułę
Napięcie na złączu PN
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absolutna
)/
[Charge-e]
*
ln
((
Stężenie akceptora
*
Stężenie dawcy
)/(
Wewnętrzne stężenie nośnika
)^2)
V
0
= (
[BoltZ]
*
T
)/
[Charge-e]
*
ln
((
N
A
*
N
D
)/(
n1
i
)^2)
Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍
Szukaj
Kategorie
Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!