Stroom die afvoerbron binnenkomt in verzadigingsgebied van NMOS gegeven effectieve spanning Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Overdrive-spanning in NMOS)^2
Ids = 1/2*k'n*Wc/L*(Vov)^2
Deze formule gebruikt 5 Variabelen
Variabelen gebruikt
Verzadigingsafvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Verzadigingsafvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de onderdrempelstroom en varieert exponentieel met poort-naar-bronspanning.
Procestransconductantieparameter in NMOS - (Gemeten in Siemens) - De Process Transconductance Parameter in NMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.
Breedte van kanaal - (Gemeten in Meter) - De breedte van het kanaal verwijst naar de hoeveelheid bandbreedte die beschikbaar is voor het verzenden van gegevens binnen een communicatiekanaal.
Lengte van het kanaal - (Gemeten in Meter) - De lengte van het kanaal kan worden gedefinieerd als de afstand tussen het begin- en eindpunt en kan sterk variëren, afhankelijk van het doel en de locatie.
Overdrive-spanning in NMOS - (Gemeten in Volt) - Overdrive-spanning in NMOS verwijst meestal naar de spanning die wordt toegepast op een apparaat of component die de normale bedrijfsspanning overschrijdt.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Procestransconductantieparameter in NMOS: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Bekijk de conversie hier)
Breedte van kanaal: 10 Micrometer --> 1E-05 Meter (Bekijk de conversie hier)
Lengte van het kanaal: 3 Micrometer --> 3E-06 Meter (Bekijk de conversie hier)
Overdrive-spanning in NMOS: 8.48 Volt --> 8.48 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Ids = 1/2*k'n*Wc/L*(Vov)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.48)^2
Evalueren ... ...
Ids = 0.239701333333333
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.239701333333333 Ampère -->239.701333333333 milliampère (Bekijk de conversie hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
239.701333333333 239.7013 milliampère <-- Verzadigingsafvoerstroom
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

17 N-Channel-verbetering Rekenmachines

Huidige binnenkomende afvoerbron in triodegebied van NMOS
Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*(Bronspanning afvoeren)^2)
Huidige ingangsafvoeraansluiting van NMOS gegeven poortbronspanning
Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*Bronspanning afvoeren^2)
Lichaamseffect in NMOS
Gaan Verandering in drempelspanning = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters))
Huidige invoer van afvoeraansluiting van NMOS
Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*Bronspanning afvoeren*(Overdrive-spanning in NMOS-1/2*Bronspanning afvoeren)
NMOS als lineaire weerstand
Gaan Lineaire weerstand = Lengte van het kanaal/(Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxide capaciteit*Breedte van kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning))
Afvoerstroom wanneer NMOS werkt als spanningsgestuurde stroombron
Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2
Huidige binnenkomende afvoerbron in verzadigingsgebied van NMOS
Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2
Fabricageprocesparameter van NMOS
Gaan Fabricageprocesparameter = sqrt(2*[Charge-e]*Dopingconcentratie van P-substraat*[Permitivity-vacuum])/Oxide capaciteit
Stroom die afvoerbron binnenkomt in verzadigingsgebied van NMOS gegeven effectieve spanning
Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Overdrive-spanning in NMOS)^2
Stroom die de afvoerbron binnenkomt bij de grens van verzadiging en het triodegebied van NMOS
Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Bronspanning afvoeren)^2
Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor
Gaan Electron Drift Snelheid = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Elektrisch veld over de lengte van het kanaal
Totaal geleverd vermogen in NMOS
Gaan Voeding geleverd = Voedingsspanning*(Afvoerstroom in NMOS+Huidig)
Afvoerstroom gegeven NMOS Werkt als spanningsgestuurde stroombron
Gaan Transconductantieparameter = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding
Uitgangsweerstand van stroombron NMOS gegeven afvoerstroom
Gaan Uitgangsweerstand = Apparaatparameter/Afvoerstroom zonder kanaallengtemodulatie
Totaal gedissipeerd vermogen in NMOS
Gaan Vermogen gedissipeerd = Afvoerstroom in NMOS^2*AAN Kanaalweerstand
Positieve spanning gegeven kanaallengte in NMOS
Gaan Spanning = Apparaatparameter*Lengte van het kanaal
Oxidecapaciteit van NMOS
Gaan Oxide capaciteit = (3.45*10^(-11))/Oxide Dikte

Stroom die afvoerbron binnenkomt in verzadigingsgebied van NMOS gegeven effectieve spanning Formule

Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Overdrive-spanning in NMOS)^2
Ids = 1/2*k'n*Wc/L*(Vov)^2

Wat is een verzadigingsgebied?

De tweede regio wordt "verzadiging" genoemd. Dit is waar de basisstroom is toegenomen tot ver voorbij het punt waarop de emitter-basisovergang voorwaarts is voorgespannen. In feite is de basisstroom toegenomen tot voorbij het punt waarop de collectorstroom kan toenemen.

Wat is de voorwaarde voor een NMOS om in saturatie te zijn?

De MOSFET is in verzadiging wanneer V (GS)> V (TH) en V (DS)> V (GS) - V (TH). ... Als ik de poortspanning langzaam verhoog, beginnend bij 0, blijft de MOSFET uitgeschakeld. De LED begint een kleine hoeveelheid stroom te geleiden wanneer de poortspanning ongeveer 2,5 V is of zo.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!