Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor Rekenmachine

✖De mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal verwijst naar het vermogen van elektronen om te bewegen of te geleiden binnen de oppervlaktelaag van een materiaal wanneer ze worden blootgesteld aan een elektrisch veld.ⓘ Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal [μ_n]			+10% -10%
✖Het elektrische veld over de lengte van het kanaal is de kracht per eenheid lading die een deeltje ervaart terwijl het door het kanaal beweegt.ⓘ Elektrisch veld over de lengte van het kanaal [E_L]			+10% -10%

✖Elektronenafwijkingssnelheid is vanwege het elektrische veld dat op zijn beurt ervoor zorgt dat de kanaalelektronen met een snelheid naar de afvoer afdrijven.ⓘ Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor [v_d]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor

Formule

`"v"_{"d"} = "μ"_{"n"}*"E"_{"L"}`

Voorbeeld

`"23.32m/s"="2.2m²/V*s"*"10.6V"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Electron Drift Snelheid = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Elektrisch veld over de lengte van het kanaal
v_d = μ_n*E_L
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Electron Drift Snelheid - (Gemeten in Meter per seconde) - Elektronenafwijkingssnelheid is vanwege het elektrische veld dat op zijn beurt ervoor zorgt dat de kanaalelektronen met een snelheid naar de afvoer afdrijven.
Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - De mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal verwijst naar het vermogen van elektronen om te bewegen of te geleiden binnen de oppervlaktelaag van een materiaal wanneer ze worden blootgesteld aan een elektrisch veld.
Elektrisch veld over de lengte van het kanaal - (Gemeten in Volt) - Het elektrische veld over de lengte van het kanaal is de kracht per eenheid lading die een deeltje ervaart terwijl het door het kanaal beweegt.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal: 2.2 Vierkante meter per volt per seconde --> 2.2 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Elektrisch veld over de lengte van het kanaal: 10.6 Volt --> 10.6 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

v_d = μ_n*E_L --> 2.2*10.6

Evalueren ... ...

v_d = 23.32

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

23.32 Meter per seconde --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

23.32 Meter per seconde <-- Electron Drift Snelheid

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » N-Channel-verbetering » Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 17 N-Channel-verbetering Rekenmachines

Huidige binnenkomende afvoerbron in triodegebied van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*(Bronspanning afvoeren)^2)

Huidige ingangsafvoeraansluiting van NMOS gegeven poortbronspanning

Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*Bronspanning afvoeren^2)

Lichaamseffect in NMOS

Gaan Verandering in drempelspanning = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters))

Huidige invoer van afvoeraansluiting van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*Bronspanning afvoeren*(Overdrive-spanning in NMOS-1/2*Bronspanning afvoeren)

NMOS als lineaire weerstand

Gaan Lineaire weerstand = Lengte van het kanaal/(Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxide capaciteit*Breedte van kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning))

Afvoerstroom wanneer NMOS werkt als spanningsgestuurde stroombron

Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2

Huidige binnenkomende afvoerbron in verzadigingsgebied van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2

Fabricageprocesparameter van NMOS

Gaan Fabricageprocesparameter = sqrt(2*[Charge-e]*Dopingconcentratie van P-substraat*[Permitivity-vacuum])/Oxide capaciteit

Stroom die afvoerbron binnenkomt in verzadigingsgebied van NMOS gegeven effectieve spanning

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Overdrive-spanning in NMOS)^2

Stroom die de afvoerbron binnenkomt bij de grens van verzadiging en het triodegebied van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Bronspanning afvoeren)^2

Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor

Gaan Electron Drift Snelheid = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Elektrisch veld over de lengte van het kanaal

Totaal geleverd vermogen in NMOS

Gaan Voeding geleverd = Voedingsspanning*(Afvoerstroom in NMOS+Huidig)

Afvoerstroom gegeven NMOS Werkt als spanningsgestuurde stroombron

Gaan Transconductantieparameter = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding

Uitgangsweerstand van stroombron NMOS gegeven afvoerstroom

Gaan Uitgangsweerstand = Apparaatparameter/Afvoerstroom zonder kanaallengtemodulatie

Totaal gedissipeerd vermogen in NMOS

Gaan Vermogen gedissipeerd = Afvoerstroom in NMOS^2*AAN Kanaalweerstand

Positieve spanning gegeven kanaallengte in NMOS

Gaan Spanning = Apparaatparameter*Lengte van het kanaal

Oxidecapaciteit van NMOS

Gaan Oxide capaciteit = (3.45*10^(-11))/Oxide Dikte

Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor Formule

Electron Drift Snelheid = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Elektrisch veld over de lengte van het kanaal
v_d = μ_n*E_L

Leg de werking van de NMOS-transistor uit.

Een NMOS-transistor met de spanning over gasbron> drempelspanning en met een kleine spanning tussen de afvoer en de bron aangelegd. Het apparaat fungeert als een weerstand waarvan de waarde wordt bepaald door de spanning over de gasbron. In het bijzonder is de kanaalgeleiding evenredig met de spanning over de gasbron - drempelspanning, en dus is Id evenredig met (spanning over de gasbron - drempelspanning) spanning tussen de afvoer en de bron

Wat is mobiliteit van elektronen in kanaal?

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!