Afsnijfrequentie gegeven transconductantie en capaciteit Rekenmachine

✖Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de verandering in drainstroom en de verandering in gate-source-spanning, uitgaande van een constante drain-source-spanning.ⓘ Transgeleiding [g_m]			+10% -10%
✖Gate Source Capacitance is een parasitaire capaciteit die bestaat tussen de gate- en source-aansluitingen van een MESFET of andere typen transistors.ⓘ Gate-broncapaciteit [C_gs]			+10% -10%

✖Afsnijfrequentie wordt gedefinieerd als hoekfrequentie: een grens in de frequentierespons van het systeem waarbij de energie die door het systeem stroomt, begint te worden verminderd in plaats van er doorheen te gaan.ⓘ Afsnijfrequentie gegeven transconductantie en capaciteit [f_co]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Afsnijfrequentie gegeven transconductantie en capaciteit

Formule

`"f"_{"co"} = "g"_{"m"}/(2*pi*"C"_{"gs"})`

Voorbeeld

`"30.02923Hz"="0.05S"/(2*pi*"265μF")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MESFET-kenmerken Formules Pdf

Afsnijfrequentie gegeven transconductantie en capaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Afgesneden frequentie = Transgeleiding/(2*pi*Gate-broncapaciteit)
f_co = g_m/(2*pi*C_gs)
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 3 Variabelen

Gebruikte constanten

pi - De constante van Archimedes Waarde genomen als 3.14159265358979323846264338327950288

Variabelen gebruikt

Afgesneden frequentie - (Gemeten in Hertz) - Afsnijfrequentie wordt gedefinieerd als hoekfrequentie: een grens in de frequentierespons van het systeem waarbij de energie die door het systeem stroomt, begint te worden verminderd in plaats van er doorheen te gaan.
Transgeleiding - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de verandering in drainstroom en de verandering in gate-source-spanning, uitgaande van een constante drain-source-spanning.
Gate-broncapaciteit - (Gemeten in Farad) - Gate Source Capacitance is een parasitaire capaciteit die bestaat tussen de gate- en source-aansluitingen van een MESFET of andere typen transistors.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Transgeleiding: 0.05 Siemens --> 0.05 Siemens Geen conversie vereist
Gate-broncapaciteit: 265 Microfarad --> 0.000265 Farad (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

f_co = g_m/(2*pi*C_gs) --> 0.05/(2*pi*0.000265)

Evalueren ... ...

f_co = 30.0292345456406

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

30.0292345456406 Hertz --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

30.0292345456406 ≈ 30.02923 Hertz <-- Afgesneden frequentie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Magnetron theorie » Microgolf-halfgeleiders » MESFET-kenmerken » Afsnijfrequentie gegeven transconductantie en capaciteit

Credits

Gemaakt door Sonu Kumar Keshri

Nationaal Instituut voor Technologie, Patna (NITP), Patna

Sonu Kumar Keshri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 5 meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

< 13 MESFET-kenmerken Rekenmachines

Afsnijfrequentie met maximale frequentie

Gaan Afgesneden frequentie = (2*Maximale frequentie van trillingen)/(sqrt(Afvoerweerstand/(Bron weerstand+Weerstand tegen metallisatie van poorten+Ingangsweerstand)))

Weerstand tegen metallisatie van poorten

Gaan Weerstand tegen metallisatie van poorten = ((Afvoerweerstand*Afgesneden frequentie^2)/(4*Maximale frequentie van trillingen^2))-(Bron weerstand+Ingangsweerstand)

Ingangsweerstand

Gaan Ingangsweerstand = ((Afvoerweerstand*Afgesneden frequentie^2)/(4*Maximale frequentie van trillingen^2))-(Weerstand tegen metallisatie van poorten+Bron weerstand)

Bron weerstand

Gaan Bron weerstand = ((Afvoerweerstand*Afgesneden frequentie^2)/(4*Maximale frequentie van trillingen^2))-(Weerstand tegen metallisatie van poorten+Ingangsweerstand)

Afvoerweerstand van MESFET

Gaan Afvoerweerstand = ((4*Maximale frequentie van trillingen^2)/Afgesneden frequentie^2)*(Bron weerstand+Weerstand tegen metallisatie van poorten+Ingangsweerstand)

Transconductantie in het verzadigingsgebied

Gaan Transgeleiding = Uitgangsgeleiding*(1-sqrt((Potentiële barrière met Schottky-diode-Poortspanning)/Afknijpspanning))

Maximale frequentie van trillingen in MESFET

Gaan Maximale frequentie van trillingen = (Eenheidsversterkingsfrequentie/2)*sqrt(Afvoerweerstand/Weerstand tegen metallisatie van poorten)

Maximale frequentie van oscillatie gegeven transconductantie

Gaan Maximale frequentie van trillingen = Transgeleiding/(pi*Gate-broncapaciteit)

Afgesneden frequentie

Gaan Afgesneden frequentie = Verzadigde driftsnelheid/(4*pi*Poortlengte)

Poortlengte van MESFET

Gaan Poortlengte = Verzadigde driftsnelheid/(4*pi*Afgesneden frequentie)

Afsnijfrequentie gegeven transconductantie en capaciteit

Gaan Afgesneden frequentie = Transgeleiding/(2*pi*Gate-broncapaciteit)