Gate-broncapaciteit Rekenmachine

✖Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de verandering in drainstroom en de verandering in gate-source-spanning, uitgaande van een constante drain-source-spanning.ⓘ Transgeleiding [g_m]			+10% -10%
✖Afsnijfrequentie wordt gedefinieerd als hoekfrequentie: een grens in de frequentierespons van het systeem waarbij de energie die door het systeem stroomt, begint te worden verminderd in plaats van er doorheen te gaan.ⓘ Afgesneden frequentie [f_co]			+10% -10%

✖Gate Source Capacitance is een parasitaire capaciteit die bestaat tussen de gate- en source-aansluitingen van een MESFET of andere typen transistors.ⓘ Gate-broncapaciteit [C_gs]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Gate-broncapaciteit

Formule

`"C"_{"gs"} = "g"_{"m"}/(2*pi*"f"_{"co"})`

Voorbeeld

`"264.8169μF"="0.05S"/(2*pi*"30.05Hz")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MESFET-kenmerken Formules Pdf PDF Image

Gate-broncapaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Gate-broncapaciteit = Transgeleiding/(2*pi*Afgesneden frequentie)
C_gs = g_m/(2*pi*f_co)
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 3 Variabelen

Gebruikte constanten

pi - De constante van Archimedes Waarde genomen als 3.14159265358979323846264338327950288

Variabelen gebruikt

Gate-broncapaciteit - (Gemeten in Farad) - Gate Source Capacitance is een parasitaire capaciteit die bestaat tussen de gate- en source-aansluitingen van een MESFET of andere typen transistors.
Transgeleiding - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de verandering in drainstroom en de verandering in gate-source-spanning, uitgaande van een constante drain-source-spanning.
Afgesneden frequentie - (Gemeten in Hertz) - Afsnijfrequentie wordt gedefinieerd als hoekfrequentie: een grens in de frequentierespons van het systeem waarbij de energie die door het systeem stroomt, begint te worden verminderd in plaats van er doorheen te gaan.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Transgeleiding: 0.05 Siemens --> 0.05 Siemens Geen conversie vereist
Afgesneden frequentie: 30.05 Hertz --> 30.05 Hertz Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_gs = g_m/(2*pi*f_co) --> 0.05/(2*pi*30.05)

Evalueren ... ...

C_gs = 0.000264816877024784

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.000264816877024784 Farad -->264.816877024784 Microfarad (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

264.816877024784 ≈ 264.8169 Microfarad <-- Gate-broncapaciteit

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Magnetron theorie » Microgolf-halfgeleiders » MESFET-kenmerken » Gate-broncapaciteit

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 13 MESFET-kenmerken Rekenmachines

Afsnijfrequentie met maximale frequentie

Gaan Afgesneden frequentie = (2*Maximale frequentie van trillingen)/(sqrt(Afvoerweerstand/(Bron weerstand+Weerstand tegen metallisatie van poorten+Ingangsweerstand)))

Weerstand tegen metallisatie van poorten

Gaan Weerstand tegen metallisatie van poorten = ((Afvoerweerstand*Afgesneden frequentie^2)/(4*Maximale frequentie van trillingen^2))-(Bron weerstand+Ingangsweerstand)

Ingangsweerstand

Gaan Ingangsweerstand = ((Afvoerweerstand*Afgesneden frequentie^2)/(4*Maximale frequentie van trillingen^2))-(Weerstand tegen metallisatie van poorten+Bron weerstand)

Bron weerstand

Gaan Bron weerstand = ((Afvoerweerstand*Afgesneden frequentie^2)/(4*Maximale frequentie van trillingen^2))-(Weerstand tegen metallisatie van poorten+Ingangsweerstand)

Afvoerweerstand van MESFET

Gaan Afvoerweerstand = ((4*Maximale frequentie van trillingen^2)/Afgesneden frequentie^2)*(Bron weerstand+Weerstand tegen metallisatie van poorten+Ingangsweerstand)

Transconductantie in het verzadigingsgebied

Gaan Transgeleiding = Uitgangsgeleiding*(1-sqrt((Potentiële barrière met Schottky-diode-Poortspanning)/Afknijpspanning))

Maximale frequentie van trillingen in MESFET

Gaan Maximale frequentie van trillingen = (Eenheidsversterkingsfrequentie/2)*sqrt(Afvoerweerstand/Weerstand tegen metallisatie van poorten)

Maximale frequentie van oscillatie gegeven transconductantie

Gaan Maximale frequentie van trillingen = Transgeleiding/(pi*Gate-broncapaciteit)

Poortlengte van MESFET

Gaan Poortlengte = Verzadigde driftsnelheid/(4*pi*Afgesneden frequentie)

Afgesneden frequentie

Gaan Afgesneden frequentie = Verzadigde driftsnelheid/(4*pi*Poortlengte)

Afsnijfrequentie gegeven transconductantie en capaciteit

Gaan Afgesneden frequentie = Transgeleiding/(2*pi*Gate-broncapaciteit)

Gate-broncapaciteit

Gaan Gate-broncapaciteit = Transgeleiding/(2*pi*Afgesneden frequentie)

Transconductantie in MESFET

Gaan Transgeleiding = 2*Gate-broncapaciteit*pi*Afgesneden frequentie

Gate-broncapaciteit Formule

Gate-broncapaciteit = Transgeleiding/(2*pi*Afgesneden frequentie)
C_gs = g_m/(2*pi*f_co)

Wat zijn de toepassingen van MESFET?

MESFET's bieden voordelen zoals hoge versterking, hoge snelheid, weinig ruis en een laag stroomverbruik, waardoor ze geschikt zijn voor verschillende toepassingen in de elektronica, telecommunicatie en biomedische velden.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!