Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron Rekenmachine

Bron's diepte van de uitputtingsregio = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Ingebouwd verbindingspotentieel)/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor))
x_dS = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Φ_o)/([Charge-e]*N_A))
Deze formule gebruikt 2 Constanten, 1 Functies, 3 Variabelen
[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium Waarde genomen als 11.7
[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)Bron's diepte van de uitputtingsregio - (Gemeten in Meter) - Het diepte-uitputtingsgebied van de bron is het uitputtingsgebied dat zich vormt nabij de bronterminal wanneer een spanning wordt aangelegd op de poortterminal.
Ingebouwd verbindingspotentieel - (Gemeten in Volt) - Ingebouwde junctiepotentiaal verwijst naar het potentiaalverschil of de spanning die bestaat over een halfgeleiderovergang wanneer deze niet is aangesloten op een externe spanningsbron.
Dopingconcentratie van acceptor - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)