Thermische spanning met behulp van de vergelijking van Einstein Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Kenmerken van ladingdragers

Diode-eigenschappen

Elektrostatische parameters

Halfgeleiderkenmerken

Transistor-bedrijfsparameters

✖Elektronendiffusieconstante verwijst naar een materiaaleigenschap die de snelheid beschrijft waarmee elektronen door het materiaal diffunderen als reactie op een concentratiegradiënt.ⓘ Elektronendiffusieconstante [D_n]			+10% -10%
✖Mobiliteit van elektronen wordt gedefinieerd als de grootte van de gemiddelde driftsnelheid per eenheid elektrisch veld.ⓘ Mobiliteit van Electron [μ_n]			+10% -10%

✖Thermische spanning wordt gegenereerd over een weerstand vanwege de temperatuur. Het is evenredig met de absolute temperatuur van de weerstand en is meestal erg klein.ⓘ Thermische spanning met behulp van de vergelijking van Einstein [V_t]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Thermische spanning met behulp van de vergelijking van Einstein

Formule

`"V"_{"t"} = "D"_{"n"}/"μ"_{"n"}`

Voorbeeld

`"0.02499V"="44982.46cm²/s"/"180m²/V*s"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Kenmerken van ladingdragers Formules Pdf

Thermische spanning met behulp van de vergelijking van Einstein Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Thermische spanning = Elektronendiffusieconstante/Mobiliteit van Electron
V_t = D_n/μ_n
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Thermische spanning - (Gemeten in Volt) - Thermische spanning wordt gegenereerd over een weerstand vanwege de temperatuur. Het is evenredig met de absolute temperatuur van de weerstand en is meestal erg klein.
Elektronendiffusieconstante - (Gemeten in Vierkante meter per seconde) - Elektronendiffusieconstante verwijst naar een materiaaleigenschap die de snelheid beschrijft waarmee elektronen door het materiaal diffunderen als reactie op een concentratiegradiënt.
Mobiliteit van Electron - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Mobiliteit van elektronen wordt gedefinieerd als de grootte van de gemiddelde driftsnelheid per eenheid elektrisch veld.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Elektronendiffusieconstante: 44982.46 Vierkante centimeter per seconde --> 4.498246 Vierkante meter per seconde (Bekijk de conversie hier)
Mobiliteit van Electron: 180 Vierkante meter per volt per seconde --> 180 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_t = D_n/μ_n --> 4.498246/180

Evalueren ... ...

V_t = 0.0249902555555556

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.0249902555555556 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.0249902555555556 ≈ 0.02499 Volt <-- Thermische spanning

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Kenmerken van ladingdragers » Thermische spanning met behulp van de vergelijking van Einstein

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 16 Kenmerken van ladingdragers Rekenmachines

Intrinsieke concentratie

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Effectieve dichtheid in valentieband*Effectieve dichtheid in geleidingsband)*e^((-Temperatuurafhankelijkheid van Energy Band Gap)/(2*[BoltZ]*Temperatuur))

Elektrostatische afbuigingsgevoeligheid van CRT

Gaan Gevoeligheid voor elektrostatische afbuiging = (Afstand tussen afbuigplaten*Scherm en afbuigplaten Afstand)/(2*Afbuiging van de straal*Elektron Snelheid)

Huidige dichtheid als gevolg van elektronen

Gaan Elektronenstroomdichtheid = [Charge-e]*Concentratie van elektronen*Mobiliteit van Electron*Elektrische veldintensiteit

Huidige dichtheid als gevolg van gaten

Gaan Gaten Huidige Dichtheid = [Charge-e]*Gaten Concentratie*Mobiliteit van gaten*Elektrische veldintensiteit

Elektronen diffusieconstante

Gaan Elektronendiffusieconstante = Mobiliteit van Electron*(([BoltZ]*Temperatuur)/[Charge-e])

Gaten Diffusie Constante

Gaan Gaten Diffusie Constante = Mobiliteit van gaten*(([BoltZ]*Temperatuur)/[Charge-e])

Intrinsieke dragerconcentratie onder niet-evenwichtsomstandigheden

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Meerderheid Carrier Concentratie*Concentratie van minderheidsdragers)

Kracht op huidig element in magnetisch veld

Gaan Kracht = Huidig element*Magnetische fluxdichtheid*sin(Hoek tussen vlakken)

Tijdsperiode van Electron

Gaan Periode van deeltjes cirkelvormig pad = (2*3.14*[Mass-e])/(Magnetische veldsterkte*[Charge-e])

Snelheid van Electron

Gaan Snelheid door spanning = sqrt((2*[Charge-e]*Spanning)/[Mass-e])

Geleidbaarheid in metalen

Gaan Geleidbaarheid = Concentratie van elektronen*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron

Hole Diffusion Lengte

Gaan Gaten Verspreidingslengte = sqrt(Gaten Diffusie Constante*Gatendrager Levensduur)

Snelheid van elektronen in krachtvelden

Gaan Snelheid van elektron in krachtvelden = Elektrische veldintensiteit/Magnetische veldsterkte

Thermische spanning

Gaan Thermische spanning = [BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e]

Thermische spanning met behulp van de vergelijking van Einstein

Gaan Thermische spanning = Elektronendiffusieconstante/Mobiliteit van Electron

Convectiestroomdichtheid

Gaan Convectiestroomdichtheid = Ladingsdichtheid*Laad snelheid

Thermische spanning met behulp van de vergelijking van Einstein Formule

Thermische spanning = Elektronendiffusieconstante/Mobiliteit van Electron
V_t = D_n/μ_n

Wat is de betekenis van de vergelijking van Einstein?

De vergelijking van Einstein is van fundamenteel belang voor het begrijpen van de interactie van elektronen met materialen, de omzetting van massa in energie (zoals bij nucleaire processen) en de basis voor de relativiteitstheorie, die allemaal ingrijpende implicaties hebben voor de studie en het ontwerp van elektronische apparaten en systemen. circuits.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!