Tensione termica utilizzando l'equazione di Einstein calcolatrice

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Caratteristiche del portatore di carica

Caratteristiche dei semiconduttori

Caratteristiche del diodo

Parametri elettrostatici

Parametri operativi del transistor

✖La costante di diffusione degli elettroni si riferisce a una proprietà del materiale che descrive la velocità con cui gli elettroni si diffondono attraverso il materiale in risposta a un gradiente di concentrazione.ⓘ Costante di diffusione elettronica [D_n]			+10% -10%
✖La mobilità dell'elettrone è definita come l'entità della velocità di deriva media per unità di campo elettrico.ⓘ Mobilità dell'elettrone [μ_n]			+10% -10%

✖La tensione termica viene generata attraverso un resistore a causa della sua temperatura. È proporzionale alla temperatura assoluta del resistore ed è tipicamente molto piccola.ⓘ Tensione termica utilizzando l'equazione di Einstein [V_t]

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Formula

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Tensione termica utilizzando l'equazione di Einstein

Formula

`"V"_{"t"} = "D"_{"n"}/"μ"_{"n"}`

Esempio

`"0.02499V"="44982.46cm²/s"/"180m²/V*s"`

Calcolatrice

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Tensione termica utilizzando l'equazione di Einstein Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione termica = Costante di diffusione elettronica/Mobilità dell'elettrone
V_t = D_n/μ_n
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Tensione termica - (Misurato in Volt) - La tensione termica viene generata attraverso un resistore a causa della sua temperatura. È proporzionale alla temperatura assoluta del resistore ed è tipicamente molto piccola.
Costante di diffusione elettronica - (Misurato in Metro quadro al secondo) - La costante di diffusione degli elettroni si riferisce a una proprietà del materiale che descrive la velocità con cui gli elettroni si diffondono attraverso il materiale in risposta a un gradiente di concentrazione.
Mobilità dell'elettrone - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità dell'elettrone è definita come l'entità della velocità di deriva media per unità di campo elettrico.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Costante di diffusione elettronica: 44982.46 Centimetro quadrato al secondo --> 4.498246 Metro quadro al secondo (Controlla la conversione qui)
Mobilità dell'elettrone: 180 Metro quadrato per Volt al secondo --> 180 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_t = D_n/μ_n --> 4.498246/180

Valutare ... ...

V_t = 0.0249902555555556

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.0249902555555556 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.0249902555555556 ≈ 0.02499 Volt <-- Tensione termica

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 16 Caratteristiche del portatore di carica Calcolatrici

Concentrazione intrinseca

Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità effettiva in banda di valenza*Densità effettiva in banda di conduzione)*e^((-Dipendenza dalla temperatura del band gap energetico)/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Sensibilità alla deflessione elettrostatica del CRT

Partire Sensibilità alla deflessione elettrostatica = (Distanza tra le piastre deflettrici*Distanza Schermo e Piastre Deflettenti)/(2*Deviazione del raggio*Velocità dell'elettrone)

Densità di corrente dovuta agli elettroni

Partire Densità di corrente elettronica = [Charge-e]*Concentrazione di elettroni*Mobilità dell'elettrone*Intensità del campo elettrico

Densità di corrente dovuta ai buchi

Partire Densità di corrente dei fori = [Charge-e]*Concentrazione dei fori*Mobilità dei fori*Intensità del campo elettrico

Costante di diffusione degli elettroni

Partire Costante di diffusione elettronica = Mobilità dell'elettrone*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Concentrazione intrinseca di portatori in condizioni di non equilibrio

Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Concentrazione di portatori maggioritari*Concentrazione di portatori di minoranza)

Costante di diffusione dei fori

Partire Costante di diffusione dei fori = Mobilità dei fori*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Periodo di tempo dell'elettrone

Partire Periodo del percorso circolare delle particelle = (2*3.14*[Mass-e])/(Intensità del campo magnetico*[Charge-e])

Forza sull'elemento corrente nel campo magnetico

Partire Forza = Elemento attuale*Densità del flusso magnetico*sin(Angolo tra i piani)

Velocità dell'elettrone

Partire Velocità dovuta alla tensione = sqrt((2*[Charge-e]*Voltaggio)/[Mass-e])

Lunghezza di diffusione del foro

Partire Lunghezza di diffusione dei fori = sqrt(Costante di diffusione dei fori*Supporto per fori a vita)

Conduttività nei metalli

Partire Conducibilità = Concentrazione di elettroni*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone

Velocità dell'elettrone nei campi di forza

Partire Velocità dell'elettrone nei campi di forza = Intensità del campo elettrico/Intensità del campo magnetico

Tensione termica

Partire Tensione termica = [BoltZ]*Temperatura/[Charge-e]

Tensione termica utilizzando l'equazione di Einstein

Partire Tensione termica = Costante di diffusione elettronica/Mobilità dell'elettrone

Densità di corrente di convezione

Partire Densità di corrente di convezione = Densità di carica*Velocità di carica

Tensione termica utilizzando l'equazione di Einstein Formula

Tensione termica = Costante di diffusione elettronica/Mobilità dell'elettrone
V_t = D_n/μ_n

Qual è il significato dell'equazione di Einstein?

L'equazione di Einstein è fondamentale per comprendere l'interazione degli elettroni con i materiali, la conversione della massa in energia (come nei processi nucleari) e la base per la teoria della relatività, che hanno profonde implicazioni nello studio e nella progettazione di dispositivi elettronici e circuiti.

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