Gate Source-capaciteit van FET Rekenmachine

✖Gate Source Capacitance Off Time FET verwijst naar de tijd die nodig is om de gate-to-source-capaciteit te ontladen, een kritische parameter voor het regelen van de schakelsnelheid en de energie-efficiëntie.ⓘ Poortbroncapaciteit uitschakeltijd FET [T_gs-off(fet)]			+10% -10%
✖Drain Source Voltage FET is de spanning tussen de drain en de source-aansluiting van een FET.ⓘ Afvoerbronspanning FET [V_ds(fet)]			+10% -10%
✖Oppervlaktepotentiaal FET werkt op basis van de oppervlaktepotentiaal van het halfgeleiderkanaal en regelt de stroomstroom door een poortspanning zonder inversielagen te genereren.ⓘ Oppervlaktepotentiaal FET [Ψ_0(fet)]			+10% -10%

✖Gate Source Capacitance FET is de capaciteit tussen de gate- en source-aansluitingen van een FET.ⓘ Gate Source-capaciteit van FET [C_gs(fet)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Gate Source-capaciteit van FET

Formule

`"C"_{"gs(fet)"} = "T"_{"gs-off(fet)"}/(1-("V"_{"ds(fet)"}/"Ψ"_{"0(fet)"}))^(1/3)`

Voorbeeld

`"6.805694F"="2.234s"/(1-("4.8V"/"4.976V"))^(1/3)`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Geavanceerde transistorapparaten Formules Pdf PDF Image

Gate Source-capaciteit van FET Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Gate Source-capaciteit FET = Poortbroncapaciteit uitschakeltijd FET/(1-(Afvoerbronspanning FET/Oppervlaktepotentiaal FET))^(1/3)
C_gs(fet) = T_gs-off(fet)/(1-(V_ds(fet)/Ψ_0(fet)))^(1/3)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Gate Source-capaciteit FET - (Gemeten in Farad) - Gate Source Capacitance FET is de capaciteit tussen de gate- en source-aansluitingen van een FET.
Poortbroncapaciteit uitschakeltijd FET - (Gemeten in Seconde) - Gate Source Capacitance Off Time FET verwijst naar de tijd die nodig is om de gate-to-source-capaciteit te ontladen, een kritische parameter voor het regelen van de schakelsnelheid en de energie-efficiëntie.
Afvoerbronspanning FET - (Gemeten in Volt) - Drain Source Voltage FET is de spanning tussen de drain en de source-aansluiting van een FET.
Oppervlaktepotentiaal FET - (Gemeten in Volt) - Oppervlaktepotentiaal FET werkt op basis van de oppervlaktepotentiaal van het halfgeleiderkanaal en regelt de stroomstroom door een poortspanning zonder inversielagen te genereren.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Poortbroncapaciteit uitschakeltijd FET: 2.234 Seconde --> 2.234 Seconde Geen conversie vereist
Afvoerbronspanning FET: 4.8 Volt --> 4.8 Volt Geen conversie vereist
Oppervlaktepotentiaal FET: 4.976 Volt --> 4.976 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_gs(fet) = T_gs-off(fet)/(1-(V_ds(fet)/Ψ_0(fet)))^(1/3) --> 2.234/(1-(4.8/4.976))^(1/3)

Evalueren ... ...

C_gs(fet) = 6.80569376657684

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

6.80569376657684 Farad --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

6.80569376657684 ≈ 6.805694 Farad <-- Gate Source-capaciteit FET

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektrisch » Vermogenselektronica » Geavanceerde transistorapparaten » FET » Gate Source-capaciteit van FET

Credits

Gemaakt door Mohammed Fazil V

Acharya instituut voor technologie (AIT), Bengaluru

Mohammed Fazil V heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

< 8 FET Rekenmachines

Ohmse regioafvoerstroom van FET

Gaan Afvoer huidige FET = Kanaalgeleiding FET*(Afvoerbronspanning FET+3/2*((Oppervlaktepotentiaal FET+Afvoerbronspanning FET-Afvoerbronspanning FET)^(3/2)-(Oppervlaktepotentiaal FET+Afvoerbronspanning FET)^(3/2))/((Oppervlaktepotentiaal FET+Knijp UIT-spanning)^(1/2)))

Transconductantie van FET

Gaan Voorwaartse transconductantie FET = (2*Nul bias-afvoerstroom)/Knijp UIT-spanning*(1-Afvoerbronspanning FET/Knijp UIT-spanning)

Afvoerbronspanning van FET

Gaan Afvoerbronspanning FET = Voedingsspanning bij afvoer-FET-Afvoer huidige FET*(Afvoerweerstand FET+Bron Weerstand FET)

Gate Drain-capaciteit van FET

Gaan Gate Drain-capaciteit FET = Gate Drain Capaciteit Uitschakeltijd FET/(1-Poort naar afvoerspanning FET/Oppervlaktepotentiaal FET)^(1/3)

Gate Source-capaciteit van FET

Gaan Gate Source-capaciteit FET = Poortbroncapaciteit uitschakeltijd FET/(1-(Afvoerbronspanning FET/Oppervlaktepotentiaal FET))^(1/3)

Afvoerstroom van FET

Gaan Afvoer huidige FET = Nul bias-afvoerstroom*(1-Afvoerbronspanning FET/Afsnijspanning FET)^2

Spanningsversterking van FET

Gaan Spanningsversterking FET = -Voorwaartse transconductantie FET*Afvoerweerstand FET

Afknijpspanning van FET

Gaan Knijp UIT-spanning = Knijp UIT Afvoerbronspanning FET-Afvoerbronspanning FET

Gate Source-capaciteit van FET Formule

Gate Source-capaciteit FET = Poortbroncapaciteit uitschakeltijd FET/(1-(Afvoerbronspanning FET/Oppervlaktepotentiaal FET))^(1/3)
C_gs(fet) = T_gs-off(fet)/(1-(V_ds(fet)/Ψ_0(fet)))^(1/3)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!