Capacità della sorgente di gate del FET calcolatrice

✖Il tempo di spegnimento della capacità della sorgente del gate di un FET ha un impatto sul tempo di spegnimento del FET. Il tempo di spegnimento è quello di passare dallo stato acceso allo stato spento.ⓘ Tempo di disattivazione della capacità della sorgente gate [C_off(g-s)]			+10% -10%
✖Il guadagno rispetto alla tensione di sorgente di un JFET è il rapporto tra la variazione della tensione di drain e la variazione della tensione di source.ⓘ Guadagno alla tensione di origine [V_(g-s)]			+10% -10%
✖Psi (ψ) è il potenziale superficiale di un FET. È la differenza di potenziale tra la superficie del semiconduttore e la massa del semiconduttore.ⓘ Psi [Ψ₀]			+10% -10%

✖Capacità da gate a sorgente (Cⓘ Capacità della sorgente di gate del FET [C_(g-s)]

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Formula

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Capacità della sorgente di gate del FET

Formula

`"C"_{"(g-s)"} = "C"_{"off(g-s)"}/(1-("V"_{"(g-s)"}/"Ψ"_{"0"}))^(1/3)`

Esempio

`"45.13716F"="45.134F"/(1-("0.0039V"/"0.01859kPa"))^(1/3)`

Calcolatrice

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Capacità della sorgente di gate del FET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità dal gate alla sorgente = Tempo di disattivazione della capacità della sorgente gate/(1-(Guadagno alla tensione di origine/Psi))^(1/3)
C_(g-s) = C_off(g-s)/(1-(V_(g-s)/Ψ₀))^(1/3)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Capacità dal gate alla sorgente - (Misurato in Farad) - Capacità da gate a sorgente (C
Tempo di disattivazione della capacità della sorgente gate - (Misurato in Farad) - Il tempo di spegnimento della capacità della sorgente del gate di un FET ha un impatto sul tempo di spegnimento del FET. Il tempo di spegnimento è quello di passare dallo stato acceso allo stato spento.
Guadagno alla tensione di origine - (Misurato in Volt) - Il guadagno rispetto alla tensione di sorgente di un JFET è il rapporto tra la variazione della tensione di drain e la variazione della tensione di source.
Psi - (Misurato in Pascal) - Psi (ψ) è il potenziale superficiale di un FET. È la differenza di potenziale tra la superficie del semiconduttore e la massa del semiconduttore.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tempo di disattivazione della capacità della sorgente gate: 45.134 Farad --> 45.134 Farad Nessuna conversione richiesta
Guadagno alla tensione di origine: 0.0039 Volt --> 0.0039 Volt Nessuna conversione richiesta
Psi: 0.01859 Kilopascal --> 18.59 Pascal (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_(g-s) = C_off(g-s)/(1-(V_(g-s)/Ψ₀))^(1/3) --> 45.134/(1-(0.0039/18.59))^(1/3)

Valutare ... ...

C_(g-s) = 45.1371566652782

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

45.1371566652782 Farad --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

45.1371566652782 ≈ 45.13716 Farad <-- Capacità dal gate alla sorgente

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Mohamed Fazil V

Istituto di tecnologia Acharya (AIT), Bangalore

Mohamed Fazil V ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

< 9 FET Calcolatrici

Corrente di drenaggio della regione ohmica del FET

Partire Assorbimento di corrente = Conduttanza del canale*(Scaricare alla tensione di origine+3/2*((Psi+Guadagno alla tensione di origine-Scaricare alla tensione di origine)^(3/2)-(Psi+Guadagno alla tensione di origine)^(3/2))/((Psi+Tensione di spegnimento)^(1/2)))

Transconduttanza del FET

Partire Transconduttanza diretta = (2*Corrente di scarico con polarizzazione zero)/Tensione di spegnimento*(1-Guadagno alla tensione di origine/Tensione di spegnimento)

Scarica la tensione della sorgente del FET

Partire Scaricare alla tensione di origine = Tensione di alimentazione allo scarico-Assorbimento di corrente*(Resistenza allo scarico+Resistenza alla fonte)

Corrente di drenaggio del FET

Partire Assorbimento di corrente = Corrente di scarico con polarizzazione zero*(1-Guadagno alla tensione di origine/Guadagno di interruzione della tensione di origine)^2

Capacità della sorgente di gate del FET

Partire Capacità dal gate alla sorgente = Tempo di disattivazione della capacità della sorgente gate/(1-(Guadagno alla tensione di origine/Psi))^(1/3)

Capacità di drenaggio del gate del FET

Partire Porta per la capacità di drenaggio = Tempo di disattivazione della capacità di drenaggio del gate/(1-Porta a tensione di drenaggio/Psi)^(1/3)

Capacità del substrato di gate del FET

Partire Capacità del substrato di gate = Tempo di disattivazione della capacità del substrato del gate/(1-(Tensione del substrato di gate/Psi))^(1/2)

Ridurre la tensione del FET

Partire Tensione di spegnimento = Pizzicare OFF la tensione dal drenaggio alla sorgente-Guadagno alla tensione di origine

Guadagno di tensione del FET

Partire Guadagno di tensione = -Transconduttanza diretta*Resistenza allo scarico

Capacità della sorgente di gate del FET Formula

Capacità dal gate alla sorgente = Tempo di disattivazione della capacità della sorgente gate/(1-(Guadagno alla tensione di origine/Psi))^(1/3)
C_(g-s) = C_off(g-s)/(1-(V_(g-s)/Ψ₀))^(1/3)

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