Intrinsieke concentratie Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Kenmerken van ladingdragers

Diode-eigenschappen

Elektrostatische parameters

Halfgeleiderkenmerken

Transistor-bedrijfsparameters

✖Effectieve dichtheid in valentieband wordt gedefinieerd als de dichtheid van elektronenconcentratie in de valentieband van een element.ⓘ Effectieve dichtheid in valentieband [N_c]			+10% -10%
✖Effectieve dichtheid in geleidingsband wordt gedefinieerd als de dichtheid van elektronenconcentratie in de geleidingsband van een element.ⓘ Effectieve dichtheid in geleidingsband [N_v]			+10% -10%
✖Temperatuurafhankelijkheid van energie Band Gap beschrijft de invloed van fotonen op bandgap-energie.ⓘ Temperatuurafhankelijkheid van Energy Band Gap [E_g]			+10% -10%
✖Temperatuur is de mate of intensiteit van warmte die aanwezig is in een stof of object.ⓘ Temperatuur [T]			+10% -10%

✖Intrinsieke dragerconcentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.ⓘ Intrinsieke concentratie [n_i]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Intrinsieke concentratie

Formule

`"n"_{"i"} = sqrt("N"_{"c"}*"N"_{"v"})*e^((-"E"_{"g"})/(2*"[BoltZ]"*"T"))`

Voorbeeld

`"1.3E^8/m³"=sqrt("1.02e18/m³"*"0.5e18/m³")*e^((-"1.12eV")/(2*"[BoltZ]"*"290K"))`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Kenmerken van ladingdragers Formules Pdf

Intrinsieke concentratie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Effectieve dichtheid in valentieband*Effectieve dichtheid in geleidingsband)*e^((-Temperatuurafhankelijkheid van Energy Band Gap)/(2*[BoltZ]*Temperatuur))
n_i = sqrt(N_c*N_v)*e^((-E_g)/(2*[BoltZ]*T))
Deze formule gebruikt 2 Constanten, 1 Functies, 5 Variabelen

Gebruikte constanten

[BoltZ] - Boltzmann-constante Waarde genomen als 1.38064852E-23
e - De constante van Napier Waarde genomen als 2.71828182845904523536028747135266249

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Intrinsieke dragerconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke dragerconcentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.
Effectieve dichtheid in valentieband - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Effectieve dichtheid in valentieband wordt gedefinieerd als de dichtheid van elektronenconcentratie in de valentieband van een element.
Effectieve dichtheid in geleidingsband - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Effectieve dichtheid in geleidingsband wordt gedefinieerd als de dichtheid van elektronenconcentratie in de geleidingsband van een element.
Temperatuurafhankelijkheid van Energy Band Gap - (Gemeten in Joule) - Temperatuurafhankelijkheid van energie Band Gap beschrijft de invloed van fotonen op bandgap-energie.
Temperatuur - (Gemeten in Kelvin) - Temperatuur is de mate of intensiteit van warmte die aanwezig is in een stof of object.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Effectieve dichtheid in valentieband: 1.02E+18 1 per kubieke meter --> 1.02E+18 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Effectieve dichtheid in geleidingsband: 5E+17 1 per kubieke meter --> 5E+17 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Temperatuurafhankelijkheid van Energy Band Gap: 1.12 Electron-volt --> 1.79443860960001E-19 Joule (Bekijk de conversie hier)
Temperatuur: 290 Kelvin --> 290 Kelvin Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

n_i = sqrt(N_c*N_v)*e^((-E_g)/(2*[BoltZ]*T)) --> sqrt(1.02E+18*5E+17)*e^((-1.79443860960001E-19)/(2*[BoltZ]*290))

Evalueren ... ...

n_i = 132370745.751748

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

132370745.751748 1 per kubieke meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

132370745.751748 ≈ 1.3E+8 1 per kubieke meter <-- Intrinsieke dragerconcentratie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Kenmerken van ladingdragers » Intrinsieke concentratie

Credits

Gemaakt door Rachita C

BMS College of Engineering (BMSCE), Banglore

Rachita C heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 16 Kenmerken van ladingdragers Rekenmachines

Intrinsieke concentratie

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Effectieve dichtheid in valentieband*Effectieve dichtheid in geleidingsband)*e^((-Temperatuurafhankelijkheid van Energy Band Gap)/(2*[BoltZ]*Temperatuur))

Elektrostatische afbuigingsgevoeligheid van CRT

Gaan Gevoeligheid voor elektrostatische afbuiging = (Afstand tussen afbuigplaten*Scherm en afbuigplaten Afstand)/(2*Afbuiging van de straal*Elektron Snelheid)

Huidige dichtheid als gevolg van elektronen

Gaan Elektronenstroomdichtheid = [Charge-e]*Concentratie van elektronen*Mobiliteit van Electron*Elektrische veldintensiteit

Huidige dichtheid als gevolg van gaten

Gaan Gaten Huidige Dichtheid = [Charge-e]*Gaten Concentratie*Mobiliteit van gaten*Elektrische veldintensiteit

Elektronen diffusieconstante

Gaan Elektronendiffusieconstante = Mobiliteit van Electron*(([BoltZ]*Temperatuur)/[Charge-e])

Gaten Diffusie Constante

Gaan Gaten Diffusie Constante = Mobiliteit van gaten*(([BoltZ]*Temperatuur)/[Charge-e])

Intrinsieke dragerconcentratie onder niet-evenwichtsomstandigheden

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Meerderheid Carrier Concentratie*Concentratie van minderheidsdragers)

Kracht op huidig element in magnetisch veld

Gaan Kracht = Huidig element*Magnetische fluxdichtheid*sin(Hoek tussen vlakken)

Tijdsperiode van Electron

Gaan Periode van deeltjes cirkelvormig pad = (2*3.14*[Mass-e])/(Magnetische veldsterkte*[Charge-e])

Snelheid van Electron

Gaan Snelheid door spanning = sqrt((2*[Charge-e]*Spanning)/[Mass-e])

Geleidbaarheid in metalen

Gaan Geleidbaarheid = Concentratie van elektronen*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron

Hole Diffusion Lengte

Gaan Gaten Verspreidingslengte = sqrt(Gaten Diffusie Constante*Gatendrager Levensduur)

Snelheid van elektronen in krachtvelden

Gaan Snelheid van elektron in krachtvelden = Elektrische veldintensiteit/Magnetische veldsterkte

Thermische spanning

Gaan Thermische spanning = [BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e]

Thermische spanning met behulp van de vergelijking van Einstein

Gaan Thermische spanning = Elektronendiffusieconstante/Mobiliteit van Electron

Convectiestroomdichtheid

Gaan Convectiestroomdichtheid = Ladingsdichtheid*Laad snelheid

Intrinsieke concentratie Formule

Van welke factoren is de intrinsieke concentratie afhankelijk?

Dit aantal dragers is afhankelijk van de bandgap van het materiaal en van de temperatuur van het materiaal. Een grote bandafstand zal het moeilijker maken voor een drager om thermisch geëxciteerd te worden over de bandafstand, en daarom is de intrinsieke dragerconcentratie lager in materialen met een grotere bandafstand.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!