Concentrazione intrinseca calcolatrice

↳

Elettronica

Civile

Elettrico

Elettronica e strumentazione

Ingegneria Chimica

Ingegneria di produzione

Meccanico

Scienza dei materiali

⤿

Caratteristiche del portatore di carica

Caratteristiche dei semiconduttori

Caratteristiche del diodo

Parametri elettrostatici

Parametri operativi del transistor

✖La densità effettiva nella banda di valenza è definita come la densità della concentrazione di elettroni nella banda di valenza di un elemento.ⓘ Densità effettiva in banda di valenza [N_c]			+10% -10%
✖La densità effettiva nella banda di conduzione è definita come la densità della concentrazione di elettroni nella banda di conduzione di un elemento.ⓘ Densità effettiva in banda di conduzione [N_v]			+10% -10%
✖Dipendenza dalla temperatura dell'energia Band Gap descrive l'influenza dei fotoni sull'energia del band-gap.ⓘ Dipendenza dalla temperatura del band gap energetico [E_g]			+10% -10%
✖La temperatura è il grado o l'intensità del calore presente in una sostanza o oggetto.ⓘ Temperatura [T]			+10% -10%

✖La concentrazione portante intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.ⓘ Concentrazione intrinseca [n_i]

⎘ Copia

👎

Formula

✖

Concentrazione intrinseca

Formula

`"n"_{"i"} = sqrt("N"_{"c"}*"N"_{"v"})*e^((-"E"_{"g"})/(2*"[BoltZ]"*"T"))`

Esempio

`"1.3E^8/m³"=sqrt("1.02e18/m³"*"0.5e18/m³")*e^((-"1.12eV")/(2*"[BoltZ]"*"290K"))`

Calcolatrice

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento Caratteristiche del portatore di carica Formule PDF

Concentrazione intrinseca Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità effettiva in banda di valenza*Densità effettiva in banda di conduzione)*e^((-Dipendenza dalla temperatura del band gap energetico)/(2*[BoltZ]*Temperatura))
n_i = sqrt(N_c*N_v)*e^((-E_g)/(2*[BoltZ]*T))
Questa formula utilizza 2 Costanti, 1 Funzioni, 5 Variabili

Costanti utilizzate

[BoltZ] - Costante di Boltzmann Valore preso come 1.38064852E-23
e - Costante di Napier Valore preso come 2.71828182845904523536028747135266249

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Concentrazione portante intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione portante intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.
Densità effettiva in banda di valenza - (Misurato in 1 per metro cubo) - La densità effettiva nella banda di valenza è definita come la densità della concentrazione di elettroni nella banda di valenza di un elemento.
Densità effettiva in banda di conduzione - (Misurato in 1 per metro cubo) - La densità effettiva nella banda di conduzione è definita come la densità della concentrazione di elettroni nella banda di conduzione di un elemento.
Dipendenza dalla temperatura del band gap energetico - (Misurato in Joule) - Dipendenza dalla temperatura dell'energia Band Gap descrive l'influenza dei fotoni sull'energia del band-gap.
Temperatura - (Misurato in Kelvin) - La temperatura è il grado o l'intensità del calore presente in una sostanza o oggetto.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Densità effettiva in banda di valenza: 1.02E+18 1 per metro cubo --> 1.02E+18 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Densità effettiva in banda di conduzione: 5E+17 1 per metro cubo --> 5E+17 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Dipendenza dalla temperatura del band gap energetico: 1.12 Electron-Volt --> 1.79443860960001E-19 Joule (Controlla la conversione qui)
Temperatura: 290 Kelvin --> 290 Kelvin Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

n_i = sqrt(N_c*N_v)*e^((-E_g)/(2*[BoltZ]*T)) --> sqrt(1.02E+18*5E+17)*e^((-1.79443860960001E-19)/(2*[BoltZ]*290))

Valutare ... ...

n_i = 132370745.751748

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

132370745.751748 1 per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

132370745.751748 ≈ 1.3E+8 1 per metro cubo <-- Concentrazione portante intrinseca

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettronica » EDC » Caratteristiche del portatore di carica » Concentrazione intrinseca

Titoli di coda

Creato da Rachita C

BMS College of Engineering (BMSCE), Banglore

Rachita C ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 16 Caratteristiche del portatore di carica Calcolatrici

Concentrazione intrinseca

Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità effettiva in banda di valenza*Densità effettiva in banda di conduzione)*e^((-Dipendenza dalla temperatura del band gap energetico)/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Sensibilità alla deflessione elettrostatica del CRT

Partire Sensibilità alla deflessione elettrostatica = (Distanza tra le piastre deflettrici*Distanza Schermo e Piastre Deflettenti)/(2*Deviazione del raggio*Velocità dell'elettrone)

Densità di corrente dovuta agli elettroni

Partire Densità di corrente elettronica = [Charge-e]*Concentrazione di elettroni*Mobilità dell'elettrone*Intensità del campo elettrico

Densità di corrente dovuta ai buchi

Partire Densità di corrente dei fori = [Charge-e]*Concentrazione dei fori*Mobilità dei fori*Intensità del campo elettrico

Costante di diffusione degli elettroni

Partire Costante di diffusione elettronica = Mobilità dell'elettrone*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Concentrazione intrinseca di portatori in condizioni di non equilibrio

Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Concentrazione di portatori maggioritari*Concentrazione di portatori di minoranza)

Costante di diffusione dei fori

Partire Costante di diffusione dei fori = Mobilità dei fori*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Periodo di tempo dell'elettrone

Partire Periodo del percorso circolare delle particelle = (2*3.14*[Mass-e])/(Intensità del campo magnetico*[Charge-e])

Forza sull'elemento corrente nel campo magnetico

Partire Forza = Elemento attuale*Densità del flusso magnetico*sin(Angolo tra i piani)

Velocità dell'elettrone

Partire Velocità dovuta alla tensione = sqrt((2*[Charge-e]*Voltaggio)/[Mass-e])

Lunghezza di diffusione del foro

Partire Lunghezza di diffusione dei fori = sqrt(Costante di diffusione dei fori*Supporto per fori a vita)

Conduttività nei metalli

Partire Conducibilità = Concentrazione di elettroni*[Charge-e]*Mobilità dell'elettrone

Velocità dell'elettrone nei campi di forza

Partire Velocità dell'elettrone nei campi di forza = Intensità del campo elettrico/Intensità del campo magnetico

Tensione termica

Partire Tensione termica = [BoltZ]*Temperatura/[Charge-e]

Tensione termica utilizzando l'equazione di Einstein

Partire Tensione termica = Costante di diffusione elettronica/Mobilità dell'elettrone

Densità di corrente di convezione

Partire Densità di corrente di convezione = Densità di carica*Velocità di carica

Concentrazione intrinseca Formula

Da quali fattori dipende la concentrazione intrinseca?

Questo numero di portanti dipende dal bandgap del materiale e dalla temperatura del materiale. Un ampio intervallo di banda renderà più difficile per un vettore essere eccitato termicamente attraverso il passaggio di banda, e quindi la concentrazione del vettore intrinseco è inferiore nei materiali con un intervallo di banda superiore.

Casa

GRATUITO PDF

🔍 Ricerca

Categorie

Condividere

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!