Junctiespanning Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

✖Bronspanning is het verschil in elektrisch potentiaal tussen twee punten, dat wordt gedefinieerd als de arbeid die per ladingseenheid nodig is om een testlading tussen de twee punten te verplaatsen.ⓘ Bronspanning [V]			+10% -10%
✖Serieweerstand in p-junctie wordt gedefinieerd als de totale weerstand in de serie binnen een circuit op p-junctie.ⓘ Serieweerstand in P-kruising [R_se(p)]			+10% -10%
✖Serieweerstand in n-junctie wordt gedefinieerd als de totale weerstand in de serie binnen een circuit op n-junctie.ⓘ Serieweerstand in N-kruising [R_se(n)]			+10% -10%
✖Elektrische stroom is de tijdsnelheid van ladingsstroom door een dwarsdoorsnede in een solid-state apparaat.ⓘ Elektrische stroom [I]			+10% -10%

✖Junctiespanning is het gedeelte van het kanaal in een metaaloxide veldeffecttransistor waarin geen ladingsdragers zijn.ⓘ Junctiespanning [V_j]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Junctiespanning

Formule

`"V"_{"j"} = "V"-("R"_{"se(p)"}+"R"_{"se(n)"})*"I"`

Voorbeeld

`"119.9V"="120V"-("23.3Ω"+"476.7Ω")*"0.2mA"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden SSD-knooppunt Formules Pdf PDF Image

Junctiespanning Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Verbindingsspanning = Bronspanning-(Serieweerstand in P-kruising+Serieweerstand in N-kruising)*Elektrische stroom
V_j = V-(R_se(p)+R_se(n))*I
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Verbindingsspanning - (Gemeten in Volt) - Junctiespanning is het gedeelte van het kanaal in een metaaloxide veldeffecttransistor waarin geen ladingsdragers zijn.
Bronspanning - (Gemeten in Volt) - Bronspanning is het verschil in elektrisch potentiaal tussen twee punten, dat wordt gedefinieerd als de arbeid die per ladingseenheid nodig is om een testlading tussen de twee punten te verplaatsen.
Serieweerstand in P-kruising - (Gemeten in Ohm) - Serieweerstand in p-junctie wordt gedefinieerd als de totale weerstand in de serie binnen een circuit op p-junctie.
Serieweerstand in N-kruising - (Gemeten in Ohm) - Serieweerstand in n-junctie wordt gedefinieerd als de totale weerstand in de serie binnen een circuit op n-junctie.
Elektrische stroom - (Gemeten in Ampère) - Elektrische stroom is de tijdsnelheid van ladingsstroom door een dwarsdoorsnede in een solid-state apparaat.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Bronspanning: 120 Volt --> 120 Volt Geen conversie vereist
Serieweerstand in P-kruising: 23.3 Ohm --> 23.3 Ohm Geen conversie vereist
Serieweerstand in N-kruising: 476.7 Ohm --> 476.7 Ohm Geen conversie vereist
Elektrische stroom: 0.2 milliampère --> 0.0002 Ampère (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_j = V-(R_se(p)+R_se(n))*I --> 120-(23.3+476.7)*0.0002

Evalueren ... ...

V_j = 119.9

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

119.9 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

119.9 Volt <-- Verbindingsspanning

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » SSD-knooppunt » Junctiespanning

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 16 SSD-knooppunt Rekenmachines

Verbindingscapaciteit

Gaan Verbindingscapaciteit = (Verbindingsgebied/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Constante lengteverschuiving*Dopingconcentratie van base)/(Bronspanning-Bronspanning 1))

Lengte van de P-zijde kruising

Gaan Lengte van de P-zijde kruising = (Optische Stroom/([Charge-e]*Verbindingsgebied*Optische generatiesnelheid))-(Junction Overgangsbreedte+Diffusielengte van overgangsgebied)

Junction Overgangsbreedte

Gaan Junction Overgangsbreedte = Ladingspenetratie N-type*((Acceptor concentratie+Donor concentratie)/Acceptor concentratie)

Serieweerstand in P-type

Gaan Serieweerstand in P-kruising = ((Bronspanning-Verbindingsspanning)/Elektrische stroom)-Serieweerstand in N-kruising

Serieweerstand in N-type

Gaan Serieweerstand in N-kruising = ((Bronspanning-Verbindingsspanning)/Elektrische stroom)-Serieweerstand in P-kruising

Junctiespanning

Gaan Verbindingsspanning = Bronspanning-(Serieweerstand in P-kruising+Serieweerstand in N-kruising)*Elektrische stroom

Dwarsdoorsnede van kruising

Gaan Verbindingsgebied = Totale acceptatiekosten/([Charge-e]*Ladingspenetratie N-type*Acceptor concentratie)

Breedte van het type N

Gaan Ladingspenetratie N-type = Totale acceptatiekosten/(Verbindingsgebied*Acceptor concentratie*[Charge-e])

Acceptor concentratie

Gaan Acceptor concentratie = Totale acceptatiekosten/([Charge-e]*Ladingspenetratie N-type*Verbindingsgebied)

Totale acceptatiekosten

Gaan Totale acceptatiekosten = [Charge-e]*Ladingspenetratie N-type*Verbindingsgebied*Acceptor concentratie

Donor concentratie

Gaan Donor concentratie = Totale acceptatiekosten/([Charge-e]*Ladingspenetratie P-type*Verbindingsgebied)

Absorptiecoëfficiënt

Gaan Absorptiecoëfficiënt = (-1/Monster Dikte)*ln(Opgenomen vermogen/Incidentele kracht)

Opgenomen vermogen

Gaan Opgenomen vermogen = Incidentele kracht*exp(-Monster Dikte*Absorptiecoëfficiënt)

Netto verdeling van kosten

Gaan Netto distributie = (Donor concentratie-Acceptor concentratie)/Gegradeerde constante

PN Junction Lengte

Gaan Verbindingslengte = Constante lengteverschuiving+Effectieve kanaallengte

Kwantum nummer

Gaan Kwantum nummer = [Coulomb]*Potentiële putlengte/3.14

Junctiespanning Formule

Verbindingsspanning = Bronspanning-(Serieweerstand in P-kruising+Serieweerstand in N-kruising)*Elektrische stroom
V_j = V-(R_se(p)+R_se(n))*I

Wat is de junctiespanning van een halfgeleider?

De pn-junctiediodes gemaakt van siliciumhalfgeleiders werken bij hoge temperaturen dan de germaniumhalfgeleiderdiodes. Voorwaartse voorspanning voor silicium halfgeleiderdiode is ongeveer 0,7 volt, terwijl voor germanium halfgeleiderdiode ongeveer 0,3 volt is.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!