Переходное напряжение Калькулятор

✖Напряжение источника — это разница электрических потенциалов между двумя точками, которая определяется как работа, необходимая на единицу заряда для перемещения пробного заряда между двумя точками.ⓘ Напряжение источника [V]			+10% -10%
✖Последовательное сопротивление в p-переходе определяется как общее последовательное сопротивление внутри цепи в p-переходе.ⓘ Последовательное сопротивление в P-переходе [R_se(p)]			+10% -10%
✖Последовательное сопротивление в n-переходе определяется как общее последовательное сопротивление внутри цепи в n-переходе.ⓘ Последовательное сопротивление в N-переходе [R_se(n)]			+10% -10%
✖Электрический ток — это временная скорость прохождения заряда через площадь поперечного сечения в твердотельном устройстве.ⓘ Электрический ток [I]			+10% -10%

✖Напряжение перехода — это участок канала в полевом транзисторе на основе оксида металла, в котором отсутствуют носители заряда.ⓘ Переходное напряжение [V_j]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Переходное напряжение

Формула

`"V"_{"j"} = "V"-("R"_{"se(p)"}+"R"_{"se(n)"})*"I"`

Пример

`"119.9V"="120V"-("23.3Ω"+"476.7Ω")*"0.2mA"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать SSD-соединение Формулы PDF PDF Image

Переходное напряжение Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Напряжение соединения = Напряжение источника-(Последовательное сопротивление в P-переходе+Последовательное сопротивление в N-переходе)*Электрический ток
V_j = V-(R_se(p)+R_se(n))*I
В этой формуле используются 5 Переменные

Используемые переменные

Напряжение соединения - (Измеряется в вольт) - Напряжение перехода — это участок канала в полевом транзисторе на основе оксида металла, в котором отсутствуют носители заряда.
Напряжение источника - (Измеряется в вольт) - Напряжение источника — это разница электрических потенциалов между двумя точками, которая определяется как работа, необходимая на единицу заряда для перемещения пробного заряда между двумя точками.
Последовательное сопротивление в P-переходе - (Измеряется в ом) - Последовательное сопротивление в p-переходе определяется как общее последовательное сопротивление внутри цепи в p-переходе.
Последовательное сопротивление в N-переходе - (Измеряется в ом) - Последовательное сопротивление в n-переходе определяется как общее последовательное сопротивление внутри цепи в n-переходе.
Электрический ток - (Измеряется в Ампер) - Электрический ток — это временная скорость прохождения заряда через площадь поперечного сечения в твердотельном устройстве.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Напряжение источника: 120 вольт --> 120 вольт Конверсия не требуется
Последовательное сопротивление в P-переходе: 23.3 ом --> 23.3 ом Конверсия не требуется
Последовательное сопротивление в N-переходе: 476.7 ом --> 476.7 ом Конверсия не требуется
Электрический ток: 0.2 Миллиампер --> 0.0002 Ампер (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

V_j = V-(R_se(p)+R_se(n))*I --> 120-(23.3+476.7)*0.0002

Оценка ... ...

V_j = 119.9

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

119.9 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

119.9 вольт <-- Напряжение соединения

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Твердотельные устройства » SSD-соединение » Переходное напряжение

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 16 SSD-соединение Калькуляторы

Емкость перехода

Идти Емкость перехода = (Зона соединения/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Смещение постоянной длины*Легирующая концентрация основания)/(Напряжение источника-Напряжение источника 1))

Длина соединения на стороне P

Идти Длина соединения на стороне P = (Оптический ток/([Charge-e]*Зона соединения*Скорость оптической генерации))-(Ширина перехода соединения+Диффузионная длина переходной области)

Последовательное сопротивление P-типа

Идти Последовательное сопротивление в P-переходе = ((Напряжение источника-Напряжение соединения)/Электрический ток)-Последовательное сопротивление в N-переходе

Последовательное сопротивление типа N

Идти Последовательное сопротивление в N-переходе = ((Напряжение источника-Напряжение соединения)/Электрический ток)-Последовательное сопротивление в P-переходе

Переходное напряжение

Идти Напряжение соединения = Напряжение источника-(Последовательное сопротивление в P-переходе+Последовательное сопротивление в N-переходе)*Электрический ток

Ширина перехода соединения

Идти Ширина перехода соединения = Проникновение заряда N-типа*((Концентрация акцептора+Концентрация доноров)/Концентрация акцептора)

Площадь поперечного сечения соединения

Идти Зона соединения = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда N-типа*Концентрация акцептора)

Концентрация акцептора

Идти Концентрация акцептора = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда N-типа*Зона соединения)

Ширина N-типа

Идти Проникновение заряда N-типа = Общий заряд акцептора/(Зона соединения*Концентрация акцептора*[Charge-e])

Общий заряд акцептора

Идти Общий заряд акцептора = [Charge-e]*Проникновение заряда N-типа*Зона соединения*Концентрация акцептора

Концентрация доноров

Идти Концентрация доноров = Общий заряд акцептора/([Charge-e]*Проникновение заряда P-типа*Зона соединения)

Коэффициент поглощения

Идти Коэффициент поглощения = (-1/Толщина образца)*ln(Поглощенная мощность/Мощность инцидента)

Поглощенная мощность

Идти Поглощенная мощность = Мощность инцидента*exp(-Толщина образца*Коэффициент поглощения)

Чистое распределение заряда

Идти Чистое распределение = (Концентрация доноров-Концентрация акцептора)/Оцененная постоянная

Длина соединения PN

Идти Длина соединения = Смещение постоянной длины+Эффективная длина канала

Квантовое число

Идти Квантовое число = [Coulomb]*Потенциальная длина скважины/3.14

Переходное напряжение формула

Чему равно напряжение перехода полупроводника?

Диоды с p-n переходом, изготовленные из кремниевых полупроводников, работают при более высоких температурах, чем германиевые полупроводниковые диоды. Прямое напряжение смещения для кремниевого полупроводникового диода составляет приблизительно 0,7 вольта, тогда как для германиевого полупроводникового диода оно составляет приблизительно 0,3 вольта.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!