Calculadora Voltaje de unión

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Portadores de semiconductores

✖El voltaje de fuente es la diferencia de potencial eléctrico entre dos puntos, que se define como el trabajo necesario por unidad de carga para mover una carga de prueba entre los dos puntos.ⓘ Voltaje de fuente [V]			+10% -10%
✖La resistencia en serie en la unión p se define como la resistencia total en la serie dentro de un circuito en la unión p.ⓘ Resistencia en serie en la unión P [R_se(p)]			+10% -10%
✖La resistencia en serie en la unión n se define como la resistencia total en la serie dentro de un circuito en la unión n.ⓘ Resistencia en serie en la unión N [R_se(n)]			+10% -10%
✖La corriente eléctrica es la tasa de tiempo del flujo de carga a través de un área de sección transversal en un dispositivo de estado sólido.ⓘ Corriente eléctrica [I]			+10% -10%

✖El voltaje de unión es la parte del canal en un transistor de efecto de campo de óxido metálico en el que no hay portadores de carga.ⓘ Voltaje de unión [V_j]

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Fórmula

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Voltaje de unión

Fórmula

`"V"_{"j"} = "V"-("R"_{"se(p)"}+"R"_{"se(n)"})*"I"`

Ejemplo

`"119.9V"="120V"-("23.3Ω"+"476.7Ω")*"0.2mA"`

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Voltaje de unión Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Voltaje de unión = Voltaje de fuente-(Resistencia en serie en la unión P+Resistencia en serie en la unión N)*Corriente eléctrica
V_j = V-(R_se(p)+R_se(n))*I
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Voltaje de unión - (Medido en Voltio) - El voltaje de unión es la parte del canal en un transistor de efecto de campo de óxido metálico en el que no hay portadores de carga.
Voltaje de fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje de fuente es la diferencia de potencial eléctrico entre dos puntos, que se define como el trabajo necesario por unidad de carga para mover una carga de prueba entre los dos puntos.
Resistencia en serie en la unión P - (Medido en Ohm) - La resistencia en serie en la unión p se define como la resistencia total en la serie dentro de un circuito en la unión p.
Resistencia en serie en la unión N - (Medido en Ohm) - La resistencia en serie en la unión n se define como la resistencia total en la serie dentro de un circuito en la unión n.
Corriente eléctrica - (Medido en Amperio) - La corriente eléctrica es la tasa de tiempo del flujo de carga a través de un área de sección transversal en un dispositivo de estado sólido.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Voltaje de fuente: 120 Voltio --> 120 Voltio No se requiere conversión
Resistencia en serie en la unión P: 23.3 Ohm --> 23.3 Ohm No se requiere conversión
Resistencia en serie en la unión N: 476.7 Ohm --> 476.7 Ohm No se requiere conversión
Corriente eléctrica: 0.2 Miliamperio --> 0.0002 Amperio (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_j = V-(R_se(p)+R_se(n))*I --> 120-(23.3+476.7)*0.0002

Evaluar ... ...

V_j = 119.9

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

119.9 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

119.9 Voltio <-- Voltaje de unión

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Capacitancia de unión

Vamos Capacitancia de unión = (Área de unión/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Compensación de longitud constante*Dopaje Concentración de Base)/(Voltaje de fuente-Voltaje de fuente 1))

Longitud de la unión del lado P

Vamos Longitud de la unión del lado P = (Corriente óptica/([Charge-e]*Área de unión*Tasa de generación óptica))-(Ancho de transición de unión+Longitud de difusión de la región de transición)

Ancho de transición de unión

Vamos Ancho de transición de unión = Penetración de carga tipo N*((Concentración del aceptor+Concentración de donantes)/Concentración del aceptor)

Resistencia en serie en tipo P

Vamos Resistencia en serie en la unión P = ((Voltaje de fuente-Voltaje de unión)/Corriente eléctrica)-Resistencia en serie en la unión N

Resistencia en serie en tipo N

Vamos Resistencia en serie en la unión N = ((Voltaje de fuente-Voltaje de unión)/Corriente eléctrica)-Resistencia en serie en la unión P

Voltaje de unión

Vamos Voltaje de unión = Voltaje de fuente-(Resistencia en serie en la unión P+Resistencia en serie en la unión N)*Corriente eléctrica

Área transversal de la unión

Vamos Área de unión = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Concentración del aceptor)

Concentración del aceptor

Vamos Concentración del aceptor = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Área de unión)

Concentración de donantes

Vamos Concentración de donantes = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo P*Área de unión)

Ancho tipo N

Vamos Penetración de carga tipo N = Cargo total del aceptador/(Área de unión*Concentración del aceptor*[Charge-e])

Cargo total del aceptador

Vamos Cargo total del aceptador = [Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Área de unión*Concentración del aceptor

Coeficiente de absorción

Vamos Coeficiente de absorción = (-1/Espesor de la muestra)*ln(Poder absorbido/Potencia incidente)

Poder absorbido

Vamos Poder absorbido = Potencia incidente*exp(-Espesor de la muestra*Coeficiente de absorción)

Distribución neta de cargo

Vamos Distribución neta = (Concentración de donantes-Concentración del aceptor)/Constante graduada

Longitud de la unión PN

Vamos Longitud de unión = Compensación de longitud constante+Longitud efectiva del canal

Número cuántico

Vamos Número cuántico = [Coulomb]*Longitud potencial del pozo/3.14

Voltaje de unión Fórmula

Voltaje de unión = Voltaje de fuente-(Resistencia en serie en la unión P+Resistencia en serie en la unión N)*Corriente eléctrica
V_j = V-(R_se(p)+R_se(n))*I

¿Cuál es el voltaje de unión de un semiconductor?

Los diodos de unión pn hechos de semiconductores de silicio funcionan a alta temperatura que los diodos semiconductores de germanio. El voltaje de polarización directa para el diodo semiconductor de silicio es de aproximadamente 0,7 voltios, mientras que para el diodo semiconductor de germanio es de aproximadamente 0,3 voltios.

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