Lagere kritische frequentie van Mosfet Rekenmachine

✖Weerstand is de weerstand tegen de stroom in een elektrisch circuit. Het wordt gemeten in ohm. Hoe hoger de weerstand, hoe meer weerstand er is tegen de stroom.ⓘ Weerstand [R_s]			+10% -10%
✖Ingangsweerstand is de weerstand tegen de stroom in een elektrisch circuit. Het wordt gemeten in ohm (Ω). Hoe hoger de weerstand, hoe meer weerstand er is tegen de stroom.ⓘ Ingangsweerstand [R_in]			+10% -10%
✖Capaciteit is het vermogen van een apparaat om elektrische energie op te slaan in de vorm van een elektrische lading.ⓘ Capaciteit [c]			+10% -10%

✖Hoekfrequentie van een circuit is de frequentie waarbij de versterking van het circuit aanzienlijk begint af te nemen.ⓘ Lagere kritische frequentie van Mosfet [f_c]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Lagere kritische frequentie van Mosfet

Formule

`"f"_{"c"} = 1/(2*pi*("R"_{"s"}+"R"_{"in"})*"c")`

Voorbeeld

`"0.00016Hz"=1/(2*pi*("7.9Ω"+"200Ω")*"4.78F")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Lagere kritische frequentie van Mosfet Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Hoekfrequentie = 1/(2*pi*(Weerstand+Ingangsweerstand)*Capaciteit)
f_c = 1/(2*pi*(R_s+R_in)*c)
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 4 Variabelen

Gebruikte constanten

pi - De constante van Archimedes Waarde genomen als 3.14159265358979323846264338327950288

Variabelen gebruikt

Hoekfrequentie - (Gemeten in Hertz) - Hoekfrequentie van een circuit is de frequentie waarbij de versterking van het circuit aanzienlijk begint af te nemen.
Weerstand - (Gemeten in Ohm) - Weerstand is de weerstand tegen de stroom in een elektrisch circuit. Het wordt gemeten in ohm. Hoe hoger de weerstand, hoe meer weerstand er is tegen de stroom.
Ingangsweerstand - (Gemeten in Ohm) - Ingangsweerstand is de weerstand tegen de stroom in een elektrisch circuit. Het wordt gemeten in ohm (Ω). Hoe hoger de weerstand, hoe meer weerstand er is tegen de stroom.
Capaciteit - (Gemeten in Farad) - Capaciteit is het vermogen van een apparaat om elektrische energie op te slaan in de vorm van een elektrische lading.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Weerstand: 7.9 Ohm --> 7.9 Ohm Geen conversie vereist
Ingangsweerstand: 200 Ohm --> 200 Ohm Geen conversie vereist
Capaciteit: 4.78 Farad --> 4.78 Farad Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

f_c = 1/(2*pi*(R_s+R_in)*c) --> 1/(2*pi*(7.9+200)*4.78)

Evalueren ... ...

f_c = 0.000160153983641853

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.000160153983641853 Hertz --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.000160153983641853 ≈ 0.00016 Hertz <-- Hoekfrequentie

(Berekening voltooid in 00.009 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model » Lagere kritische frequentie van Mosfet

Credits

Gemaakt door Suma Madhuri

VIT Universiteit (VIT), Chennai

Suma Madhuri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Ritwik Tripathi

Vellore Instituut voor Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 100+ rekenmachines!

< 15 Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Geleiding van kanaal van MOSFET's

Gaan Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*Spanning over Oxide

Overgangsfrequentie van MOSFET

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))

Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET

Gaan Elektronenlading in kanaal = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte*Effectieve spanning

Faseverschuiving in uitgangs-RC-circuit

Gaan Faseverschuiving = arctan(Capacitieve reactantie/(Weerstand+Belastingsweerstand))

Lagere kritische frequentie van Mosfet

Gaan Hoekfrequentie = 1/(2*pi*(Weerstand+Ingangsweerstand)*Capaciteit)

Uitgang Miller-capaciteit Mosfet

Gaan Uitgang Miller-capaciteit = Gate-drain-capaciteit*((Spanningsversterking+1)/Spanningsversterking)

Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET

Gaan Kanaalbreedte = Overlapcapaciteit/(Oxidecapaciteit*Overlappingslengte)