Frequenza critica inferiore del Mosfet calcolatrice

✖La resistenza è l'opposizione al flusso di corrente in un circuito elettrico. Si misura in ohm. Maggiore è la resistenza, maggiore è l'opposizione al flusso di corrente.ⓘ Resistenza [R_s]			+10% -10%
✖La resistenza di ingresso è l'opposizione al flusso di corrente in un circuito elettrico. Si misura in ohm (Ω). Maggiore è la resistenza, maggiore è l'opposizione al flusso di corrente.ⓘ Resistenza in ingresso [R_in]			+10% -10%
✖La capacità è la capacità di un dispositivo di immagazzinare energia elettrica sotto forma di carica elettrica.ⓘ Capacità [c]			+10% -10%

✖La frequenza d'angolo di un circuito è la frequenza alla quale il guadagno del circuito inizia a diminuire in modo significativo.ⓘ Frequenza critica inferiore del Mosfet [f_c]

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Formula

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Frequenza critica inferiore del Mosfet

Formula

`"f"_{"c"} = 1/(2*pi*("R"_{"s"}+"R"_{"in"})*"c")`

Esempio

`"0.00016Hz"=1/(2*pi*("7.9Ω"+"200Ω")*"4.78F")`

Calcolatrice

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Frequenza critica inferiore del Mosfet Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*(Resistenza+Resistenza in ingresso)*Capacità)
f_c = 1/(2*pi*(R_s+R_in)*c)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 4 Variabili

Costanti utilizzate

pi - Costante di Archimede Valore preso come 3.14159265358979323846264338327950288

Variabili utilizzate

Frequenza d'angolo - (Misurato in Hertz) - La frequenza d'angolo di un circuito è la frequenza alla quale il guadagno del circuito inizia a diminuire in modo significativo.
Resistenza - (Misurato in Ohm) - La resistenza è l'opposizione al flusso di corrente in un circuito elettrico. Si misura in ohm. Maggiore è la resistenza, maggiore è l'opposizione al flusso di corrente.
Resistenza in ingresso - (Misurato in Ohm) - La resistenza di ingresso è l'opposizione al flusso di corrente in un circuito elettrico. Si misura in ohm (Ω). Maggiore è la resistenza, maggiore è l'opposizione al flusso di corrente.
Capacità - (Misurato in Farad) - La capacità è la capacità di un dispositivo di immagazzinare energia elettrica sotto forma di carica elettrica.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Resistenza: 7.9 Ohm --> 7.9 Ohm Nessuna conversione richiesta
Resistenza in ingresso: 200 Ohm --> 200 Ohm Nessuna conversione richiesta
Capacità: 4.78 Farad --> 4.78 Farad Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

f_c = 1/(2*pi*(R_s+R_in)*c) --> 1/(2*pi*(7.9+200)*4.78)

Valutare ... ...

f_c = 0.000160153983641853

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.000160153983641853 Hertz --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.000160153983641853 ≈ 0.00016 Hertz <-- Frequenza d'angolo

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Suma Madhuri

Università VIT (VIT), Chennai

Suma Madhuri ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Ritwik Tripati

Vellore Institute of Technology (VITVellore), Vellore

Ritwik Tripati ha verificato questa calcolatrice e altre 100+ altre calcolatrici!

< 15 Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Conduttanza del canale dei MOSFET

Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Tensione attraverso l'ossido

Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET

Partire Carica elettronica nel canale = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale*Tensione effettiva

Frequenza di transizione del MOSFET

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Frequenza critica inferiore del Mosfet

Partire Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*(Resistenza+Resistenza in ingresso)*Capacità)

Sfasamento nel circuito RC di uscita

Partire Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/(Resistenza+Resistenza al carico))

Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET

Partire Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)

Capacità di sovrapposizione del MOSFET

Partire Capacità di sovrapposizione = Larghezza del canale*Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione

Mosfet di capacità Miller di uscita

Partire Capacità Miller di uscita = Capacità di gate-drain*((Guadagno di tensione+1)/Guadagno di tensione)

Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET

Partire Capacità del canale di gate = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale

Frequenza critica nel circuito RC di ingresso ad alta frequenza

Partire Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*Resistenza in ingresso*Capacità di Miller)

Sfasamento nel circuito RC di ingresso

Partire Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/Resistenza in ingresso)

Reattanza capacitiva del Mosfet

Partire Reattanza capacitiva = 1/(2*pi*Frequenza*Capacità)

Capacità Miller del Mosfet

Partire Capacità di Miller = Capacità di gate-drain*(Guadagno di tensione+1)

Frequenza critica del Mosfet

Partire Frequenza critica in decible = 10*log10(Frequenza critica)

Attenuazione del circuito RC

Partire Attenuazione = Tensione di base/Tensione di ingresso

Frequenza critica inferiore del Mosfet Formula

Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*(Resistenza+Resistenza in ingresso)*Capacità)
f_c = 1/(2*pi*(R_s+R_in)*c)

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