Niższa częstotliwość krytyczna Mosfeta Kalkulator

✖Opór to opór przepływu prądu w obwodzie elektrycznym. Jest mierzona w omach. Im wyższy opór, tym większy opór dla przepływu prądu.ⓘ Opór [R_s]			+10% -10%
✖Rezystancja wejściowa jest przeciwieństwem przepływu prądu w obwodzie elektrycznym. Mierzy się go w omach (Ω). Im wyższy opór, tym większy opór dla przepływu prądu.ⓘ Rezystancja wejściowa [R_in]			+10% -10%
✖Pojemność to zdolność urządzenia do magazynowania energii elektrycznej w postaci ładunku elektrycznego.ⓘ Pojemność [c]			+10% -10%

✖Częstotliwość narożna obwodu to częstotliwość, przy której wzmocnienie obwodu zaczyna znacząco spadać.ⓘ Niższa częstotliwość krytyczna Mosfeta [f_c]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Niższa częstotliwość krytyczna Mosfeta

Formuła

`"f"_{"c"} = 1/(2*pi*("R"_{"s"}+"R"_{"in"})*"c")`

Przykład

`"0.00016Hz"=1/(2*pi*("7.9Ω"+"200Ω")*"4.78F")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Niższa częstotliwość krytyczna Mosfeta Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Częstotliwość narożna = 1/(2*pi*(Opór+Rezystancja wejściowa)*Pojemność)
f_c = 1/(2*pi*(R_s+R_in)*c)
Ta formuła używa 1 Stałe, 4 Zmienne

Używane stałe

pi - Stała Archimedesa Wartość przyjęta jako 3.14159265358979323846264338327950288

Używane zmienne

Częstotliwość narożna - (Mierzone w Herc) - Częstotliwość narożna obwodu to częstotliwość, przy której wzmocnienie obwodu zaczyna znacząco spadać.
Opór - (Mierzone w Om) - Opór to opór przepływu prądu w obwodzie elektrycznym. Jest mierzona w omach. Im wyższy opór, tym większy opór dla przepływu prądu.
Rezystancja wejściowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja wejściowa jest przeciwieństwem przepływu prądu w obwodzie elektrycznym. Mierzy się go w omach (Ω). Im wyższy opór, tym większy opór dla przepływu prądu.
Pojemność - (Mierzone w Farad) - Pojemność to zdolność urządzenia do magazynowania energii elektrycznej w postaci ładunku elektrycznego.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Opór: 7.9 Om --> 7.9 Om Nie jest wymagana konwersja
Rezystancja wejściowa: 200 Om --> 200 Om Nie jest wymagana konwersja
Pojemność: 4.78 Farad --> 4.78 Farad Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

f_c = 1/(2*pi*(R_s+R_in)*c) --> 1/(2*pi*(7.9+200)*4.78)

Ocenianie ... ...

f_c = 0.000160153983641853

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.000160153983641853 Herc --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.000160153983641853 ≈ 0.00016 Herc <-- Częstotliwość narożna

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości » Niższa częstotliwość krytyczna Mosfeta

Kredyty

Stworzone przez Suma Madhuri

Uniwersytet VIT (WIT), Chennai

Suma Madhuri utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Ritwik Tripathi

Vellore Instytut Technologiczny (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi zweryfikował ten kalkulator i 100+ więcej kalkulatorów!

< 15 Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości Kalkulatory

Przewodnictwo kanału tranzystorów MOSFET

Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*(Szerokość kanału/Długość kanału)*Napięcie na tlenku

Częstotliwość przejścia MOSFET

Iść Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Wielkość ładunku elektronowego w kanale MOSFET

Iść Ładunek elektronowy w kanale = Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Długość kanału*Efektywne napięcie

Przesunięcie fazowe w wyjściowym obwodzie RC

Iść Przesunięcie fazowe = arctan(Reaktancja pojemnościowa/(Opór+Odporność na obciążenie))

Niższa częstotliwość krytyczna Mosfeta

Iść Częstotliwość narożna = 1/(2*pi*(Opór+Rezystancja wejściowa)*Pojemność)

Wyjściowa pojemność Millera Mosfet

Iść Wyjściowa pojemność Millera = Pojemność bramowo-drenowa*((Wzmocnienie napięcia+1)/Wzmocnienie napięcia)

Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET

Iść Szerokość kanału = Pojemność nakładania się/(Pojemność tlenkowa*Długość zakładki)

Całkowita pojemność między bramką a kanałem tranzystorów MOSFET

Iść Pojemność kanału bramkowego = Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Długość kanału

Pokrywająca się pojemność MOSFET-u

Iść Pojemność nakładania się = Szerokość kanału*Pojemność tlenkowa*Długość zakładki

Przesunięcie fazowe w obwodzie wejściowym RC

Iść Przesunięcie fazowe = arctan(Reaktancja pojemnościowa/Rezystancja wejściowa)

Częstotliwość krytyczna w obwodzie wejściowym RC wysokiej częstotliwości

Iść Częstotliwość narożna = 1/(2*pi*Rezystancja wejściowa*Pojemność Millera)

Reaktancja pojemnościowa Mosfeta

Iść Reaktancja pojemnościowa = 1/(2*pi*Częstotliwość*Pojemność)

Częstotliwość krytyczna Mosfeta

Iść Częstotliwość krytyczna w decyblach = 10*log10(Częstotliwość krytyczna)

Pojemność Millera Mosfeta

Iść Pojemność Millera = Pojemność bramowo-drenowa*(Wzmocnienie napięcia+1)

Tłumienie obwodu RC

Iść Osłabienie = Napięcie podstawowe/Napięcie wejściowe

Niższa częstotliwość krytyczna Mosfeta Formułę

Częstotliwość narożna = 1/(2*pi*(Opór+Rezystancja wejściowa)*Pojemność)
f_c = 1/(2*pi*(R_s+R_in)*c)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!