Foto-elektronen energie Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

✖Frequentie van invallend licht verwijst naar het aantal volledige cycli van elektromagnetische golven die per tijdseenheid door een bepaald punt in de ruimte gaan.ⓘ Frequentie van invallend licht [f]

+10%

-10%

✖Foto-elektronenenergie verwijst naar de kinetische energie van een elektron dat wordt uitgezonden of bevrijd uit een materiaal of atoom wanneer het een foton met voldoende energie absorbeert.ⓘ Foto-elektronen energie [E_photo]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Foto-elektronen energie

Formule

`"E"_{"photo"} = "[hP]"*"f"`

Voorbeeld

`"757.4472eV"="[hP]"*"183.15PHz"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Energieband Formules Pdf PDF Image

Foto-elektronen energie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Foto-elektronen energie = [hP]*Frequentie van invallend licht
E_photo = [hP]*f
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 2 Variabelen

Gebruikte constanten

[hP] - Planck-constante Waarde genomen als 6.626070040E-34

Variabelen gebruikt

Foto-elektronen energie - (Gemeten in Joule) - Foto-elektronenenergie verwijst naar de kinetische energie van een elektron dat wordt uitgezonden of bevrijd uit een materiaal of atoom wanneer het een foton met voldoende energie absorbeert.
Frequentie van invallend licht - (Gemeten in Hertz) - Frequentie van invallend licht verwijst naar het aantal volledige cycli van elektromagnetische golven die per tijdseenheid door een bepaald punt in de ruimte gaan.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Frequentie van invallend licht: 183.15 petahertz --> 1.8315E+17 Hertz (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

E_photo = [hP]*f --> [hP]*1.8315E+17

Evalueren ... ...

E_photo = 1.213564727826E-16

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.213564727826E-16 Joule -->757.447197075242 Electron-volt (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

757.447197075242 ≈ 757.4472 Electron-volt <-- Foto-elektronen energie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » Energieband » Foto-elektronen energie

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 20 Energieband Rekenmachines

Intrinsieke dragerconcentratie

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Effectieve staatsdichtheid in valentieband*Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband)*exp(-Energie kloof/(2*[BoltZ]*Temperatuur))

Levensduur van de drager

Gaan Levensduur vervoerder = 1/(Evenredigheid voor recombinatie*(Gaten Concentratie in Valance Band+Elektronenconcentratie in geleidingsband))

Energie van Electron gegeven Coulomb's Constante

Gaan Energie van Electron = (Kwantum nummer^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potentiële putlengte^2)

Constante elektronenconcentratie

Gaan Steady State Carrier-concentratie = Elektronenconcentratie in geleidingsband+Overmatige dragerconcentratie

Distributiecoëfficiënt

Gaan Verdelingscoëfficiënt = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof

Vloeistofconcentratie

Gaan Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Verdelingscoëfficiënt

Concentratie in geleidingsband

Gaan Elektronenconcentratie in geleidingsband = Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband*Fermi-functie

Effectieve staatsdichtheid

Gaan Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Fermi-functie

Fermi-functie

Gaan Fermi-functie = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband

Effectieve dichtheidstoestand in valentieband

Gaan Effectieve staatsdichtheid in valentieband = Gaten Concentratie in Valance Band/(1-Fermi-functie)

Concentratie van gaten in de valentieband

Gaan Gaten Concentratie in Valance Band = Effectieve staatsdichtheid in valentieband*(1-Fermi-functie)

Recombinatielevensduur

Gaan Levensduur recombinatie = (Evenredigheid voor recombinatie*Gaten Concentratie in Valance Band)^-1

Netto veranderingssnelheid in geleidingsband

Gaan Evenredigheid voor recombinatie = Thermische generatie/(Intrinsieke dragerconcentratie^2)

Thermische generatiesnelheid

Gaan Thermische generatie = Evenredigheid voor recombinatie*(Intrinsieke dragerconcentratie^2)

Overmatige dragerconcentratie

Gaan Overmatige dragerconcentratie = Optische generatiesnelheid*Levensduur recombinatie

Optische generatiesnelheid

Gaan Optische generatiesnelheid = Overmatige dragerconcentratie/Levensduur recombinatie

Foto-elektronen energie

Gaan Foto-elektronen energie = [hP]*Frequentie van invallend licht

Geleidingsband energie

Gaan Geleidingsband energie = Energie kloof+Valentieband energie

Valentieband energie

Gaan Valentieband energie = Geleidingsband energie-Energie kloof

Energiekloof

Gaan Energie kloof = Geleidingsband energie-Valentieband energie

< 15 Halfgeleider dragers Rekenmachines

Intrinsieke dragerconcentratie

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Effectieve staatsdichtheid in valentieband*Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband)*exp(-Energie kloof/(2*[BoltZ]*Temperatuur))

Levensduur van de drager

Gaan Levensduur vervoerder = 1/(Evenredigheid voor recombinatie*(Gaten Concentratie in Valance Band+Elektronenconcentratie in geleidingsband))

Straal van de N-de baan van het elektron

Gaan Straal van de n-de baan van het elektron = ([Coulomb]*Kwantum nummer^2*[hP]^2)/(Massa van deeltjes*[Charge-e]^2)

Quantum staat

Gaan Energie in kwantumtoestand = (Kwantum nummer^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Massa van deeltjes*Potentiële putlengte^2)

Elektronenfluxdichtheid

Gaan Elektronenfluxdichtheid = (Gemiddeld vrij pad-elektron/(2*Tijd))*Verschil in elektronenconcentratie

Distributiecoëfficiënt

Gaan Verdelingscoëfficiënt = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof

Fermi-functie

Gaan Fermi-functie = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband

Effectieve dichtheidstoestand in valentieband

Gaan Effectieve staatsdichtheid in valentieband = Gaten Concentratie in Valance Band/(1-Fermi-functie)

Elektronenvermenigvuldiging

Gaan Vermenigvuldiging van elektronen = Aantal elektronen buiten regio/Aantal elektronen in regio

Gemiddelde tijdsbesteding per hole

Gaan Gemiddelde tijdsbesteding per hole = Optische generatiesnelheid*Meerderheid Carrier Decay

Overmatige dragerconcentratie

Gaan Overmatige dragerconcentratie = Optische generatiesnelheid*Levensduur recombinatie

Elektronenstroomdichtheid

Gaan Elektronenstroomdichtheid = Totale draaggolfstroomdichtheid-Gat huidige dichtheid

Hole Huidige Dichtheid

Gaan Gat huidige dichtheid = Totale draaggolfstroomdichtheid-Elektronenstroomdichtheid

Foto-elektronen energie

Gaan Foto-elektronen energie = [hP]*Frequentie van invallend licht

Geleidingsband energie

Gaan Geleidingsband energie = Energie kloof+Valentieband energie

Foto-elektronen energie Formule

Foto-elektronen energie = [hP]*Frequentie van invallend licht
E_photo = [hP]*f

Hoe vind ik de constante van Coulomb?

De kracht wordt gemodelleerd op basis van de lading en afstand, en de constante van Coulomb (k) staat bekend als een evenredigheidsconstante in de vergelijking F=k qq/r2.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!