Energía de fotoelectrones Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Energía de fotoelectrones = [hP]*Frecuencia de luz incidente
Ephoto = [hP]*f
Esta fórmula usa 1 Constantes, 2 Variables
Constantes utilizadas
[hP] - constante de planck Valor tomado como 6.626070040E-34
Variables utilizadas
Energía de fotoelectrones - (Medido en Joule) - La energía de fotoelectrones se refiere a la energía cinética de un electrón que se emite o libera de un material o átomo cuando absorbe un fotón de energía suficiente.
Frecuencia de luz incidente - (Medido en hercios) - La frecuencia de la luz incidente se refiere al número de ciclos completos de ondas electromagnéticas que pasan por un punto determinado del espacio por unidad de tiempo.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Frecuencia de luz incidente: 183.15 Petahertz --> 1.8315E+17 hercios (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Ephoto = [hP]*f --> [hP]*1.8315E+17
Evaluar ... ...
Ephoto = 1.213564727826E-16
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
1.213564727826E-16 Joule -->757.447197075242 Electron-Voltio (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
757.447197075242 757.4472 Electron-Voltio <-- Energía de fotoelectrones
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
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Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
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20 Banda de energía Calculadoras

Concentración de portador intrínseco
​ Vamos Concentración de portador intrínseco = sqrt(Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción)*exp(-Brecha de energía/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Carrier Lifetime
​ Vamos Portador de por vida = 1/(Proporcionalidad para la recombinación*(Concentración de agujeros en la banda de cenefa+Concentración de electrones en banda de conducción))
Concentración de electrones en estado estacionario
​ Vamos Concentración de portadores en estado estacionario = Concentración de electrones en banda de conducción+Exceso de concentración de portadores
Energía del electrón dada la constante de Coulomb
​ Vamos Energía del electrón = (Número cuántico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Longitud potencial del pozo^2)
Vida útil de la recombinación
​ Vamos Vida útil de la recombinación = (Proporcionalidad para la recombinación*Concentración de agujeros en la banda de cenefa)^-1
Concentración en Banda de Conducción
​ Vamos Concentración de electrones en banda de conducción = Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción*Función de Fermi
Densidad Efectiva de Estado
​ Vamos Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción = Concentración de electrones en banda de conducción/Función de Fermi
Función Fermi
​ Vamos Función de Fermi = Concentración de electrones en banda de conducción/Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción
Estado de densidad efectiva en la banda de valencia
​ Vamos Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia = Concentración de agujeros en la banda de cenefa/(1-Función de Fermi)
Concentración de Agujeros en la Banda de Valencia
​ Vamos Concentración de agujeros en la banda de cenefa = Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*(1-Función de Fermi)
Coeficiente de distribución
​ Vamos Coeficiente de distribución = Concentración de impurezas en sólidos/Concentración de impurezas en líquido
Concentracion liquida
​ Vamos Concentración de impurezas en líquido = Concentración de impurezas en sólidos/Coeficiente de distribución
Tasa neta de cambio en la banda de conducción
​ Vamos Proporcionalidad para la recombinación = Generación Térmica/(Concentración de portador intrínseco^2)
Tasa de generación térmica
​ Vamos Generación Térmica = Proporcionalidad para la recombinación*(Concentración de portador intrínseco^2)
Exceso de concentración de portadores
​ Vamos Exceso de concentración de portadores = Tasa de generación óptica*Vida útil de la recombinación
Tasa de generación óptica
​ Vamos Tasa de generación óptica = Exceso de concentración de portadores/Vida útil de la recombinación
Energía de la banda de valencia
​ Vamos Energía de la banda de valencia = Energía de banda de conducción-Brecha de energía
Energía de banda de conducción
​ Vamos Energía de banda de conducción = Brecha de energía+Energía de la banda de valencia
Brecha de energía
​ Vamos Brecha de energía = Energía de banda de conducción-Energía de la banda de valencia
Energía de fotoelectrones
​ Vamos Energía de fotoelectrones = [hP]*Frecuencia de luz incidente

15 Portadores de semiconductores Calculadoras

Concentración de portador intrínseco
​ Vamos Concentración de portador intrínseco = sqrt(Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción)*exp(-Brecha de energía/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Carrier Lifetime
​ Vamos Portador de por vida = 1/(Proporcionalidad para la recombinación*(Concentración de agujeros en la banda de cenefa+Concentración de electrones en banda de conducción))
Densidad de flujo de electrones
​ Vamos Densidad de flujo de electrones = (Electrón de camino libre medio/(2*Tiempo))*Diferencia en la concentración de electrones
Radio de la enésima órbita del electrón
​ Vamos Radio de la enésima órbita del electrón = ([Coulomb]*Número cuántico^2*[hP]^2)/(Masa de partícula*[Charge-e]^2)
Estado cuántico
​ Vamos Energía en Estado Cuántico = (Número cuántico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masa de partícula*Longitud potencial del pozo^2)
Función Fermi
​ Vamos Función de Fermi = Concentración de electrones en banda de conducción/Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción
Estado de densidad efectiva en la banda de valencia
​ Vamos Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia = Concentración de agujeros en la banda de cenefa/(1-Función de Fermi)
Densidad de corriente de electrones
​ Vamos Densidad de corriente de electrones = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente del agujero
Densidad actual del agujero
​ Vamos Densidad de corriente del agujero = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente de electrones
Coeficiente de distribución
​ Vamos Coeficiente de distribución = Concentración de impurezas en sólidos/Concentración de impurezas en líquido
Multiplicación de electrones
​ Vamos Multiplicación de electrones = Número de electrones fuera de la región/Número de electrones en la región
Exceso de concentración de portadores
​ Vamos Exceso de concentración de portadores = Tasa de generación óptica*Vida útil de la recombinación
Tiempo medio gastado por hoyo
​ Vamos Tiempo medio gastado por hoyo = Tasa de generación óptica*Decaimiento de portador mayoritario
Energía de banda de conducción
​ Vamos Energía de banda de conducción = Brecha de energía+Energía de la banda de valencia
Energía de fotoelectrones
​ Vamos Energía de fotoelectrones = [hP]*Frecuencia de luz incidente

Energía de fotoelectrones Fórmula

Energía de fotoelectrones = [hP]*Frecuencia de luz incidente
Ephoto = [hP]*f

¿Cómo encuentro la constante de Coulomb?

La fuerza se modela en función de la carga y la distancia, y la constante de Coulomb (k) se conoce como constante de proporcionalidad en la ecuación F=k qq/r2.

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