Protonconcentratie onder onevenwichtige omstandigheden Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Protonconcentratie = Intrinsieke elektronenconcentratie*exp((Intrinsiek energieniveau van halfgeleiders-Quasi Fermi-niveau van elektronen)/([BoltZ]*Absolute temperatuur))
pc = ni*exp((Ei-Fn)/([BoltZ]*T))
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 1 Functies, 5 Variabelen
Gebruikte constanten
[BoltZ] - Boltzmann-constante Waarde genomen als 1.38064852E-23
Functies die worden gebruikt
exp - Bij een exponentiële functie verandert de waarde van de functie met een constante factor voor elke eenheidsverandering in de onafhankelijke variabele., exp(Number)
Variabelen gebruikt
Protonconcentratie - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Protonconcentratie verwijst naar de dichtheid of overvloed aan protonen in een bepaald materiaal of apparaat. Protonen zijn subatomaire deeltjes die in de kern van een atoom worden aangetroffen.
Intrinsieke elektronenconcentratie - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Intrinsieke elektronenconcentratie is de nr. van ladingsdragers in een halfgeleider wanneer deze zich in thermisch evenwicht bevindt.
Intrinsiek energieniveau van halfgeleiders - (Gemeten in Joule) - Intrinsiek energieniveau van halfgeleiders verwijst naar het energieniveau dat geassocieerd wordt met elektronen bij afwezigheid van onzuiverheden of externe invloeden.
Quasi Fermi-niveau van elektronen - (Gemeten in Joule) - Quasi Fermi-niveau van elektronen is het effectieve energieniveau voor elektronen in een niet-evenwichtstoestand. Het vertegenwoordigt de energie tot welke elektronen worden bevolkt.
Absolute temperatuur - (Gemeten in Kelvin) - Absolute temperatuur vertegenwoordigt de temperatuur van het systeem.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Intrinsieke elektronenconcentratie: 3.6 Elektronen per kubieke meter --> 3.6 Elektronen per kubieke meter Geen conversie vereist
Intrinsiek energieniveau van halfgeleiders: 3.78 Electron-volt --> 6.05623030740003E-19 Joule (Bekijk de conversie ​hier)
Quasi Fermi-niveau van elektronen: 3.7 Electron-volt --> 5.92805612100003E-19 Joule (Bekijk de conversie ​hier)
Absolute temperatuur: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
pc = ni*exp((Ei-Fn)/([BoltZ]*T)) --> 3.6*exp((6.05623030740003E-19-5.92805612100003E-19)/([BoltZ]*393))
Evalueren ... ...
pc = 38.2131068309601
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
38.2131068309601 Elektronen per kubieke meter --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
38.2131068309601 38.21311 Elektronen per kubieke meter <-- Protonconcentratie
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Gowthaman N
Vellore Instituut voor Technologie (VIT Universiteit), Chennai
Gowthaman N heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Parminder Singh
Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

13 Fotonica-apparaten Rekenmachines

Spectrale stralingsemissie
​ Gaan Spectrale stralingsemissie = (2*pi*[hP]*[c]^3)/Golflengte van zichtbaar licht^5*1/(exp(([hP]*[c])/(Golflengte van zichtbaar licht*[BoltZ]*Absolute temperatuur))-1)
Verzadiging huidige dichtheid
​ Gaan Verzadiging huidige dichtheid = [Charge-e]*((Diffusiecoëfficiënt van gat)/Verspreidingslengte van het gat*Gatenconcentratie in n-regio+(Elektronendiffusiecoëfficiënt)/Diffusielengte van elektron*Elektronenconcentratie in p-regio)
Neem contact op met Potentieel verschil
​ Gaan Spanning over PN-verbinding = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Intrinsieke dragerconcentratie)^2)
Energiedichtheid gegeven Einstein-coëfficiënten
​ Gaan Energiedichtheid = (8*[hP]*Frequentie van straling^3)/[c]^3*(1/(exp((De constante van Planck*Frequentie van straling)/([BoltZ]*Temperatuur))-1))
Protonconcentratie onder onevenwichtige omstandigheden
​ Gaan Protonconcentratie = Intrinsieke elektronenconcentratie*exp((Intrinsiek energieniveau van halfgeleiders-Quasi Fermi-niveau van elektronen)/([BoltZ]*Absolute temperatuur))
Totale stroomdichtheid
​ Gaan Totale stroomdichtheid = Verzadiging huidige dichtheid*(exp(([Charge-e]*Spanning over PN-verbinding)/([BoltZ]*Absolute temperatuur))-1)
Netto faseverschuiving
​ Gaan Netto faseverschuiving = pi/Golflengte van licht*(Brekingsindex)^3*Lengte van vezels*Voedingsspanning
Relatieve bevolking
​ Gaan Relatieve bevolking = exp(-([hP]*Relatieve frequentie)/([BoltZ]*Absolute temperatuur))
Optisch vermogen uitgestraald
​ Gaan Optisch vermogen uitgestraald = Emissiviteit*[Stefan-BoltZ]*Gebied van de bron*Temperatuur^4
Modusnummer
​ Gaan Modusnummer = (2*Lengte van de holte*Brekingsindex)/Fotongolflengte
Golflengte van straling in vacuüm
​ Gaan Golflengte van golf = Tophoek*(180/pi)*2*Enkel gaatje
Lengte van de holte
​ Gaan Lengte van de holte = (Fotongolflengte*Modusnummer)/2
Golflengte van uitgangslicht
​ Gaan Golflengte van licht = Brekingsindex*Fotongolflengte

Protonconcentratie onder onevenwichtige omstandigheden Formule

Protonconcentratie = Intrinsieke elektronenconcentratie*exp((Intrinsiek energieniveau van halfgeleiders-Quasi Fermi-niveau van elektronen)/([BoltZ]*Absolute temperatuur))
pc = ni*exp((Ei-Fn)/([BoltZ]*T))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!