Protonenkonzentration unter unausgeglichenen Bedingungen Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Protonenkonzentration = Intrinsische Elektronenkonzentration*exp((Eigenenergieniveau eines Halbleiters-Quasi-Fermi-Niveau von Elektronen)/([BoltZ]*Absolute Temperatur))
pc = ni*exp((Ei-Fn)/([BoltZ]*T))
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 1 Funktionen, 5 Variablen
Verwendete Konstanten
[BoltZ] - Boltzmann-Konstante Wert genommen als 1.38064852E-23
Verwendete Funktionen
exp - Bei einer Exponentialfunktion ändert sich der Wert der Funktion bei jeder Änderung der unabhängigen Variablen um einen konstanten Faktor., exp(Number)
Verwendete Variablen
Protonenkonzentration - (Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter) - Die Protonenkonzentration bezieht sich auf die Dichte oder Häufigkeit von Protonen in einem bestimmten Material oder Gerät. Protonen sind subatomare Teilchen, die im Atomkern vorkommen.
Intrinsische Elektronenkonzentration - (Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter) - Die intrinsische Elektronenkonzentration ist die Nr. der Ladungsträger in einem Halbleiter, wenn dieser sich im thermischen Gleichgewicht befindet.
Eigenenergieniveau eines Halbleiters - (Gemessen in Joule) - Das intrinsische Energieniveau eines Halbleiters bezieht sich auf das Energieniveau, das mit Elektronen in Abwesenheit jeglicher Verunreinigungen oder äußerer Einflüsse verbunden ist.
Quasi-Fermi-Niveau von Elektronen - (Gemessen in Joule) - Das Quasi-Fermi-Niveau von Elektronen ist das effektive Energieniveau für Elektronen in einem Nichtgleichgewichtszustand. Sie stellt die Energie dar, bis zu der Elektronen besetzt sind.
Absolute Temperatur - (Gemessen in Kelvin) - Die absolute Temperatur stellt die Temperatur des Systems dar.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Intrinsische Elektronenkonzentration: 3.6 Elektronen pro Kubikmeter --> 3.6 Elektronen pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Eigenenergieniveau eines Halbleiters: 3.78 Elektronen Volt --> 6.05623030740003E-19 Joule (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Quasi-Fermi-Niveau von Elektronen: 3.7 Elektronen Volt --> 5.92805612100003E-19 Joule (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Absolute Temperatur: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
pc = ni*exp((Ei-Fn)/([BoltZ]*T)) --> 3.6*exp((6.05623030740003E-19-5.92805612100003E-19)/([BoltZ]*393))
Auswerten ... ...
pc = 38.2131068309601
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
38.2131068309601 Elektronen pro Kubikmeter --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
38.2131068309601 38.21311 Elektronen pro Kubikmeter <-- Protonenkonzentration
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Gowthaman N
Vellore Institut für Technologie (VIT-Universität), Chennai
Gowthaman N hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Parminder Singh
Chandigarh-Universität (KU), Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

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Spektrale Strahlungsemission
​ Gehen Spektrale Strahlungsemission = (2*pi*[hP]*[c]^3)/Wellenlänge des sichtbaren Lichts^5*1/(exp(([hP]*[c])/(Wellenlänge des sichtbaren Lichts*[BoltZ]*Absolute Temperatur))-1)
Sättigungsstromdichte
​ Gehen Sättigungsstromdichte = [Charge-e]*((Diffusionskoeffizient des Lochs)/Diffusionslänge des Lochs*Lochkonzentration im n-Bereich+(Elektronendiffusionskoeffizient)/Diffusionslänge des Elektrons*Elektronenkonzentration im p-Bereich)
Kontaktpotenzialunterschied
​ Gehen Spannung am PN-Anschluss = ([BoltZ]*Absolute Temperatur)/[Charge-e]*ln((Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration)/(Intrinsische Trägerkonzentration)^2)
Energiedichte bei gegebenen Einstein-Koeffizienten
​ Gehen Energiedichte = (8*[hP]*Häufigkeit der Strahlung^3)/[c]^3*(1/(exp((Plancksche Konstante*Häufigkeit der Strahlung)/([BoltZ]*Temperatur))-1))
Protonenkonzentration unter unausgeglichenen Bedingungen
​ Gehen Protonenkonzentration = Intrinsische Elektronenkonzentration*exp((Eigenenergieniveau eines Halbleiters-Quasi-Fermi-Niveau von Elektronen)/([BoltZ]*Absolute Temperatur))
Gesamtstromdichte
​ Gehen Gesamtstromdichte = Sättigungsstromdichte*(exp(([Charge-e]*Spannung am PN-Anschluss)/([BoltZ]*Absolute Temperatur))-1)
Nettophasenverschiebung
​ Gehen Nettophasenverschiebung = pi/Wellenlänge des Lichts*(Brechungsindex)^3*Länge der Faser*Versorgungsspannung
Relative Bevölkerung
​ Gehen Relative Bevölkerung = exp(-([hP]*Relative Frequenz)/([BoltZ]*Absolute Temperatur))
Abgestrahlte optische Leistung
​ Gehen Abgestrahlte optische Leistung = Emissionsgrad*[Stefan-BoltZ]*Bereich der Quelle*Temperatur^4
Modusnummer
​ Gehen Modusnummer = (2*Länge des Hohlraums*Brechungsindex)/Photonenwellenlänge
Wellenlänge der Strahlung in Vakuum
​ Gehen Wellenlänge der Welle = Spitzenwinkel*(180/pi)*2*Einzelnes Loch
Wellenlänge des Ausgangslichts
​ Gehen Wellenlänge des Lichts = Brechungsindex*Photonenwellenlänge
Länge des Hohlraums
​ Gehen Länge des Hohlraums = (Photonenwellenlänge*Modusnummer)/2

Protonenkonzentration unter unausgeglichenen Bedingungen Formel

Protonenkonzentration = Intrinsische Elektronenkonzentration*exp((Eigenenergieniveau eines Halbleiters-Quasi-Fermi-Niveau von Elektronen)/([BoltZ]*Absolute Temperatur))
pc = ni*exp((Ei-Fn)/([BoltZ]*T))
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