Lekkage onder de drempel via UIT-transistoren Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Subdrempelstroom = (CMOS statisch vermogen/Basiscollectorspanning)-(Poortstroom+Betwisting actueel+Verbindingsstroom)
ist = (Pst/Vbc)-(ig+icon+ij)
Deze formule gebruikt 6 Variabelen
Variabelen gebruikt
Subdrempelstroom - (Gemeten in Ampère) - Subdrempelstroom is lekkage onder de drempelwaarde via UIT-transistoren.
CMOS statisch vermogen - (Gemeten in Watt) - CMOS Static Power wordt gedefinieerd als de lekstroom als gevolg van het zeer lage statische energieverbruik in CMOS-apparaten.
Basiscollectorspanning - (Gemeten in Volt) - Basiscollectorspanning is een cruciale parameter bij de transistorvoorspanning. Het verwijst naar het spanningsverschil tussen de basis- en collectoraansluitingen van de transistor wanneer deze zich in zijn actieve toestand bevindt.
Poortstroom - (Gemeten in Ampère) - Gate Current wordt gedefinieerd als wanneer er geen spanning is tussen de gate- en source-aansluitingen, er geen stroom in de drain vloeit, behalve lekstroom, vanwege een zeer hoge drain-source-impedantie.
Betwisting actueel - (Gemeten in Ampère) - Conflictstroom wordt gedefinieerd als de conflictstroom die optreedt in de verhoudingscircuits.
Verbindingsstroom - (Gemeten in Ampère) - Junctiestroom is junctielekkage door source/drain-diffusies.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
CMOS statisch vermogen: 67.37 Milliwatt --> 0.06737 Watt (Bekijk de conversie ​hier)
Basiscollectorspanning: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Geen conversie vereist
Poortstroom: 4.5 milliampère --> 0.0045 Ampère (Bekijk de conversie ​hier)
Betwisting actueel: 25.75 milliampère --> 0.02575 Ampère (Bekijk de conversie ​hier)
Verbindingsstroom: 1.5 milliampère --> 0.0015 Ampère (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
ist = (Pst/Vbc)-(ig+icon+ij) --> (0.06737/2.02)-(0.0045+0.02575+0.0015)
Evalueren ... ...
ist = 0.00160148514851485
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.00160148514851485 Ampère -->1.60148514851485 milliampère (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
1.60148514851485 1.601485 milliampère <-- Subdrempelstroom
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Shobhit Dimri LinkedIn Logo
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod LinkedIn Logo
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

CMOS-vermogensstatistieken Rekenmachines

Activiteitsfactor
​ LaTeX ​ Gaan Activiteitsfactor = Schakelvermogen/(Capaciteit*Basiscollectorspanning^2*Frequentie)
Schakelvermogen
​ LaTeX ​ Gaan Schakelvermogen = Activiteitsfactor*(Capaciteit*Basiscollectorspanning^2*Frequentie)
Dynamisch vermogen in CMOS
​ LaTeX ​ Gaan Dynamische kracht = Kortsluitvermogen+Schakelvermogen
Kortsluitvermogen in CMOS
​ LaTeX ​ Gaan Kortsluitvermogen = Dynamische kracht-Schakelvermogen

Lekkage onder de drempel via UIT-transistoren Formule

​LaTeX ​Gaan
Subdrempelstroom = (CMOS statisch vermogen/Basiscollectorspanning)-(Poortstroom+Betwisting actueel+Verbindingsstroom)
ist = (Pst/Vbc)-(ig+icon+ij)

Wat zijn de bronnen van vermogensdissipatie in CMOS?

Vermogensdissipatie in CMOS-circuits is afkomstig van twee componenten. Het zijn dynamische dissipatie en statische dissipatie.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!