Upływ podprogowy przez tranzystory OFF Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Wskaźniki mocy CMOS

Charakterystyka czasu CMOS

Charakterystyka obwodu CMOS

Charakterystyka opóźnienia CMOS

Charakterystyka projektu CMOS

Falowniki CMOS

Podsystem ścieżki danych tablicowych

Podsystem specjalnego przeznaczenia CMOS

✖Moc statyczna CMOS jest definiowana jako prąd upływowy wynikający z bardzo niskiego zużycia energii statycznej w urządzeniach CMOS.ⓘ Moc statyczna CMOS [P_st]			+10% -10%
✖Napięcie kolektora podstawowego jest kluczowym parametrem polaryzacji tranzystora. Odnosi się do różnicy napięcia pomiędzy zaciskami bazy i kolektora tranzystora, gdy jest on w stanie aktywnym.ⓘ Podstawowe napięcie kolektora [V_bc]			+10% -10%
✖Prąd bramki definiuje się jako brak napięcia pomiędzy bramką a zaciskami źródła, w drenie nie płynie żaden prąd, z wyjątkiem prądu upływowego, ze względu na bardzo wysoką impedancję dren-źródło.ⓘ Prąd bramki [i_g]			+10% -10%
✖Prąd rywalizacji definiuje się jako prąd rywalizacji występujący w obwodach przekładniowych.ⓘ Aktualna rywalizacja [i_con]			+10% -10%
✖Prąd złącza to wyciek złącza z dyfuzji źródła/drenu.ⓘ Prąd złącza [i_j]			+10% -10%

✖Prąd podprogowy to podprogowy wyciek przez tranzystory WYŁ.ⓘ Upływ podprogowy przez tranzystory OFF [i_st]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Upływ podprogowy przez tranzystory OFF

Formuła

`"i"_{"st"} = ("P"_{"st"}/"V"_{"bc"})-("i"_{"g"}+"i"_{"con"}+"i"_{"j"})`

Przykład

`"1.601485mA"=("67.37mW"/"2.02V")-("4.5mA"+"25.75mA"+"1.5mA")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Wskaźniki mocy CMOS Formuły PDF

Upływ podprogowy przez tranzystory OFF Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd podprogowy = (Moc statyczna CMOS/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd bramki+Aktualna rywalizacja+Prąd złącza)
i_st = (P_st/V_bc)-(i_g+i_con+i_j)
Ta formuła używa 6 Zmienne

Używane zmienne

Prąd podprogowy - (Mierzone w Amper) - Prąd podprogowy to podprogowy wyciek przez tranzystory WYŁ.
Moc statyczna CMOS - (Mierzone w Wat) - Moc statyczna CMOS jest definiowana jako prąd upływowy wynikający z bardzo niskiego zużycia energii statycznej w urządzeniach CMOS.
Podstawowe napięcie kolektora - (Mierzone w Wolt) - Napięcie kolektora podstawowego jest kluczowym parametrem polaryzacji tranzystora. Odnosi się do różnicy napięcia pomiędzy zaciskami bazy i kolektora tranzystora, gdy jest on w stanie aktywnym.
Prąd bramki - (Mierzone w Amper) - Prąd bramki definiuje się jako brak napięcia pomiędzy bramką a zaciskami źródła, w drenie nie płynie żaden prąd, z wyjątkiem prądu upływowego, ze względu na bardzo wysoką impedancję dren-źródło.
Aktualna rywalizacja - (Mierzone w Amper) - Prąd rywalizacji definiuje się jako prąd rywalizacji występujący w obwodach przekładniowych.
Prąd złącza - (Mierzone w Amper) - Prąd złącza to wyciek złącza z dyfuzji źródła/drenu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Moc statyczna CMOS: 67.37 Miliwat --> 0.06737 Wat (Sprawdź konwersję tutaj)
Podstawowe napięcie kolektora: 2.02 Wolt --> 2.02 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Prąd bramki: 4.5 Miliamper --> 0.0045 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Aktualna rywalizacja: 25.75 Miliamper --> 0.02575 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Prąd złącza: 1.5 Miliamper --> 0.0015 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

i_st = (P_st/V_bc)-(i_g+i_con+i_j) --> (0.06737/2.02)-(0.0045+0.02575+0.0015)

Ocenianie ... ...

i_st = 0.00160148514851485

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.00160148514851485 Amper -->1.60148514851485 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1.60148514851485 ≈ 1.601485 Miliamper <-- Prąd podprogowy

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Wskaźniki mocy CMOS » Upływ podprogowy przez tranzystory OFF

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 17 Wskaźniki mocy CMOS Kalkulatory

Bramy na ścieżce krytycznej

Iść Bramy na ścieżce krytycznej = Cykl pracy*(Wyłączony prąd*(10^Podstawowe napięcie kolektora))/(Pojemność bramki do kanału*[BoltZ]*Podstawowe napięcie kolektora)

Przełączanie wyjścia przy poborze mocy obciążenia

Iść Przełączanie wyjścia = Pobór mocy obciążenia pojemnościowego/(Zewnętrzna pojemność obciążenia*Napięcie zasilania^2*Częstotliwość sygnału wyjściowego)

Pojemnościowy pobór mocy obciążenia

Iść Pobór mocy obciążenia pojemnościowego = Zewnętrzna pojemność obciążenia*Napięcie zasilania^2*Częstotliwość sygnału wyjściowego*Przełączanie wyjścia

Prąd sporny w obwodach o współczynniku

Iść Aktualna rywalizacja = (Moc statyczna CMOS/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd podprogowy+Prąd bramki+Prąd złącza)

Upływ podprogowy przez tranzystory OFF

Iść Prąd podprogowy = (Moc statyczna CMOS/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd bramki+Aktualna rywalizacja+Prąd złącza)

Upływ bramki przez dielektryk bramki

Iść Prąd bramki = (Moc statyczna CMOS/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd podprogowy+Aktualna rywalizacja+Prąd złącza)

Przełączanie zasilania

Iść Moc przełączania = Czynnik aktywności*(Pojemność*Podstawowe napięcie kolektora^2*Częstotliwość)

Czynnik aktywności

Iść Czynnik aktywności = Moc przełączania/(Pojemność*Podstawowe napięcie kolektora^2*Częstotliwość)

Współczynnik odrzucenia zasilania

Iść Współczynnik odrzucenia zasilacza = 20*log10(Tętnienie napięcia wejściowego/Tętnienie napięcia wyjściowego)

Przełączanie zasilania w CMOS

Iść Moc przełączania = (Napięcie dodatnie^2)*Częstotliwość*Pojemność

Przełączanie energii w CMOS

Iść Przełączanie energii w CMOS = Całkowita energia w CMOS-Energia wycieku w CMOS

Całkowita energia w CMOS

Iść Całkowita energia w CMOS = Przełączanie energii w CMOS+Energia wycieku w CMOS

Energia wycieku w CMOS

Iść Energia wycieku w CMOS = Całkowita energia w CMOS-Przełączanie energii w CMOS

Moc statyczna w CMOS

Iść Moc statyczna CMOS = Całkowita moc-Moc dynamiczna

Całkowita moc w CMOS

Iść Całkowita moc = Moc statyczna CMOS+Moc dynamiczna

Zasilanie zwarciowe w CMOS

Iść Moc zwarciowa = Moc dynamiczna-Moc przełączania

Moc dynamiczna w CMOS

Iść Moc dynamiczna = Moc zwarciowa+Moc przełączania

Upływ podprogowy przez tranzystory OFF Formułę

Prąd podprogowy = (Moc statyczna CMOS/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd bramki+Aktualna rywalizacja+Prąd złącza)
i_st = (P_st/V_bc)-(i_g+i_con+i_j)

Jakie są źródła rozpraszania mocy w CMOS?

Rozpraszanie mocy w obwodach CMOS pochodzi z dwóch elementów. Są to rozpraszanie dynamiczne i rozpraszanie statyczne.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!