Tijdsperiode van Electron Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Kenmerken van ladingdragers

Diode-eigenschappen

Elektrostatische parameters

Halfgeleiderkenmerken

Transistor-bedrijfsparameters

✖Magnetische veldsterkte is een maat voor de intensiteit van een magnetisch veld in een bepaald gebied van dat veld.ⓘ Magnetische veldsterkte [H]

+10%

-10%

✖De periode van het cirkelvormige pad van het deeltje is de tijd die het geladen deeltje nodig heeft om een cirkelvormig pad af te leggen.ⓘ Tijdsperiode van Electron [t_c]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Tijdsperiode van Electron

Formule

`"t"_{"c"} = (2*3.14*"[Mass-e]")/("H"*"[Charge-e]")`

Voorbeeld

`"0.155242ns"=(2*3.14*"[Mass-e]")/("0.23A/m"*"[Charge-e]")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Kenmerken van ladingdragers Formules Pdf PDF Image

Tijdsperiode van Electron Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Periode van deeltjes cirkelvormig pad = (2*3.14*[Mass-e])/(Magnetische veldsterkte*[Charge-e])
t_c = (2*3.14*[Mass-e])/(H*[Charge-e])
Deze formule gebruikt 2 Constanten, 2 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
[Mass-e] - Massa van elektron Waarde genomen als 9.10938356E-31

Variabelen gebruikt

Periode van deeltjes cirkelvormig pad - (Gemeten in Seconde) - De periode van het cirkelvormige pad van het deeltje is de tijd die het geladen deeltje nodig heeft om een cirkelvormig pad af te leggen.
Magnetische veldsterkte - (Gemeten in Ampère per meter) - Magnetische veldsterkte is een maat voor de intensiteit van een magnetisch veld in een bepaald gebied van dat veld.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Magnetische veldsterkte: 0.23 Ampère per meter --> 0.23 Ampère per meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

t_c = (2*3.14*[Mass-e])/(H*[Charge-e]) --> (2*3.14*[Mass-e])/(0.23*[Charge-e])

Evalueren ... ...

t_c = 1.55242420903307E-10

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.55242420903307E-10 Seconde -->0.155242420903307 nanoseconde (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.155242420903307 ≈ 0.155242 nanoseconde <-- Periode van deeltjes cirkelvormig pad

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Kenmerken van ladingdragers » Tijdsperiode van Electron

Credits

Gemaakt door Akshada Kulkarni

Nationaal instituut voor informatietechnologie (NIT), Neemrana

Akshada Kulkarni heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 500+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), India

Team Softusvista heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1100+ rekenmachines!

< 16 Kenmerken van ladingdragers Rekenmachines

Intrinsieke concentratie

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Effectieve dichtheid in valentieband*Effectieve dichtheid in geleidingsband)*e^((-Temperatuurafhankelijkheid van Energy Band Gap)/(2*[BoltZ]*Temperatuur))

Elektrostatische afbuigingsgevoeligheid van CRT

Gaan Gevoeligheid voor elektrostatische afbuiging = (Afstand tussen afbuigplaten*Scherm en afbuigplaten Afstand)/(2*Afbuiging van de straal*Elektron Snelheid)

Huidige dichtheid als gevolg van elektronen

Gaan Elektronenstroomdichtheid = [Charge-e]*Concentratie van elektronen*Mobiliteit van Electron*Elektrische veldintensiteit

Huidige dichtheid als gevolg van gaten

Gaan Gaten Huidige Dichtheid = [Charge-e]*Gaten Concentratie*Mobiliteit van gaten*Elektrische veldintensiteit

Elektronen diffusieconstante

Gaan Elektronendiffusieconstante = Mobiliteit van Electron*(([BoltZ]*Temperatuur)/[Charge-e])

Gaten Diffusie Constante

Gaan Gaten Diffusie Constante = Mobiliteit van gaten*(([BoltZ]*Temperatuur)/[Charge-e])

Intrinsieke dragerconcentratie onder niet-evenwichtsomstandigheden

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Meerderheid Carrier Concentratie*Concentratie van minderheidsdragers)

Kracht op huidig element in magnetisch veld

Gaan Kracht = Huidig element*Magnetische fluxdichtheid*sin(Hoek tussen vlakken)

Tijdsperiode van Electron

Gaan Periode van deeltjes cirkelvormig pad = (2*3.14*[Mass-e])/(Magnetische veldsterkte*[Charge-e])

Snelheid van Electron

Gaan Snelheid door spanning = sqrt((2*[Charge-e]*Spanning)/[Mass-e])

Geleidbaarheid in metalen

Gaan Geleidbaarheid = Concentratie van elektronen*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron

Hole Diffusion Lengte

Gaan Gaten Verspreidingslengte = sqrt(Gaten Diffusie Constante*Gatendrager Levensduur)

Snelheid van elektronen in krachtvelden

Gaan Snelheid van elektron in krachtvelden = Elektrische veldintensiteit/Magnetische veldsterkte

Thermische spanning

Gaan Thermische spanning = [BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e]

Thermische spanning met behulp van de vergelijking van Einstein

Gaan Thermische spanning = Elektronendiffusieconstante/Mobiliteit van Electron

Convectiestroomdichtheid

Gaan Convectiestroomdichtheid = Ladingsdichtheid*Laad snelheid

Tijdsperiode van Electron Formule

Periode van deeltjes cirkelvormig pad = (2*3.14*[Mass-e])/(Magnetische veldsterkte*[Charge-e])
t_c = (2*3.14*[Mass-e])/(H*[Charge-e])

Wat is de tijdsperiode voor een elektron om rond een cirkelvormig veld te draaien?

De tijdsperiode van een elektron dat in een cirkelvormige baan in een magnetisch veld ronddraait, wordt bepaald door het samenspel tussen de magnetische kracht en de centripetale kracht die nodig is om het elektron in zijn cirkelvormige baan te houden. Op basis hiervan kunnen we de bewegingsperiode afleiden als T=2πr/v=2πvm/vqB=2πm/qB.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!