Период времени электрона Калькулятор

Период кругового пути частицы = (2*3.14*[Mass-e])/(Сила магнитного поля*[Charge-e])
t_c = (2*3.14*[Mass-e])/(H*[Charge-e])
В этой формуле используются 2 Константы, 2 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
[Mass-e] - Масса электрона Значение, принятое как 9.10938356E-31

Используемые переменные

Период кругового пути частицы - (Измеряется в Второй) - Период кругового пути частицы – это время, за которое заряженная частица проходит круговой путь.
Сила магнитного поля - (Измеряется в Ампер на метр) - Напряженность магнитного поля — это мера интенсивности магнитного поля в данной области этого поля.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Сила магнитного поля: 0.23 Ампер на метр --> 0.23 Ампер на метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

t_c = (2*3.14*[Mass-e])/(H*[Charge-e]) --> (2*3.14*[Mass-e])/(0.23*[Charge-e])

Оценка ... ...

t_c = 1.55242420903307E-10

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1.55242420903307E-10 Второй -->0.155242420903307 Наносекунда (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.155242420903307 ≈ 0.155242 Наносекунда <-- Период кругового пути частицы

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » EDC » Характеристики носителя заряда » Период времени электрона

Кредиты

Сделано Акшада Кулкарни

Национальный институт информационных технологий (НИИТ), Neemrana

Акшада Кулкарни создал этот калькулятор и еще 500+!

Проверено Команда Софтусвиста

Офис Софтусвиста (Пуна), Индия

Команда Софтусвиста проверил этот калькулятор и еще 1100+!

< 16 Характеристики носителя заряда Калькуляторы

Внутренняя концентрация

Идти Концентрация внутреннего носителя = sqrt(Эффективная плотность в валентной зоне*Эффективная плотность в зоне проводимости)*e^((-Температурная зависимость ширины запрещенной зоны)/(2*[BoltZ]*Температура))

Чувствительность ЭЛТ к электростатическому отклонению

Идти Электростатическая чувствительность к отклонению = (Расстояние между отклоняющими пластинами*Расстояние экрана и отклоняющих пластин)/(2*Прогиб луча*Электронная скорость)

Плотность тока из-за электронов

Идти Плотность электронного тока = [Charge-e]*Электронная концентрация*Подвижность электрона*Напряженность электрического поля

Плотность тока из-за отверстий

Идти Отверстия Плотность тока = [Charge-e]*Концентрация отверстий*Подвижность отверстий*Напряженность электрического поля

Константа диффузии электронов

Идти Константа электронной диффузии = Подвижность электрона*(([BoltZ]*Температура)/[Charge-e])

Отверстия Константа диффузии

Идти Отверстия Константа диффузии = Подвижность отверстий*(([BoltZ]*Температура)/[Charge-e])

Концентрация собственных носителей в неравновесных условиях

Идти Концентрация внутреннего носителя = sqrt(Концентрация большинства носителей*Концентрация миноритарных перевозчиков)

Сила, действующая на элемент тока в магнитном поле

Идти Сила = Текущий элемент*Плотность магнитного потока*sin(Угол между плоскостями)

Скорость электрона

Идти Скорость из-за напряжения = sqrt((2*[Charge-e]*Напряжение)/[Mass-e])

Длина диффузии отверстия

Идти Отверстия Диффузионная длина = sqrt(Отверстия Константа диффузии*Срок службы держателя отверстия)

Период времени электрона

Идти Период кругового пути частицы = (2*3.14*[Mass-e])/(Сила магнитного поля*[Charge-e])

Электропроводность в металлах

Идти проводимость = Электронная концентрация*[Charge-e]*Подвижность электрона

Скорость электрона в силовых полях

Идти Скорость электрона в силовых полях = Напряженность электрического поля/Сила магнитного поля

Тепловое напряжение

Идти Тепловое напряжение = [BoltZ]*Температура/[Charge-e]

Тепловое напряжение с использованием уравнения Эйнштейна

Идти Тепловое напряжение = Константа электронной диффузии/Подвижность электрона

Плотность конвекционного тока

Идти Плотность конвекционного тока = Плотность заряда*Скорость заряда

Период времени электрона формула

Период кругового пути частицы = (2*3.14*[Mass-e])/(Сила магнитного поля*[Charge-e])
t_c = (2*3.14*[Mass-e])/(H*[Charge-e])

Каков период времени, за который электрон вращается вокруг кругового поля?

Период времени вращения электрона по круговой орбите в магнитном поле определяется взаимодействием между магнитной силой и центростремительной силой, необходимой для удержания электрона на его круговом пути. На основании этого мы можем вывести период движения как T=2πr/v=2πvm/vqB=2πm/qB.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!