Spanning over poort en bron van MOSFET bij gebruik met differentiële ingangsspanning Rekenmachine

✖Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.ⓘ Drempelspanning [V_th]			+10% -10%
✖DC-biasstroom is de constante stroom die door een circuit of apparaat stroomt om een bepaald werkpunt of bias-punt vast te stellen.ⓘ DC-biasstroom [I_b]			+10% -10%
✖De Process Transconductance Parameter (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.ⓘ Procestransconductantieparameter [k'_n]			+10% -10%
✖Beeldverhouding wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de breedte van het kanaal van de transistor en de lengte ervan. Het is de verhouding tussen de breedte van de poort en de afstand tot de bronⓘ Beeldverhouding [WL]			+10% -10%

✖Gate-source-spanning is een kritische parameter die de werking van een FET beïnvloedt, en wordt vaak gebruikt om het gedrag van het apparaat te regelen.ⓘ Spanning over poort en bron van MOSFET bij gebruik met differentiële ingangsspanning [V_gs]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Spanning over poort en bron van MOSFET bij gebruik met differentiële ingangsspanning

Formule

`"V"_{"gs"} = "V"_{"th"}+sqrt((2*"I"_{"b"})/("k'"_{"n"}*"WL"))`

Voorbeeld

`"5.362834V"="2.3V"+sqrt((2*"985mA")/("2.1A/V²"*"0.1"))`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Spanning over poort en bron van MOSFET bij gebruik met differentiële ingangsspanning Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Gate-bronspanning = Drempelspanning+sqrt((2*DC-biasstroom)/(Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding))
V_gs = V_th+sqrt((2*I_b)/(k'_n*WL))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 5 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Gate-bronspanning - (Gemeten in Volt) - Gate-source-spanning is een kritische parameter die de werking van een FET beïnvloedt, en wordt vaak gebruikt om het gedrag van het apparaat te regelen.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.
DC-biasstroom - (Gemeten in Ampère) - DC-biasstroom is de constante stroom die door een circuit of apparaat stroomt om een bepaald werkpunt of bias-punt vast te stellen.
Procestransconductantieparameter - (Gemeten in Ampère per vierkante volt) - De Process Transconductance Parameter (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.
Beeldverhouding - Beeldverhouding wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de breedte van het kanaal van de transistor en de lengte ervan. Het is de verhouding tussen de breedte van de poort en de afstand tot de bron

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Drempelspanning: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Geen conversie vereist
DC-biasstroom: 985 milliampère --> 0.985 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Procestransconductantieparameter: 2.1 Ampère per vierkante volt --> 2.1 Ampère per vierkante volt Geen conversie vereist
Beeldverhouding: 0.1 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_gs = V_th+sqrt((2*I_b)/(k'_n*WL)) --> 2.3+sqrt((2*0.985)/(2.1*0.1))

Evalueren ... ...

V_gs = 5.36283404397829

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

5.36283404397829 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

5.36283404397829 ≈ 5.362834 Volt <-- Gate-bronspanning

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » Spanning » Spanning over poort en bron van MOSFET bij gebruik met differentiële ingangsspanning

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 20 Spanning Rekenmachines

Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning

Gaan Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte/Kanaallengte*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)

Gemeenschappelijke poortuitgangsspanning

Gaan Uitgangsspanning = -(Transconductantie*Kritische spanning)*((Belastingsweerstand*Poort weerstand)/(Poort weerstand+Belastingsweerstand))

Uitgangsspanning bij afvoer Q1 van MOSFET gegeven Common-Mode-signaal

Gaan Afvoerspanning Q1 = -Uitgangsweerstand*(Transconductantie*Common Mode-ingangssignaal)/(1+(2*Transconductantie*Uitgangsweerstand))

Spanning over poort en bron van MOSFET bij gebruik met differentiële ingangsspanning

Gaan Gate-bronspanning = Drempelspanning+sqrt((2*DC-biasstroom)/(Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding))

Broningangsspanning

Gaan Broningangsspanning = Ingangsspanning*(Ingangsversterkerweerstand/(Ingangsversterkerweerstand+Equivalente bronweerstand))

Ingangspoort-naar-bronspanning

Gaan Kritische spanning = (Ingangsversterkerweerstand/(Ingangsversterkerweerstand+Equivalente bronweerstand))*Ingangsspanning

Uitgangsspanning bij afvoer Q2 van MOSFET gegeven Common-Mode-signaal

Gaan Afvoerspanning Q2 = -(Uitgangsweerstand/((1/Transconductantie)+2*Uitgangsweerstand))*Common Mode-ingangssignaal

Overdrive-spanning wanneer MOSFET fungeert als versterker met belastingsweerstand

Gaan Transconductantie = Totale stroom/(Common Mode-ingangssignaal-(2*Totale stroom*Uitgangsweerstand))

Incrementeel spanningssignaal van differentiële versterker

Gaan Common Mode-ingangssignaal = (Totale stroom/Transconductantie)+(2*Totale stroom*Uitgangsweerstand)

Spanning over poort en bron van MOSFET gegeven ingangsstroom

Gaan Gate-bronspanning = Invoerstroom/(Hoekfrequentie*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))

Positieve spanning gegeven apparaatparameter in MOSFET

Gaan Invoerstroom = Gate-bronspanning*(Hoekfrequentie*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))

Spanning bij afvoer Q1 van MOSFET

Gaan Uitgangsspanning = -(Totale belastingsweerstand van MOSFET/(2*Uitgangsweerstand))*Common Mode-ingangssignaal

Spanning bij afvoer Q2 in MOSFET

Gaan Uitgangsspanning = -(Totale belastingsweerstand van MOSFET/(2*Uitgangsweerstand))*Common Mode-ingangssignaal

Verzadigingsspanning van MOSFET

Gaan Afvoer- en bronverzadigingsspanning = Gate-bronspanning-Drempelspanning

Spanning over poort naar bron van MOSFET op differentiële ingangsspanning gegeven overdrive-spanning

Gaan Gate-bronspanning = Drempelspanning+1.4*Effectieve spanning

Drempelspanning wanneer MOSFET fungeert als versterker

Gaan Drempelspanning = Gate-bronspanning-Effectieve spanning

Drempelspanning van MOSFET

Gaan Drempelspanning = Gate-bronspanning-Effectieve spanning

Overstuurspanning

Gaan Overdrive-spanning = (2*Afvoerstroom)/Transconductantie

Uitgangsspanning bij afvoer Q1 van MOSFET

Gaan Afvoerspanning Q1 = -(Uitgangsweerstand*Totale stroom)

Uitgangsspanning bij afvoer Q2 van MOSFET

Gaan Afvoerspanning Q2 = -(Uitgangsweerstand*Totale stroom)

Spanning over poort en bron van MOSFET bij gebruik met differentiële ingangsspanning Formule

Gate-bronspanning = Drempelspanning+sqrt((2*DC-biasstroom)/(Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding))
V_gs = V_th+sqrt((2*I_b)/(k'_n*WL))

Wat is differentiële ingangsspanning?

De differentiële ingangsspanning is de maximale spanning die kan worden geleverd aan de ingang (niet-inverterende ingang) en -ingang (inverterende ingang) pinnen zonder schade te veroorzaken of IC-kenmerken te verslechteren.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!