Breedte van de uitputtingszone Rekenmachine

✖Dopingdichtheid verwijst naar de concentratie van doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal. Doteermiddelen zijn onzuiverheidsatomen die opzettelijk in de halfgeleider worden geïntroduceerd.ⓘ Dopingdichtheid [N_d]			+10% -10%
✖Schottky Potentiële Barrière fungeert als een barrière voor elektronen, en de hoogte van de barrière hangt af van het werkfunctieverschil tussen de twee materialen.ⓘ Schottky potentiële barrière [V_i]			+10% -10%
✖Poortspanning is de spanning die wordt ontwikkeld op de poortbronovergang van een JFET-transistor.ⓘ Poortspanning [V_g]			+10% -10%

✖De breedte van de uitputtingsregio is een regio in een halfgeleiderapparaat waar geen vrije ladingsdragers zijn.ⓘ Breedte van de uitputtingszone [x_depl]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Breedte van de uitputtingszone

Formule

`"x"_{"depl"} = sqrt((("[Permitivity-silicon]"*2)/("[Charge-e]"*"N"_{"d"}))*("V"_{"i"}-"V"_{"g"}))`

Voorbeeld

`"0.000159m"=sqrt((("[Permitivity-silicon]"*2)/("[Charge-e]"*"9e22/cm³"))*("15.9V"-"0.25V"))`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Magnetronbuizen en -circuits Formule Pdf PDF Image

Breedte van de uitputtingszone Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Breedte van het uitputtingsgebied = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Dopingdichtheid))*(Schottky potentiële barrière-Poortspanning))
x_depl = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*N_d))*(V_i-V_g))
Deze formule gebruikt 2 Constanten, 1 Functies, 4 Variabelen

Gebruikte constanten

[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium Waarde genomen als 11.7
[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Breedte van het uitputtingsgebied - (Gemeten in Meter) - De breedte van de uitputtingsregio is een regio in een halfgeleiderapparaat waar geen vrije ladingsdragers zijn.
Dopingdichtheid - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Dopingdichtheid verwijst naar de concentratie van doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal. Doteermiddelen zijn onzuiverheidsatomen die opzettelijk in de halfgeleider worden geïntroduceerd.
Schottky potentiële barrière - (Gemeten in Volt) - Schottky Potentiële Barrière fungeert als een barrière voor elektronen, en de hoogte van de barrière hangt af van het werkfunctieverschil tussen de twee materialen.
Poortspanning - (Gemeten in Volt) - Poortspanning is de spanning die wordt ontwikkeld op de poortbronovergang van een JFET-transistor.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Dopingdichtheid: 9E+22 1 per kubieke centimeter --> 9E+28 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Schottky potentiële barrière: 15.9 Volt --> 15.9 Volt Geen conversie vereist
Poortspanning: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

x_depl = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*N_d))*(V_i-V_g)) --> sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*9E+28))*(15.9-0.25))

Evalueren ... ...

x_depl = 0.000159363423174517

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.000159363423174517 Meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.000159363423174517 ≈ 0.000159 Meter <-- Breedte van het uitputtingsgebied

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Magnetron theorie » Magnetronbuizen en -circuits » Klystron » Breedte van de uitputtingszone

Credits

Gemaakt door Sonu Kumar Keshri

Nationaal Instituut voor Technologie, Patna (NITP), Patna

Sonu Kumar Keshri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 5 meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

< 13 Klystron Rekenmachines

Breedte van de uitputtingszone

Gaan Breedte van het uitputtingsgebied = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Dopingdichtheid))*(Schottky potentiële barrière-Poortspanning))

Wederzijdse geleiding van Klystron-versterker

Gaan Wederzijdse geleiding van Klystron-versterker = (2*Kathodebundelstroom*Balkkoppelingscoëfficiënt*Eerste orde Bessel-functie)/Ingangssignaalamplitude

Klystron-efficiëntie

Gaan Klystron-efficiëntie = (Bundelcomplexcoëfficiënt*Eerste orde Bessel-functie)*(Catcher-afstandsspanning/Kathodebundelspanning)

Bundelingsparameter van Klystron

Gaan Bundelparameter = (Balkkoppelingscoëfficiënt*Ingangssignaalamplitude*Hoekige variatie)/(2*Kathodebundelspanning)

Geleiding van de straalbelasting

Gaan Geleiding van straalbelasting = Geleiding van holte-(Geladen geleiding+Geleiding van koperverlies)

Koperverlies van holte

Gaan Geleiding van koperverlies = Geleiding van holte-(Geleiding van straalbelasting+Geladen geleiding)

Caviteitsgeleiding

Gaan Geleiding van holte = Geladen geleiding+Geleiding van koperverlies+Geleiding van straalbelasting

Anodespanning

Gaan Anodespanning = Vermogen gegenereerd in anodecircuit/(Anodestroom*Elektronische efficiëntie)

Resonantiefrequentie van holte

Gaan Resonante frequentie = Q-factor van Cavity Resonator*(Frequentie 2-Frequentie 1)

Ingangsvermogen van Reflex Klystron

Gaan Reflex Klystron-ingangsvermogen = Reflex Klystron-spanning*Reflex Klystron-straalstroom

Vermogensverlies in anodecircuit

Gaan Stroomuitval = Gelijkstroomvoeding*(1-Elektronische efficiëntie)

Gelijkstroomvoeding

Gaan Gelijkstroomvoeding = Stroomuitval/(1-Elektronische efficiëntie)

DC-transittijd

Gaan DC-transiënte tijd = Poortlengte/Verzadiging Driftsnelheid

Breedte van de uitputtingszone Formule

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!