Szerokość strefy wyczerpania Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Szerokość obszaru wyczerpania = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Gęstość dopingu))*(Bariera potencjału Schottky’ego-Napięcie bramki))
xdepl = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Nd))*(Vi-Vg))
Ta formuła używa 2 Stałe, 1 Funkcje, 4 Zmienne
Używane stałe
[Permitivity-silicon] - Permittività del silicio Wartość przyjęta jako 11.7
[Charge-e] - Carica dell'elettrone Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19
Używane funkcje
sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)
Używane zmienne
Szerokość obszaru wyczerpania - (Mierzone w Metr) - Szerokość obszaru wyczerpania to obszar w urządzeniu półprzewodnikowym, w którym nie ma wolnych nośników ładunku.
Gęstość dopingu - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Gęstość domieszkowania odnosi się do stężenia atomów domieszki w materiale półprzewodnikowym. Domieszki to atomy zanieczyszczeń celowo wprowadzone do półprzewodnika.
Bariera potencjału Schottky’ego - (Mierzone w Wolt) - Bariera potencjału Schottky'ego działa jak bariera dla elektronów, a wysokość bariery zależy od różnicy funkcji pracy obu materiałów.
Napięcie bramki - (Mierzone w Wolt) - Napięcie bramki to napięcie powstające na złączu źródła bramki tranzystora JFET.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Gęstość dopingu: 9E+22 1 na centymetr sześcienny --> 9E+28 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Bariera potencjału Schottky’ego: 15.9 Wolt --> 15.9 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie bramki: 0.25 Wolt --> 0.25 Wolt Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
xdepl = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Nd))*(Vi-Vg)) --> sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*9E+28))*(15.9-0.25))
Ocenianie ... ...
xdepl = 0.000159363423174517
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.000159363423174517 Metr --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.000159363423174517 0.000159 Metr <-- Szerokość obszaru wyczerpania
(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Kredyty

Stworzone przez Sonu Kumar Keshri
Narodowy Instytut Technologii, Patna (NITP), Patna
Sonu Kumar Keshri utworzył ten kalkulator i 5 więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez Parminder Singh
Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab
Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

13 Klistron Kalkulatory

Szerokość strefy wyczerpania
Iść Szerokość obszaru wyczerpania = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Gęstość dopingu))*(Bariera potencjału Schottky’ego-Napięcie bramki))
Wzajemna przewodność wzmacniacza Klystron
Iść Wzajemne przewodnictwo wzmacniacza klistronowego = (2*Prąd zbiorczy katod*Współczynnik sprzężenia belki*Funkcja Bessela pierwszego rzędu)/Amplituda sygnału wejściowego
Wydajność Klystron
Iść Wydajność Klistronu = (Współczynnik kompleksu belki*Funkcja Bessela pierwszego rzędu)*(Napięcie przerwy łapacza/Napięcie zbiorcze katody)
Parametr wiązki Klystron
Iść Parametr grupowania = (Współczynnik sprzężenia belki*Amplituda sygnału wejściowego*Zmiana kątowa)/(2*Napięcie zbiorcze katody)
Przewodność obciążenia wiązki
Iść Przewodność ładowania wiązki = Przewodnictwo wnęki-(Obciążona przewodność+Przewodnictwo strat miedzi)
Miedziana utrata wnęki
Iść Przewodnictwo strat miedzi = Przewodnictwo wnęki-(Przewodność ładowania wiązki+Obciążona przewodność)
Częstotliwość rezonansowa wnęki
Iść Częstotliwość rezonansowa = Współczynnik Q rezonatora wnękowego*(Częstotliwość 2-Częstotliwość 1)
Przewodnictwo wnękowe
Iść Przewodnictwo wnęki = Obciążona przewodność+Przewodnictwo strat miedzi+Przewodność ładowania wiązki
Napięcie anodowe
Iść Napięcie anodowe = Moc generowana w obwodzie anodowym/ (Prąd anodowy*Wydajność elektroniczna)
Moc wejściowa odruchowego klistronu
Iść Moc wejściowa odruchowego klistronu = Odruchowe napięcie klistronowe*Odruchowy prąd wiązki klistronu
Czas tranzytu DC
Iść Czas przejściowy DC = Długość bramy/Prędkość dryfu nasycenia
Utrata mocy w obwodzie anodowym
Iść Utrata mocy = Zasilacz*(1-Wydajność elektroniczna)
Zasilacz
Iść Zasilacz = Utrata mocy/(1-Wydajność elektroniczna)

Szerokość strefy wyczerpania Formułę

Szerokość obszaru wyczerpania = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Gęstość dopingu))*(Bariera potencjału Schottky’ego-Napięcie bramki))
xdepl = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Nd))*(Vi-Vg))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!