Calcolatrice da A a Z
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Cavità di Klystron
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Tubo del raggio
Tubo elicoidale
✖
La densità di drogaggio si riferisce alla concentrazione di atomi droganti in un materiale semiconduttore. I droganti sono atomi di impurità che vengono intenzionalmente introdotti nel semiconduttore.
ⓘ
Densità del doping [N
d
]
1 per centimetro cubo
1 per metro cubo
per litro
per millilitro
+10%
-10%
✖
La barriera del potenziale Schottky agisce come una barriera per gli elettroni e l'altezza della barriera dipende dalla differenza di funzione lavoro tra i due materiali.
ⓘ
Barriera potenziale di Schottky [V
i
]
Abvolt
Attovolt
Centivolt
Decivolo
Decavolt
EMU di potenziale elettrico
ESU di potenziale elettrico
Femtovolt
Gigavolt
Ettovolt
kilovolt
Megavolt
Microvolt
Millvolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck di tensione
statvolt
Teravot
Volt
Watt/Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
La tensione di gate è la tensione sviluppata alla giunzione gate source di un transistor JFET.
ⓘ
Tensione di porta [V
g
]
Abvolt
Attovolt
Centivolt
Decivolo
Decavolt
EMU di potenziale elettrico
ESU di potenziale elettrico
Femtovolt
Gigavolt
Ettovolt
kilovolt
Megavolt
Microvolt
Millvolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck di tensione
statvolt
Teravot
Volt
Watt/Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
La larghezza della regione di esaurimento è una regione in un dispositivo a semiconduttore in cui non sono presenti portatori di carica gratuiti.
ⓘ
Larghezza della zona di svuotamento [x
depl
]
Aln
Angstrom
Arpent
Unità Astronomica
Attometro
AU di lunghezza
granello
Miliardi di anni luce
Raggio di Bohr
Cavo (internazionale)
Cavo (UK)
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Cubit (UK)
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Millimetro
Million Light Year
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Nanometro
Lega Nautica (int)
Lega Nautica Regno Unito
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Nautical Milgo (UK)
parsec
Pertica
Petametro
Pica
picometer
Planck Lunghezza
Punto
polo
Trimestre
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Ancia (lunga)
asta
Actus Romana
Corda
Archin russo
Span (panno)
Raggio di sole
terametro
Twip
Vara Castellana
Vara Conuquera
Vara de Tarea
yard
Yoctometer
Yottameter
Zettometro
Zettameter
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Passi
👎
Formula
✖
Larghezza della zona di svuotamento
Formula
`"x"_{"depl"} = sqrt((("[Permitivity-silicon]"*2)/("[Charge-e]"*"N"_{"d"}))*("V"_{"i"}-"V"_{"g"}))`
Esempio
`"0.000159m"=sqrt((("[Permitivity-silicon]"*2)/("[Charge-e]"*"9e22/cm³"))*("15.9V"-"0.25V"))`
Calcolatrice
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Scaricamento Tubi e circuiti a microonde Formula PDF
Larghezza della zona di svuotamento Soluzione
FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Larghezza della regione di esaurimento
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
Densità del doping
))*(
Barriera potenziale di Schottky
-
Tensione di porta
))
x
depl
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
N
d
))*(
V
i
-
V
g
))
Questa formula utilizza
2
Costanti
,
1
Funzioni
,
4
Variabili
Costanti utilizzate
[Permitivity-silicon]
- Permittività del silicio Valore preso come 11.7
[Charge-e]
- Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19
Funzioni utilizzate
sqrt
- Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)
Variabili utilizzate
Larghezza della regione di esaurimento
-
(Misurato in metro)
- La larghezza della regione di esaurimento è una regione in un dispositivo a semiconduttore in cui non sono presenti portatori di carica gratuiti.
Densità del doping
-
(Misurato in 1 per metro cubo)
- La densità di drogaggio si riferisce alla concentrazione di atomi droganti in un materiale semiconduttore. I droganti sono atomi di impurità che vengono intenzionalmente introdotti nel semiconduttore.
Barriera potenziale di Schottky
-
(Misurato in Volt)
- La barriera del potenziale Schottky agisce come una barriera per gli elettroni e l'altezza della barriera dipende dalla differenza di funzione lavoro tra i due materiali.
Tensione di porta
-
(Misurato in Volt)
- La tensione di gate è la tensione sviluppata alla giunzione gate source di un transistor JFET.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Densità del doping:
9E+22 1 per centimetro cubo --> 9E+28 1 per metro cubo
(Controlla la conversione
qui
)
Barriera potenziale di Schottky:
15.9 Volt --> 15.9 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione di porta:
0.25 Volt --> 0.25 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
x
depl
= sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*N
d
))*(V
i
-V
g
)) -->
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*9E+28))*(15.9-0.25))
Valutare ... ...
x
depl
= 0.000159363423174517
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.000159363423174517 metro --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.000159363423174517
≈
0.000159 metro
<--
Larghezza della regione di esaurimento
(Calcolo completato in 00.020 secondi)
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Larghezza della zona di svuotamento
Titoli di coda
Creato da
Sonu Kumar Keshri
Istituto Nazionale di Tecnologia, Patna
(PNI)
,
Patna
Sonu Kumar Keshri ha creato questa calcolatrice e altre 5 altre calcolatrici!
Verificato da
Parminder Singh
Università di Chandigarh
(CU)
,
Punjab
Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
<
13 Klystron Calcolatrici
Larghezza della zona di svuotamento
Partire
Larghezza della regione di esaurimento
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
Densità del doping
))*(
Barriera potenziale di Schottky
-
Tensione di porta
))
Conduttanza reciproca dell'amplificatore Klystron
Partire
Conduttanza reciproca dell'amplificatore Klystron
= (2*
Corrente del raccoglitore catodico
*
Coefficiente di accoppiamento della trave
*
Funzione di Bessel del primo ordine
)/
Ampiezza del segnale di ingresso
Klystron Efficiency
Partire
Efficienza di Klystron
= (
Coefficiente complesso del fascio
*
Funzione di Bessel del primo ordine
)*(
Tensione dell'intervallo del ricevitore
/
Tensione del raccoglitore catodico
)
Parametro di raggruppamento di Klystron
Partire
Parametro di raggruppamento
= (
Coefficiente di accoppiamento della trave
*
Ampiezza del segnale di ingresso
*
Variazione angolare
)/(2*
Tensione del raccoglitore catodico
)
Conduttanza di carico trave
Partire
Conduttanza di caricamento del raggio
=
Conduttanza della cavità
-(
Conduttanza caricata
+
Conduttanza delle perdite nel rame
)
Rame perdita di cavità
Partire
Conduttanza delle perdite nel rame
=
Conduttanza della cavità
-(
Conduttanza di caricamento del raggio
+
Conduttanza caricata
)
Conduttanza della cavità
Partire
Conduttanza della cavità
=
Conduttanza caricata
+
Conduttanza delle perdite nel rame
+
Conduttanza di caricamento del raggio
Tensione anodica
Partire
Tensione anodica
=
Potenza generata nel circuito anodico
/(
Corrente anodica
*
Efficienza elettronica
)
Frequenza di risonanza della cavità
Partire
Frequenza di risonanza
=
Fattore Q del risonatore a cavità
*(
Frequenza 2
-
Frequenza 1
)
Potenza in ingresso di Reflex Klystron
Partire
Potenza in ingresso Reflex Klystron
=
Voltaggio riflesso di Klystron
*
Corrente riflessa del fascio Klystron
Tempo di transito CC
Partire
Tempo transitorio CC
=
Lunghezza del cancello
/
Velocità di deriva della saturazione
Perdita di potenza nel circuito dell'anodo
Partire
Perdita di potenza
=
Alimentazione CC
*(1-
Efficienza elettronica
)
Alimentazione CC
Partire
Alimentazione CC
=
Perdita di potenza
/(1-
Efficienza elettronica
)
Larghezza della zona di svuotamento Formula
Larghezza della regione di esaurimento
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
Densità del doping
))*(
Barriera potenziale di Schottky
-
Tensione di porta
))
x
depl
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
N
d
))*(
V
i
-
V
g
))
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