Werkfunctie in MOSFET Rekenmachine

✖Vacuümniveau is een theoretisch energieniveau dat een basis biedt voor het begrijpen van energieniveaus in de halfgeleider- en metaalgebieden van de MOSFET.ⓘ Vacuümniveau [qχ]			+10% -10%
✖Geleidingsband Energieniveau is een energieband binnen het halfgeleidermateriaal waar elektronen vrij kunnen bewegen en kunnen bijdragen aan elektrische geleiding.ⓘ Energieniveau van de geleidingsband [E_c]			+10% -10%
✖Fermi Level vertegenwoordigt het energieniveau waarbij elektronen een kans van 50% hebben om bezet te zijn bij een temperatuur van het absolute nulpunt.ⓘ Fermi-niveau [E_F]			+10% -10%

✖De werkfunctie is de energie die een elektron nodig heeft om van het Fermi-niveau naar de vrije ruimte te gaan.ⓘ Werkfunctie in MOSFET [qΦ_S]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Werkfunctie in MOSFET Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Werk functie = Vacuümniveau+(Energieniveau van de geleidingsband-Fermi-niveau)
qΦ_S = qχ+(E_c-E_F)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Werk functie - (Gemeten in Volt) - De werkfunctie is de energie die een elektron nodig heeft om van het Fermi-niveau naar de vrije ruimte te gaan.
Vacuümniveau - (Gemeten in Joule) - Vacuümniveau is een theoretisch energieniveau dat een basis biedt voor het begrijpen van energieniveaus in de halfgeleider- en metaalgebieden van de MOSFET.
Energieniveau van de geleidingsband - (Gemeten in Joule) - Geleidingsband Energieniveau is een energieband binnen het halfgeleidermateriaal waar elektronen vrij kunnen bewegen en kunnen bijdragen aan elektrische geleiding.
Fermi-niveau - (Gemeten in Joule) - Fermi Level vertegenwoordigt het energieniveau waarbij elektronen een kans van 50% hebben om bezet te zijn bij een temperatuur van het absolute nulpunt.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Vacuümniveau: 5.1 Electron-volt --> 8.17110438300004E-19 Joule (Bekijk de conversie hier)
Energieniveau van de geleidingsband: 3.01 Electron-volt --> 4.82255376330002E-19 Joule (Bekijk de conversie hier)
Fermi-niveau: 5.24 Electron-volt --> 8.39540920920004E-19 Joule (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

qΦ_S = qχ+(E_c-E_F) --> 8.17110438300004E-19+(4.82255376330002E-19-8.39540920920004E-19)

Evalueren ... ...

qΦ_S = 4.59824893710002E-19

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

4.59824893710002E-19 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

4.59824893710002E-19 ≈ 4.6E-19 Volt <-- Werk functie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Werkfunctie in MOSFET

Credits

Gemaakt door Banu Prakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banu Prakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

LaTeX Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Fermi-potentieel voor P-type

LaTeX Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

LaTeX Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

LaTeX Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Bekijk meer >>