Werkfunctie in MOSFET Rekenmachine

✖Vacuümniveau is een theoretisch energieniveau dat een basis biedt voor het begrijpen van energieniveaus in de halfgeleider- en metaalgebieden van de MOSFET.ⓘ Vacuümniveau [qχ]			+10% -10%
✖Geleidingsband Energieniveau is een energieband binnen het halfgeleidermateriaal waar elektronen vrij kunnen bewegen en kunnen bijdragen aan elektrische geleiding.ⓘ Energieniveau van de geleidingsband [E_c]			+10% -10%
✖Fermi Level vertegenwoordigt het energieniveau waarbij elektronen een kans van 50% hebben om bezet te zijn bij een temperatuur van het absolute nulpunt.ⓘ Fermi-niveau [E_F]			+10% -10%

✖De werkfunctie is de energie die een elektron nodig heeft om van het Fermi-niveau naar de vrije ruimte te gaan.ⓘ Werkfunctie in MOSFET [qΦ_S]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Werkfunctie in MOSFET

Formule

`"qΦ"_{"S"} = "qχ"+("E"_{"c"}-"E"_{"F"})`

Voorbeeld

`"4.6E^-19V"="5.1eV"+("3.01eV"-"5.24eV")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Werkfunctie in MOSFET Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Werk functie = Vacuümniveau+(Energieniveau van de geleidingsband-Fermi-niveau)
qΦ_S = qχ+(E_c-E_F)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Werk functie - (Gemeten in Volt) - De werkfunctie is de energie die een elektron nodig heeft om van het Fermi-niveau naar de vrije ruimte te gaan.
Vacuümniveau - (Gemeten in Joule) - Vacuümniveau is een theoretisch energieniveau dat een basis biedt voor het begrijpen van energieniveaus in de halfgeleider- en metaalgebieden van de MOSFET.
Energieniveau van de geleidingsband - (Gemeten in Joule) - Geleidingsband Energieniveau is een energieband binnen het halfgeleidermateriaal waar elektronen vrij kunnen bewegen en kunnen bijdragen aan elektrische geleiding.
Fermi-niveau - (Gemeten in Joule) - Fermi Level vertegenwoordigt het energieniveau waarbij elektronen een kans van 50% hebben om bezet te zijn bij een temperatuur van het absolute nulpunt.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Vacuümniveau: 5.1 Electron-volt --> 8.17110438300004E-19 Joule (Bekijk de conversie hier)
Energieniveau van de geleidingsband: 3.01 Electron-volt --> 4.82255376330002E-19 Joule (Bekijk de conversie hier)
Fermi-niveau: 5.24 Electron-volt --> 8.39540920920004E-19 Joule (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

qΦ_S = qχ+(E_c-E_F) --> 8.17110438300004E-19+(4.82255376330002E-19-8.39540920920004E-19)

Evalueren ... ...

qΦ_S = 4.59824893710002E-19

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

4.59824893710002E-19 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

4.59824893710002E-19 ≈ 4.6E-19 Volt <-- Werk functie

(Berekening voltooid in 00.008 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Werkfunctie in MOSFET

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 21 MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Trek de stroom in het lineaire gebied naar beneden

Gaan Lineaire regio pull-downstroom = sum(x,0,Aantal parallelle drivertransistors,(Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit/2)*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*(2*(Poortbronspanning-Drempelspanning)*Uitgangsspanning-Uitgangsspanning^2))

Knooppuntspanning bij gegeven instantie

Gaan Knooppuntspanning bij gegeven instantie = (Transconductantiefactor/Knooppuntcapaciteit)*int(exp(-(1/(Knooppunt weerstand*Knooppuntcapaciteit))*(Tijdsperiode-x))*Stroom stroomt naar knooppunt*x,x,0,Tijdsperiode)

Trek de stroom in het verzadigingsgebied naar beneden

Gaan Verzadigingsregio Pull-downstroom = sum(x,0,Aantal parallelle drivertransistors,(Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit/2)*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2)

Verzadigingstijd

Gaan Verzadigingstijd = -2*Belastingscapaciteit/(Transconductantieprocesparameter*(Hoge uitgangsspanning-Drempelspanning)^2)*int(1,x,Hoge uitgangsspanning,Hoge uitgangsspanning-Drempelspanning)

Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied

Gaan Dichtheid van de lading van de uitputtingslaag = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor*modulus(Oppervlaktepotentieel-Bulk Fermi-potentieel)))

Tijdvertraging wanneer NMOS in een lineair gebied werkt

Gaan Lineair gebied in tijdvertraging = -2*Verbindingscapaciteit*int(1/(Transconductantieprocesparameter*(2*(Ingangsspanning-Drempelspanning)*x-x^2)),x,Initiële spanning,Eindspanning)

Afvoerstroom die door de MOS-transistor vloeit

Gaan Afvoerstroom = (Kanaalbreedte/Kanaallengte)*Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit*int((Poortbronspanning-x-Drempelspanning),x,0,Afvoerbronspanning)

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met afvoer

Gaan De diepte van het uitputtingsgebied van de drain = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Ingebouwd verbindingspotentieel+Afvoerbronspanning))/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor))

Fermi-potentieel voor N-type

Gaan Fermi-potentieel voor N-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Concentratie van donordoteringsmiddelen/Intrinsieke dragerconcentratie)

Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor

Gaan Verzadigingsgebied Afvoerstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*int(Aanval*Korte kanaalparameter,x,0,Effectieve kanaallengte)

Fermi-potentieel voor P-type

Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Maximale uitputtingsdiepte

Gaan Maximale uitputtingsdiepte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Bulk Fermi-potentieel))/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor))

Equivalente grote signaalcapaciteit

Gaan Equivalente grote signaalcapaciteit = (1/(Eindspanning-Initiële spanning))*int(Verbindingscapaciteit*x,x,Initiële spanning,Eindspanning)

Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio

Gaan Ingebouwde spanning = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor*modulus(-2*Bulk Fermi-potentieel)))

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron

Gaan Bron's diepte van de uitputtingsregio = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Ingebouwd verbindingspotentieel)/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor))

Substraat bias-coëfficiënt

Gaan Substraat bias-coëfficiënt = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor)/Oxidecapaciteit

Gemiddeld vermogen dat in de loop van de tijd wordt gedissipeerd

Gaan Gemiddeld vermogen = (1/Totale tijd besteed)*int(Spanning*Huidig,x,0,Totale tijd genomen)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Werkfunctie in MOSFET

Gaan Werk functie = Vacuümniveau+(Energieniveau van de geleidingsband-Fermi-niveau)

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Werkfunctie in MOSFET Formule

Werk functie = Vacuümniveau+(Energieniveau van de geleidingsband-Fermi-niveau)
qΦ_S = qχ+(E_c-E_F)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!