Wzrost opóźnienia Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Charakterystyka opóźnienia CMOS

Charakterystyka czasu CMOS

Charakterystyka obwodu CMOS

Charakterystyka projektu CMOS

Falowniki CMOS

Podsystem ścieżki danych tablicowych

Podsystem specjalnego przeznaczenia CMOS

Wskaźniki mocy CMOS

✖Wewnętrzne opóźnienie narastania w stopniu prądowym to część opóźnienia narastania, która jest nieodłączna dla obwodu i na którą nie mają wpływu czynniki zewnętrzne, takie jak obciążenie.ⓘ Wewnętrzne opóźnienie narastania [t_ir]			+10% -10%
✖Rezystancja wzrostu jest zdefiniowana jako rezystancja napotkana podczas przejścia sygnału wyjściowego na wzrost.ⓘ Zwiększ opór [R_rise]			+10% -10%
✖Pojemność opóźnienia reprezentuje pojemność w bieżącym stopniu, która jest całkowitą pojemnością w węźle wyjściowym.ⓘ Pojemność opóźnienia [C_d]			+10% -10%
✖Wzrost nachylenia definiuje się jako szybkość, z jaką rośnie napięcie sygnału wejściowego.ⓘ Wzniesienie zbocza [t_sr]			+10% -10%
✖Opóźnienie Poprzednie definiuje się jako poprzedni sygnał wyjściowy uzyskany w bramce lub przeszłe opóźnienie obserwowane przez bramkę.ⓘ Opóźnij poprzedni [t_prev]			+10% -10%

✖Opóźnienie Narastanie Czas potrzebny na zmianę wartości wyjściowej bramki z pewnej wartości na 1 nazywany jest opóźnieniem narastania.ⓘ Wzrost opóźnienia [T_d]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Wzrost opóźnienia

Formuła

`"T"_{"d"} = "t"_{"ir"}+("R"_{"rise"}*"C"_{"d"})+("t"_{"sr"}*"t"_{"prev"})`

Przykład

`"98.484ns"="2.1ns"+("7.68mΩ"*"12.55μF")+("100ns"*"5.6ns")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka opóźnienia CMOS Formuły PDF

Wzrost opóźnienia Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Opóźnienie wzrostu = Wewnętrzne opóźnienie narastania+(Zwiększ opór*Pojemność opóźnienia)+(Wzniesienie zbocza*Opóźnij poprzedni)
T_d = t_ir+(R_rise*C_d)+(t_sr*t_prev)
Ta formuła używa 6 Zmienne

Używane zmienne

Opóźnienie wzrostu - (Mierzone w Drugi) - Opóźnienie Narastanie Czas potrzebny na zmianę wartości wyjściowej bramki z pewnej wartości na 1 nazywany jest opóźnieniem narastania.
Wewnętrzne opóźnienie narastania - (Mierzone w Drugi) - Wewnętrzne opóźnienie narastania w stopniu prądowym to część opóźnienia narastania, która jest nieodłączna dla obwodu i na którą nie mają wpływu czynniki zewnętrzne, takie jak obciążenie.
Zwiększ opór - (Mierzone w Om) - Rezystancja wzrostu jest zdefiniowana jako rezystancja napotkana podczas przejścia sygnału wyjściowego na wzrost.
Pojemność opóźnienia - (Mierzone w Farad) - Pojemność opóźnienia reprezentuje pojemność w bieżącym stopniu, która jest całkowitą pojemnością w węźle wyjściowym.
Wzniesienie zbocza - (Mierzone w Drugi) - Wzrost nachylenia definiuje się jako szybkość, z jaką rośnie napięcie sygnału wejściowego.
Opóźnij poprzedni - (Mierzone w Drugi) - Opóźnienie Poprzednie definiuje się jako poprzedni sygnał wyjściowy uzyskany w bramce lub przeszłe opóźnienie obserwowane przez bramkę.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Wewnętrzne opóźnienie narastania: 2.1 Nanosekunda --> 2.1E-09 Drugi (Sprawdź konwersję tutaj)
Zwiększ opór: 7.68 Miliohm --> 0.00768 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Pojemność opóźnienia: 12.55 Mikrofarad --> 1.255E-05 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Wzniesienie zbocza: 100 Nanosekunda --> 1E-07 Drugi (Sprawdź konwersję tutaj)
Opóźnij poprzedni: 5.6 Nanosekunda --> 5.6E-09 Drugi (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

T_d = t_ir+(R_rise*C_d)+(t_sr*t_prev) --> 2.1E-09+(0.00768*1.255E-05)+(1E-07*5.6E-09)

Ocenianie ... ...

T_d = 9.848400056E-08

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

9.848400056E-08 Drugi -->98.48400056 Nanosekunda (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

98.48400056 ≈ 98.484 Nanosekunda <-- Opóźnienie wzrostu

(Obliczenie zakończone za 00.021 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Charakterystyka opóźnienia CMOS » Wzrost opóźnienia

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 13 Charakterystyka opóźnienia CMOS Kalkulatory

Wzrost opóźnienia

Iść Opóźnienie wzrostu = Wewnętrzne opóźnienie narastania+(Zwiększ opór*Pojemność opóźnienia)+(Wzniesienie zbocza*Opóźnij poprzedni)

Opóźnienie 1-bitowych bramek propagujących

Iść Całkowite opóźnienie propagacji = Opóźnienie ścieżki krytycznej-((Bramy na ścieżce krytycznej-1)*Opóźnienie bramki AND OR+Opóźnienie bramki XOR)

Opóźnienie bramki AND-OR w Gray Cell

Iść Opóźnienie bramki AND OR = (Opóźnienie ścieżki krytycznej-Całkowite opóźnienie propagacji-Opóźnienie bramki XOR)/(Bramy na ścieżce krytycznej-1)

Opóźnienie propagacji w obwodzie

Iść Opóźnienie propagacji obwodu = (Opóźnienie propagacji od wysokiego do niskiego+Opóźnienie propagacji od niskiego do wysokiego)/2

Znormalizowane opóźnienie

Iść Znormalizowane opóźnienie = Całkowite opóźnienie propagacji/Pojemność opóźnienia propagacji

Opóźnienie propagacji

Iść Całkowite opóźnienie propagacji = Znormalizowane opóźnienie*Pojemność opóźnienia propagacji

Opóźnienie propagacji bez pojemności pasożytniczej

Iść Pojemność opóźnienia propagacji = Opóźnienie propagacji obwodu/Znormalizowane opóźnienie

Linia opóźniająca sterowana napięciem

Iść Linia opóźniająca sterowana napięciem = Małe opóźnienie odchylenia/Wzmocnienie VCDL

Małe opóźnienie odchylenia

Iść Małe opóźnienie odchylenia = Wzmocnienie VCDL*Linia opóźniająca sterowana napięciem

Wzmocnienie VCDL

Iść Wzmocnienie VCDL = Małe opóźnienie odchylenia/Linia opóźniająca sterowana napięciem

Szybkość krawędzi

Iść Szybkość krawędzi = (Czas narastania+Czas jesienny)/2

Czas narastania

Iść Czas narastania = 2*Szybkość krawędzi-Czas jesienny

Czas upadku

Iść Czas jesienny = 2*Szybkość krawędzi-Czas narastania

Wzrost opóźnienia Formułę

Opóźnienie wzrostu = Wewnętrzne opóźnienie narastania+(Zwiększ opór*Pojemność opóźnienia)+(Wzniesienie zbocza*Opóźnij poprzedni)
T_d = t_ir+(R_rise*C_d)+(t_sr*t_prev)

Dlaczego modele liniowe są tłumione przez modele nieliniowe?

Modele liniowe są często pomijane lub przewyższają modele nieliniowe ze względu na ich nieodłączne ograniczenia w przechwytywaniu złożonych i skomplikowanych relacji występujących w wielu rzeczywistych zestawach danych. Modele nieliniowe oferują większą elastyczność i dokładność w przedstawianiu tych złożonych wzorców, dzięki czemu są bardziej odpowiednie do szerokiego zakresu zadań. Modele nieliniowe mogą uchwycić zakrzywione, oscylujące i oddziałujące na siebie relacje, które modele liniowe mają trudności z przedstawieniem. W dziedzinach, w których relacje danych są z natury nieliniowe, takich jak biologia, finanse i zachowania ludzi, modele nieliniowe doskonale sprawdzają się w odkrywaniu leżącej u ich podstaw dynamiki. Pomimo swoich zalet modele nieliniowe mogą wymagać dużej mocy obliczeniowej i są mniej podatne na interpretację niż modele liniowe. Jednak ich zdolność do dokładnego modelowania skomplikowanych relacji często przewyższa te wady.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!