Kalkulator A do Z
🔍
Pobierać PDF
Chemia
Inżynieria
Budżetowy
Zdrowie
Matematyka
Fizyka
Efektywna gęstość stanów w paśmie przewodnictwa Kalkulator
Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Matematyka
Plac zabaw
Zdrowie
↳
Elektronika
Cywilny
Elektronika i oprzyrządowanie
Elektryczny
Inżynieria chemiczna
Inżynieria materiałowa
Inżynieria produkcji
Mechaniczny
⤿
Urządzenia optoelektroniczne
Antena
Cyfrowe przetwarzanie obrazu
EDC
Elektronika analogowa
Elektronika mocy
Inżynieria telewizyjna
Komunikacja analogowa
Komunikacja bezprzewodowa
Komunikacja cyfrowa
Komunikacja satelitarna
Linia transmisyjna i antena
Mikroelektronika RF
Produkcja VLSI
Projekt światłowodu
Projektowanie i zastosowania CMOS
Sygnał i systemy
System radarowy
System sterowania
Telekomunikacyjne systemy przełączające
Teoria informacji i kodowanie
Teoria mikrofalowa
Teoria pola elektromagnetycznego
Transmisja światłowodowa
Układy scalone (IC)
Urządzenia półprzewodnikowe
Wbudowany system
Wzmacniacze
⤿
Urządzenia z elementami optycznymi
Lasery
Urządzenia fotoniczne
✖
Efektywna masa elektronu to koncepcja stosowana w fizyce ciała stałego do opisu zachowania elektronów w sieci krystalicznej lub materiale półprzewodnikowym.
ⓘ
Efektywna masa elektronu [m
eff
]
Assarion (Biblijne Roman)
Atomic jednostkę masy
Attogram
Avoirdupois dram
Bekan (Biblijny Hebrajski)
Karat
Centygram
Dalton
Dekagram
Decygram
Denarius (Biblijne Roman)
Didrachma (Biblijny Grecki)
Drachma (Biblijny Grecki)
Mass Electron (Reszta)
Exagram
Femtogram
Gamma
Gerah (Biblijny Hebrajski)
Gigagram
Gigatonne
Grain
Gram
Hektogram
Hundredweight (Zjednoczone Królestwo)
Hundredweight (Stany Zjednoczone)
Msza Jowisza
Kilogram
Kilogram-Siła Kwadrat Sekunda na Metr
kilofunt
Kiloton (metryczne)
Lepton (Biblijne Roman)
Msza Deuterona
Masa Ziemi
Masa neutonów
Masa protonu
Masa Słońca
Megagram
Megatona
Mikrogram
Miligram
Mina (Biblijny Grecki)
Mina (Biblijny Hebrajski)
Mion Mass
Nanogram
Uncja
Pennyweight
Petagram
Pikogramów
Masa Plancka
Funt
Funt (Troy lub Aptekarz)
Poundal
Funt-Siła Kwadrat Sekunda na Stopę
Quadrans (Biblijne Roman)
Quarter (Zjednoczone Królestwo)
Quarter (Stany Zjednoczone)
Kwintal (metryczny)
Skrupulat (Aptekarz)
Szekel (biblijny hebrajski)
Slug
Masa słoneczna
Stone (Zjednoczone Królestwo)
Stone (Stany Zjednoczone)
Talent (Biblijny Grecki)
Talent (Biblijny Hebrajski)
Teragram
Tetradrachma (Biblijny Grecki)
Tona (Assay) (Zjednoczone Królestwo)
Tona (Assay) (Stany Zjednoczone)
Tona (długa)
Tona (Metryczny)
Tona (krótka)
Tona
+10%
-10%
✖
Temperatura bezwzględna reprezentuje temperaturę systemu.
ⓘ
Temperatura absolutna [T]
Celsjusz
Delisle
Fahrenheit
kelwin
Niuton
Rankine
Reaumur
Romera
Punktu potrójnego wody
+10%
-10%
✖
Efektywna gęstość stanów odnosi się do gęstości dostępnych stanów elektronowych na jednostkę objętości w strukturze pasm energetycznych materiału.
ⓘ
Efektywna gęstość stanów w paśmie przewodnictwa [N
eff
]
⎘ Kopiuj
Kroki
👎
Formuła
✖
Efektywna gęstość stanów w paśmie przewodnictwa
Formuła
`"N"_{"eff"} = 2*(2*pi*"m"_{"eff"}*"[BoltZ]"*"T"/"[hP]"^2)^(3/2)`
Przykład
`"3.9E^24"=2*(2*pi*"0.2e-30kg"*"[BoltZ]"*"393K"/"[hP]"^2)^(3/2)`
Kalkulator
LaTeX
Resetowanie
👍
Pobierać Urządzenia z elementami optycznymi Formuły PDF
Efektywna gęstość stanów w paśmie przewodnictwa Rozwiązanie
KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Efektywna gęstość stanów
= 2*(2*
pi
*
Efektywna masa elektronu
*
[BoltZ]
*
Temperatura absolutna
/[hP]^2)^(3/2)
N
eff
= 2*(2*
pi
*
m
eff
*
[BoltZ]
*
T
/[hP]^2)^(3/2)
Ta formuła używa
3
Stałe
,
3
Zmienne
Używane stałe
[BoltZ]
- Stała Boltzmanna Wartość przyjęta jako 1.38064852E-23
[hP]
- Stała Plancka Wartość przyjęta jako 6.626070040E-34
pi
- Stała Archimedesa Wartość przyjęta jako 3.14159265358979323846264338327950288
Używane zmienne
Efektywna gęstość stanów
- Efektywna gęstość stanów odnosi się do gęstości dostępnych stanów elektronowych na jednostkę objętości w strukturze pasm energetycznych materiału.
Efektywna masa elektronu
-
(Mierzone w Kilogram)
- Efektywna masa elektronu to koncepcja stosowana w fizyce ciała stałego do opisu zachowania elektronów w sieci krystalicznej lub materiale półprzewodnikowym.
Temperatura absolutna
-
(Mierzone w kelwin)
- Temperatura bezwzględna reprezentuje temperaturę systemu.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Efektywna masa elektronu:
2E-31 Kilogram --> 2E-31 Kilogram Nie jest wymagana konwersja
Temperatura absolutna:
393 kelwin --> 393 kelwin Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
N
eff
= 2*(2*pi*m
eff
*[BoltZ]*T/[hP]^2)^(3/2) -->
2*(2*
pi
*2E-31*
[BoltZ]
*393/[hP]^2)^(3/2)
Ocenianie ... ...
N
eff
= 3.87070655661186E+24
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
3.87070655661186E+24 --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
3.87070655661186E+24
≈
3.9E+24
<--
Efektywna gęstość stanów
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)
Jesteś tutaj
-
Dom
»
Inżynieria
»
Elektronika
»
Urządzenia optoelektroniczne
»
Urządzenia z elementami optycznymi
»
Efektywna gęstość stanów w paśmie przewodnictwa
Kredyty
Stworzone przez
Priyanka G Chalikar
Narodowy Instytut Inżynierii
(NIE)
,
Mysuru
Priyanka G Chalikar utworzył ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez
Santhosh Yadav
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
<
14 Urządzenia z elementami optycznymi Kalkulatory
Pojemność złącza PN
Iść
Pojemność złącza
=
Obszar złącza PN
/2*
sqrt
((2*
[Charge-e]
*
Względna dopuszczalność
*
[Permitivity-silicon]
)/(
Napięcie na złączu PN
-(
Napięcie odwrotnego polaryzacji
))*((
Stężenie akceptora
*
Stężenie dawcy
)/(
Stężenie akceptora
+
Stężenie dawcy
)))
Stężenie elektronów w warunkach niezrównoważonych
Iść
Stężenie elektronów
=
Wewnętrzne stężenie elektronów
*
exp
((
Poziom quasi-fermiego elektronów
-
Wewnętrzny poziom energii półprzewodnika
)/(
[BoltZ]
*
Temperatura absolutna
))
Długość dyfuzji regionu przejściowego
Iść
Długość dyfuzji obszaru przejściowego
=
Prąd optyczny
/(
Opłata
*
Obszar złącza PN
*
Szybkość generacji optycznej
)-(
Szerokość przejścia
+
Długość złącza po stronie P
)
Prąd ze względu na nośną generowaną optycznie
Iść
Prąd optyczny
=
Opłata
*
Obszar złącza PN
*
Szybkość generacji optycznej
*(
Szerokość przejścia
+
Długość dyfuzji obszaru przejściowego
+
Długość złącza po stronie P
)
Szczytowe opóźnienie
Iść
Szczytowe opóźnienie
= (2*
pi
)/
Długość fali światła
*
Długość włókna
*
Współczynnik załamania światła
^3*
Napięcie modulacyjne
Maksymalny kąt akceptacji soczewki złożonej
Iść
Kąt akceptacji
=
asin
(
Współczynnik załamania światła ośrodka 1
*
Promień obiektywu
*
sqrt
(
Dodatnia stała
))
Efektywna gęstość stanów w paśmie przewodnictwa
Iść
Efektywna gęstość stanów
= 2*(2*
pi
*
Efektywna masa elektronu
*
[BoltZ]
*
Temperatura absolutna
/[hP]^2)^(3/2)
Współczynnik dyfuzji elektronu
Iść
Współczynnik dyfuzji elektronów
=
Mobilność elektronu
*
[BoltZ]
*
Temperatura absolutna
/
[Charge-e]
Kąt Brewstera
Iść
Kąt Brewstera
=
arctan
(
Współczynnik załamania światła ośrodka 1
/
Współczynnik załamania światła
)
Odstępy między krawędziami przy danym kącie wierzchołkowym
Iść
Skrajna przestrzeń
=
Długość fali światła widzialnego
/(2*
tan
(
Kąt interferencji
))
Dyfrakcja z wykorzystaniem wzoru Fresnela-Kirchoffa
Iść
Kąt dyfrakcji
=
asin
(1.22*
Długość fali światła widzialnego
/
Średnica otworu
)
Energia wzbudzenia
Iść
Energia wzbudzenia
= 1.6*10^-19*13.6*(
Efektywna masa elektronu
/
[Mass-e]
)*(1/[Permitivity-silicon]^2)
Kąt obrotu płaszczyzny polaryzacji
Iść
Kąt obrotu
= 1.8*
Gęstość strumienia magnetycznego
*
Długość średnia
Kąt wierzchołka
Iść
Kąt wierzchołkowy
=
tan
(
Alfa
)
Efektywna gęstość stanów w paśmie przewodnictwa Formułę
Efektywna gęstość stanów
= 2*(2*
pi
*
Efektywna masa elektronu
*
[BoltZ]
*
Temperatura absolutna
/[hP]^2)^(3/2)
N
eff
= 2*(2*
pi
*
m
eff
*
[BoltZ]
*
T
/[hP]^2)^(3/2)
Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍
Szukaj
Kategorie
Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!